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?基于TI LMG34XX-BB-EVM評估板的GaN功率器件技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-09-26 11:14 ? 次閱讀
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Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系統(tǒng)評估板是一款簡單易用的分線板,用于將任何LMG341x半橋板(例如LMG3410-HB-EVM)配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。該評估模塊通過提供功率級、偏置功率和邏輯電路,可快速測量GaN器件開關(guān)。該評估模塊可提供高達(dá)8A輸出電流,具有適當(dāng)?shù)臒峁芾恚◤娭骑L(fēng)冷、低頻工作等),確保不超過最高工作溫度。Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM不適合用于瞬態(tài)測量,因為它是一款開環(huán)電路板。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系統(tǒng)評估板數(shù)據(jù)手冊.pdf

需要單脈沖寬度調(diào)制輸入,具有互補脈沖寬度調(diào)制信號和電路板上生成的相應(yīng)死區(qū)時間。探針點支持使用帶短接地彈簧的示波器探頭測量關(guān)鍵邏輯和功率級波形。

特性

  • 輸入電壓高達(dá)600V
  • 便利的探測點,用于邏輯和功率級測量,示波器探頭具有短接地彈簧探頭
  • 簡單的開環(huán)設(shè)計,用于評估LMG341x子卡的半橋性能
  • 用于PWM信號的單個板載PWM輸入(死區(qū)時間50ns)

原理圖

1.png
基于TI LMG34XX-BB-EVM評估板的GaN功率器件技術(shù)解析?

一、核心器件與架構(gòu)特性

  1. ?GaN功率模塊?
    • 采用兩顆LMG3410 GaN FET構(gòu)成半橋拓?fù)?,集?a target="_blank">驅(qū)動電路與邏輯電平轉(zhuǎn)換功能。
    • 關(guān)鍵參數(shù):
      • 工作電壓:推薦480V(絕對最大值600V)
      • 開關(guān)頻率:50kHz-200kHz優(yōu)化區(qū)間
      • 集成保護:欠壓鎖定(UVLO)、過溫、過流故障檢測
  2. ?優(yōu)化設(shè)計亮點?
    • ?低寄生電感布局?:高頻電流回路全封閉設(shè)計,減少電壓過沖(典型值<600V)。
    • ?雙供電模式?:支持隔離電源(默認(rèn))或自舉二極管供電(需硬件改動)。
    • ?熱管理方案?:推薦使用Bergquist BP100-0.005雙面導(dǎo)熱膠搭配Cool Innovations 3-101004U散熱器。

二、典型應(yīng)用場景

  1. ?高效率電源拓?fù)?/strong>?
    • 無橋圖騰柱PFC(效率>99%)
    • 相移全橋/LLC諧振變換器
    • 同步降壓轉(zhuǎn)換器(如評估板默認(rèn)配置)
  2. ?設(shè)計擴展性?
    • 通過插座式接口兼容外部功率級
    • 支持自定義死區(qū)時間調(diào)整(默認(rèn)50ns)
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