繼2017年DRAM，NAND Flash雙雙出現(xiàn)價量齊揚(yáng)，推升全球半導(dǎo)體銷售額強(qiáng)勁成長，并首度超越4,000億美元大關(guān)之后，2018年DRAM，NAND Flash價格則呈現(xiàn)兩漲情，出現(xiàn)一漲一跌的局面，其中的關(guān)鍵則是供給端的部分，特別是國際大廠是否突破制程瓶頸，將攸關(guān)整體市場的供需結(jié)構(gòu)。

首先在DRAM市場方面，2018年三星將DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為影像感測器產(chǎn)線，使DRAM投片量減少，不過減少的部分將由華城16產(chǎn)線與平澤1廠二樓的增設(shè)投資彌補(bǔ)，但整體而言，2018年三星的新增DRAM產(chǎn)能仍是有限，加上SK Hynix的新廠產(chǎn)能恐須待2019年才可望量產(chǎn)，甚至來自于中國DRAM產(chǎn)能的開出，仍有相當(dāng)?shù)囊蓱]，因而2018年全球DRAM供給端的增加依舊在可控制的范圍內(nèi)。而2018年全球DRAM需求端除手機(jī)配備持續(xù)提高之外，資料中心布建需求亦是推動來源，更重要的是，雖然中國對于挖礦熱祭出重罰，不過比特大陸將推出以太礦機(jī)，一個特殊應(yīng)用積體電路晶片就需搭載172顆1 GB的DDR3晶粒，借以提升運(yùn)算效能來看，仍有利于2018年全球DRAM的需求表現(xiàn)。

綜而言之，由于2018年底前國際三大DRAM廠新產(chǎn)能開出極為有限，僅靠制程微縮增加的部分，因此2018年以來全球DRAM價格仍延續(xù)2016年下半年以來上揚(yáng)的走勢，不管是首季或是第二季，DRAM價格季增率均達(dá)到5?10％，顯然DRAM市況優(yōu)于年初預(yù)期。

另外2018年DRAM市場值得留意的尚有中國發(fā)展的態(tài)勢，盡管中國在無技術(shù)授權(quán)來源，記憶體人才短缺之下，2018年底?2019年中國要進(jìn)入記憶體國產(chǎn)化的量產(chǎn)恐有疑慮;不過為此，中國官方也頻頻出招，即中國反壟斷機(jī)構(gòu)已經(jīng)盯上三星，SK海力士與美光等三家DRAM大廠，甚至傳出恐面臨8億?80億美元的罰款，表面上雖然在解決中國終端應(yīng)用廠商面臨記憶體飆漲的窘境，但實(shí)際上恐是預(yù)留未來中國記憶體廠爭取談判的籌碼;事實(shí)上，因先前中國智慧型手機(jī)企業(yè)飽受記憶體產(chǎn)品短缺的困惱，且記憶體對國家資訊安全的重要性高，更何況記憶體為中國實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體自給率提升的重要關(guān)鍵產(chǎn)品，特別是受到中興電訊事件的影響，更加激起對岸發(fā)展半導(dǎo)體核心產(chǎn)品的動能，故中長期來說，中國勢必會竭盡所能積極發(fā)展記憶體，此決心仍不容忽視。

其次在NAND FLASH市場方面，盡管受惠于智慧型手機(jī)支持容量與服務(wù)器需求的帶動，以及SSD的滲透率提高，拉抬對NAND Flash的需求，但2018年以來全球NAND Flash市場已呈現(xiàn)供過于求的局面，主要是國際大廠加速更高層堆迭及四階儲存單元（QLC）產(chǎn)品開發(fā)，以求提升3D NAND儲存密度及降低生產(chǎn)成本，故以32G（4G * 8）MLC（美元/個）收盤價而言，則由2017年8月的3.10美元/個降至2018年5月的2.74美元/個，甚至2018年第三季全球NAND價格恐難以反轉(zhuǎn)向上，主要系因更多64層和72層3D NAND產(chǎn)能相繼釋出，甚至單顆容量更大，成本更具競爭力的3D-QLC Flash技術(shù)，預(yù)計(jì)最快2018年下半邁入量產(chǎn)所致。

值得一提的是，東芝記憶體標(biāo)售案已于2018年5月中旬獲得中國核準(zhǔn)，整體交易案確定于2018年6月1日完成，也意謂Bain Capital，SK Hynix，日本政策投資銀行DBJ）及日本產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)（INCJ）等將陸續(xù)入主，美日韓聯(lián)盟儼然成立，但復(fù)雜的股權(quán)交易與多頭馬車式資本組成，是否能有效提升Toshiba記憶體全球NAND Flash的市場競爭力，以及未來東芝記憶體如何與WD繼續(xù)合作，運(yùn)用此結(jié)盟關(guān)系，將有待后續(xù)觀察。