在許多人的頭腦中，電力電子與可再生能源及電動力緊密關(guān)聯(lián) – 換言之：數(shù)百伏的電壓以及中等到高功率范圍的功率輸出?！皹犯? 盒”式模塊化電源（即 DC/DC 轉(zhuǎn)換器）中的較小元件則不太為人所知。然而它們的重要性也不逞多讓，因為正是它們確保了現(xiàn)代電力電子的高效和可靠運行。

圖 1： 得益于通過 RECOM 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器驅(qū)動的先進 SiC 技術(shù)，此汽車使用電動電源，可以在 2 秒內(nèi)從 0 加速至 100 km/h。（圖片來源： RECOM Power）

可再生能源領(lǐng)域最新的發(fā)展推動了電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新。現(xiàn)代 IGBT（絕緣柵極雙極晶體管）在提高逆變器的效率方面扮演著重要的角色。與 MOSFET 相似，它們只需要極低的功率便可致動。處于傳導(dǎo)狀態(tài)時，沿集電極-發(fā)射極的損耗與雙極型晶體一樣低。

近期通過使用新型半導(dǎo)體材料，它們的性能得到了進一步的提升。利用 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）制作的晶體管可以實現(xiàn)更高的電流和開關(guān)頻率。它們還能加快開關(guān)過程，并將效率從約 95% 提升至 98% 甚至更高。雖然這看起來可能算不得什么重大的成果，但還必須考慮到，這些新型組件幫助降低了約 66% 的能源損耗，并因此保持了較低的溫度！

不要忘了，在電動力領(lǐng)域，任何效率提升不僅能減少系統(tǒng)的能源損耗，還能增加電池需要充電之前的驅(qū)動距離。更低的熱耗散意味著需要更少的冷卻，這反過來意味著更輕的重量。而更輕的重量則有利于改善加速性能，以及延長汽車電池的續(xù)航距離。此外，新型 SiC 和 GaN 材料通常能夠承受更高的溫度，因此可以提高冷卻效率?？梢院侠淼丶僭O(shè)，電動力的未來發(fā)展必將帶動電力電子領(lǐng)域的進一步改進和創(chuàng)新。

電動賽車在不到 2 秒的時間內(nèi)從 0 加速至 100 km/h

每年，慕尼黑應(yīng)用科學(xué)大學(xué)的學(xué)生方程式團隊都會與 municHMotorsport 聯(lián)合設(shè)計一款電動賽車，參加一年一度的大學(xué)生方程式電動車賽 (FSE)。他們的最新型號重量不足 200 kg，從 0 到 100 km/h 的加速時間不到 2 秒。輪轂內(nèi)的三相電機能夠產(chǎn)生高達(dá) 129 kW (174 HP) 的抓地功率。實現(xiàn)這一頂級性能所需的“動力”源自一個為兩路高達(dá) 600 V 的中間電路供電的高電壓電池。

圖 2： 此 3D 模型展示了 Pwe7.16 賽車的電動動力總成。每個車輪由一個 32 kW 三相電機驅(qū)動。電力電子在密閉式側(cè)箱內(nèi)與中間電路集成在一起。（圖片來源： MunicHMotorsport）。

此高電壓是在大型電容器的協(xié)助下產(chǎn)生的，并用于驅(qū)動四個逆變器（圖 3）。四個同步電機分別通過自己的配有 Wolfspeed SiC MOSFET 的逆變器橋供電。為生成高達(dá) 100 A 的相電流，兩個 MOSFET 分別以并行方式接線（未在圖 4 中顯示），以便在 SiC MOSFET 與柵極驅(qū)動器之間保持盡可能短的距離。

圖 3： 四個電機分別配有自己的電力電子（頂部），其中的六個 SiC MOSFET 對被組合到橋中。柵極驅(qū)動器采用 RECOM 的 R12P22005D DC/DC 轉(zhuǎn)換器供電。這些轉(zhuǎn)換器專為在 SiC 應(yīng)用中使用而設(shè)計。（圖片來源： RECOM Power）

圖 4： 三相逆變器的電路原理圖，其中六個 SiC MOSFET 驅(qū)動器分別通過一個不對稱的雙 DC/DC 轉(zhuǎn)換器供電。（圖片來源： RECOM Power）

每個電源開關(guān)對通過自己的柵極驅(qū)動器，使用極陡峭的開關(guān)邊沿進行控制，從而充當(dāng)浮動的柵極電勢與固定的控制電子電勢之間的電隔離器。

但事情并沒有這么簡單，因為 24 個驅(qū)動器分別需要 +20 V 到 -5 V 之間的電壓沿陡峭的開關(guān)邊沿工作，同時還要防止開關(guān)故障。而且這些電壓還必須與 12 V 板載網(wǎng)絡(luò)進行電隔離（高隔離度）。

