BD95831MUV是可在輸入電壓范圍（7.5V～15V）內通過大電流輸出實現(xiàn)輸出電壓（0.8V～5.5V）的1ch降壓開關穩(wěn)壓器。通過內置開關晶體管用的N-MOSFET，可實現(xiàn)省空間的高效同步整流開關穩(wěn)壓器。采用H3Reg?羅姆的ONTIME固定控制模式，無需相位補償部件，即可實現(xiàn)高速瞬態(tài)響應特性。具有軟啟動功能、PowerGood功能、帶計時鎖存的短路輸出 / 過電壓保護電路功能，適用于數(shù)字AV設備用電源。

*附件：BD95831MUV.pdf

主要規(guī)格

型號 | BD95831MUV-E2

封裝 | VQFN016V3030

包裝形態(tài) | Taping

包裝數(shù)量 | 3000

最小獨立包裝數(shù)量 | 3000

RoHS | Yes

尺寸圖

特點：

• 因 H3Reg 控制實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應
• 逐周期過流保護（OCP）
• 熱關斷（TSD）
• 欠壓鎖定（UVLO）
• 短路保護（SCP）
• 過壓保護（OVP）
• 固定軟啟動（典型 1 毫秒）
• 電源正常指示功能

PCB 設計與使用注意事項

1. PCB 布局要點

• 電流環(huán)路優(yōu)化 ：最小化兩個關鍵電流環(huán)路面積 ——①高端 MOSFET 導通時：輸入電容→VIN→SW→電感→輸出電容→PGND→輸入電容；②低端 MOSFET 導通時：低端 MOSFET→電感→輸出電容→PGND→低端 MOSFET。
• 接地設計 ：PGND（功率地）與 GND（信號地）分開布線，最終單點連接；輸入電容、輸出電容需盡可能靠近 VIN/VOUT 引腳與 PGND，減少寄生電感。
• 散熱設計 ：熱焊盤需連接至大面積 GND 平面，建議在熱焊盤下方布置多個熱過孔（如 0.3mm 孔徑），將熱量傳導至多層板地平面；參考熱降額曲線，不同 PCB 層數(shù)散熱能力不同（4 層板全銅鋪地時 Pd 最大 2.66W，1 層板僅 0.62W）。

2. 使用限制與注意事項

• 抗輻射性 ：產(chǎn)品非抗輻射設計，不可用于有輻射環(huán)境的設備。
• 高危應用限制 ：不可用于醫(yī)療設備（如 Class Ⅲ/Ⅳ）、交通設備、航空航天設備等可能因故障導致人員傷亡或重大財產(chǎn)損失的場景，除非提前與 ROHM 確認。
• 靜電防護 ：屬于靜電敏感元件，生產(chǎn)、存儲、使用時需接地（人體、設備、電烙鐵），使用離子風扇，控制溫濕度。
• 引腳電壓限制 ：避免輸入引腳電壓低于 GND，防止內部寄生二極管 / 晶體管導通導致電路干擾或損壞。