云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數(shù)據(jù)的設備的電源的通用術語。在電信或傳輸應用中，云電源將為基帶單元和遠程無線電單元供電。用于存儲和處理的服務器機群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時斷電時用戶仍可訪問云。每臺服務器還將需要一個電源單元 (PSU)，以及眾多的 DC-DC 轉換器來提供負載點電源。

由于物聯(lián)網(wǎng)顯著增加了捕獲某種數(shù)據(jù)的端點數(shù)（2017年付運約20億臺設備，比2015年增長54%），因此需要大量的存儲器來處理和存儲數(shù)據(jù)。為此，正在構建大型服務器機群，這些機群將消耗大量電力。電源轉換將產(chǎn)生熱量，終將會有損耗。這種發(fā)熱如此之大，以至于導致冷卻成本是運行服務器機群的主要成本之一。這導致 PSU 制造商不斷尋求構建更高能效的 PSU。此外，為了以更佳的能效降低冷卻成本，需要減小 PSU 的尺寸，從而使更多的服務器可以安裝在相同的空間中。

傳輸這些數(shù)據(jù)的方式有很多種，但2019年部署的是下一代無線互聯(lián)5G。一旦 5G 技術得以充分利用，它將能夠提供比當前 4G LTE 網(wǎng)絡快10倍的速度。這種速度的提高需要更高的功率，這將使每個 5G 無線電中的功率 MOSFET 數(shù)增加約5倍。

為此，安森美半導體提供高性能分立方案，以成功地實現(xiàn)云電源市場的高能效目標。相較上一代超級結器件，新的高能效的分立650 V SuperFETIII MOSFET 系列使云電源能夠達到這更高的能效。SuperFETIII 技術提供三種不同的版本：易驅動版本 (Easy Drive)、快恢復版本 (FRFET) 和快速版本 (FAST)。應用和拓撲結構將決定應該使用哪個版本來獲得最佳的能效。

針對次級端，安森美半導體提供全系列中、低壓 MOSFET，這些 MOSFET 已針對云電源進行了優(yōu)化。T6 技術為30V、40V 和 60V 提供業(yè)界最低的 RDSon。新的 T8 技術為25V、40V、60V 和 80V 提供與 T6 相同的超低 RDSon，同時進一步改善了開關參數(shù)。對于80 V、100 V 和120 V，采用 PTNG 技術，提供出色的 RDSon 和體二極管性能。隨著制造商挑戰(zhàn)更高能效和強固性，他們開發(fā)出像安森美半導體的650及1200 V 碳化硅 (SiC) 二極管這樣的器件，用于功率因數(shù)校正 (PFC) 級。

隨著基于云的物聯(lián)網(wǎng)的急劇增加，云由最高能效的電源供電很重要。安森美半導體正盡己所能，提供25V 至650 V 的領先行業(yè)的 MOSFET，并開發(fā)下一代半導體 SiC。