雙路輸出將 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的數(shù)量減半

原則上，每個驅(qū)動器都需要兩個 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。圖 2 所示的電動車設(shè)計采用了四個電機，因此需要多達(dá) 48 個轉(zhuǎn)換器。為了將此數(shù)量減半，RECOM 開發(fā)了專門的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器系列為現(xiàn)代 SiC MOSFET 驅(qū)動器供電。這些 RxxP22005D 系列轉(zhuǎn)換器采用不對稱的雙路輸出，根據(jù)應(yīng)用中的驅(qū)動器要求提供 +20 V 和 -5 V 電源。RECOM 的新型轉(zhuǎn)換器采用“功率均分”技術(shù)，并且可使用恒定的功率和不對稱的電流，或使用恒定的電流和不對稱的功率工作。這些模塊提供 5 V、12 V、15 V 和 24 V DC 額定輸入。

需要特別注意隔離強度，它將在 1 分鐘內(nèi)提供極高的 5.2 kVDC 隔離電壓。鑒于 SiC MOSFET 通常以約 100 kHz 的頻率工作并且使用極陡峭的邊沿，高隔離強度是一項關(guān)鍵要求，因為 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的絕緣柵會永久承受高應(yīng)力。電路中的寄生電容和電感可能導(dǎo)致峰值遠(yuǎn)高于基于電路拓?fù)涞贸龅念A(yù)期值。由于此類電壓峰值很難進行測量，因此快速電源開關(guān)的尺寸需要留有足夠大的安全裕量。這也適用于允許的最高工作溫度，其中 RxxP22005 系列具有高達(dá) +95°C 的出色額定溫度。

SiC MOSFET 和 IGBT 的廣泛應(yīng)用

當(dāng)前，快速電源開關(guān)在眾多應(yīng)用和各種類型的電力電子中廣泛使用。它們在逆變器、頻率轉(zhuǎn)換器、感應(yīng)電爐、焊接機、電機控制系統(tǒng)和其他許多設(shè)備中隨處可見。其中大多數(shù)電路附帶 IGBT，因為它們是大批量生產(chǎn)的，因此比 SiC MOSFET 要便宜得多。與 SiC MOSFET 一樣，IGBT 驅(qū)動器必須使用兩個不同的電源供電，其中 +15 V 和 -9 V 已成為標(biāo)準(zhǔn)電壓。RECOM 為 IGBT 應(yīng)用提供了廣泛的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器選擇，所有轉(zhuǎn)換器均采用不對稱的雙路輸出。RECOM 的各種轉(zhuǎn)換器系列具有不同的設(shè)計和隔離強度，其中持續(xù) 1 秒鐘的 3 到 4 kV 隔離電壓通?？梢詽M足大多數(shù)應(yīng)用的需求（參見圖 5）此外，RECOM 還提供了一系列適合 IGBT 和 SiC MOSFET 應(yīng)用的單路輸出轉(zhuǎn)換器（未在圖 5 中列出）。

典型值RGZ-xx1509DRH-xx1509DRKZ-xx1509DRKZ-xx2005DRP-xx1509DRV-xx1509DRxxP1509DRxxP21509DRxxP22005D應(yīng)用IGBTIGBTIGBTSiCIGBTIGBTIGBTIGBTSiC輸出電壓+15/-9 V+15/-9 V+15/-9 V+20/-5 V+15/-9 V+15/-9 V+15/-9 V+15/-9 V+20/-5 V輸出電流+67/-111 mA+33/-56 mA+67/-111 mA功率均分+42 mA+67/-111 mA+33/-56 mA+67/-111 mA功率均分輸入電壓5/12/24 V5/12/24 V5/12/24 V5/12/15/24 V5/12/24 V5/12/24 V(5)/12/24 V5/12/24 V5/12/15/24 V隔離 1 秒鐘3/4 kV3/4 kV3/4 kV3/4 kV5,2 kV6,0 kV6,4 kV6,4 kV5,2 kV/1 分鐘功率2 W1 W2 W2 W1 W2 W1 W2 W2 W效率70-81%70-81%70-81%85-87%70-85%70-82%70-80%70-82%82-85%工作溫度-40°C 至 +90°C-40°C 至 +90°C-40°C 至 +85°C-40°C 至 +100°C-40°C 至 +85°C-40°C 至 +90°C-40°C 至 +90°C-40°C 至 +90°C-40°C 至 +90/5°C封裝DIP14DIP14SIP7SIP7SIP7DIP24SIP7SIP7SIP7

圖 5： RECOM 最新的雙 DC/DC 轉(zhuǎn)換器（采用不對稱輸出，適合為 IGBT 和 SiC MOSFET 驅(qū)動器供電）概述。（圖片來源： RECOM Power）

總結(jié)

過去十多年里，電力電子一直與太陽能和風(fēng)能技術(shù)緊密聯(lián)系在一起。因此可以合理地預(yù)測，在今后十年里，電動力領(lǐng)域取得的進步勢必會進一步加快新型電力電子的發(fā)展。IGBT 技術(shù)仍有很多改進機會，使用由 SiC 和 GaN 制作的元器件只是一個開始。