時光見證創(chuàng)新，盛會圓滿收官。2025年9月26日，為期3天的PCIM Asia Shanghai 2025在上海新國際博覽中心落下帷幕，讓我們一起回顧三菱電機展臺不容錯過的精彩內(nèi)容！

亮點一

Compact DIPIPM，DIPIPM家族第8位成員閃亮登場

三菱電機為變頻家電和工業(yè)設備開發(fā)的Compact DIPIPM系列產(chǎn)品包括PSS30SF1F6（30A/600V）和PSS50SF1F6（50A/600V），樣品已于9月22日開始發(fā)售。通過采用RC-IGBT，該模塊的封裝尺寸已縮減至第7代Mini DIPIPM的53%，有助于客戶在柜式變頻空調(diào)等應用中實現(xiàn)更緊湊的逆變控制器。該產(chǎn)品新增用于橋臂短路保護的互鎖功能，將有助于簡化逆變器的基板設計。另外，通過將連續(xù)工作溫度下限擴展至-40°C，拓展了變頻空調(diào)和工業(yè)設備的工作溫度范圍，特別有助于推動在冬季寒冷地區(qū)更廣泛地使用變頻空調(diào)。

亮點二：SiC SLIMDIP，高能效變頻家電的理想選擇

此次在變頻家電展區(qū)展出的產(chǎn)品，是三菱電機推出的空調(diào)及家電用SLIMDIP系列智能功率模塊全SiC DIPIPM和混合SiC DIPIPM。與現(xiàn)有硅基逆導型絕緣柵雙極晶體管（RC-IGBT）SLIMDIP模塊相比，新產(chǎn)品性能大幅提升。作為三菱電機首款面向大容量家電的SiC SLIMDIP功率半導體模塊，其內(nèi)置了專為SLIMDIP封裝優(yōu)化的SiC-MOSFET芯片，顯著提高輸出功率。該模塊適配全SiC SLIMDIP的芯片尺寸與特性，可有效降低功率損耗，助力提升家電能效。混合SiC SLIMDIP，內(nèi)部封裝了多個元件及連線，采用同一IC來驅(qū)動并聯(lián)的SiC MOSFET（低電流下的低導通電壓特性）和Si RC-IGBT（高電流導通特性），同樣實現(xiàn)了功率損耗的顯著降低。

亮點三

IGBT8，為新能源發(fā)電與儲能系統(tǒng)量身定制

為了進一步提高IGBT模塊功率密度，三菱電機開發(fā)了第8代IGBT模塊，采用了分段式溝槽柵結構，在芯片背面采用可以控制載流子的等離子體層結構來減少芯片厚度，從而顯著地降低了功率損耗。第8代IGBT同時擴大了芯片面積，從而降低了結殼熱阻。第8代LV100封裝IGBT從第7代的1200V/1200A提升至1200V/1800A。第8代NX封裝計劃開發(fā)5款，包含1000A/1200V半橋、800~1000A/1200V Split-NPC (半橋+鉗位二極管)。

該產(chǎn)品在太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中，能顯著降低系統(tǒng)功耗（仿真顯示約15%），并提升輸出功率（約25%），這意味著同等體積的逆變器可以轉換更多電能，有助于提高發(fā)電效率，降低系統(tǒng)成本，助推綠色能源轉型，對減少碳排放和實現(xiàn)“雙碳”目標有積極意義。

亮點四

J3系列T-PM & J3系列Relay，使電動汽車跑得更遠更穩(wěn)

三菱電機推出用于電動汽車主驅(qū)逆變器的J3系列SiC-MOSFET功率半導體模塊，包括半橋結構的J3系列T-PM模塊和全橋結構的J3系列HEXA模塊。

J3系列T-PM采用緊湊的第3代T-PM封裝技術，具有高可靠性和高散熱能力，可降低熱阻并助力逆變器小型化，幫助降低電感量。模塊內(nèi)置高可靠性SiC-MOSFET芯片，進一步實現(xiàn)模塊高緊湊性及高能量密度，獨特溝槽柵設計抑制Vth漂移和損耗退化，兼具優(yōu)異的RonA性能和高VGS(th)。J3系列可擴展性強，J3系列T-PM可并聯(lián)使用，擴大其應用功率范圍，J3系列HEXA-S/L可適應不同容量等級逆變器設計。模塊附加帶SCM的DESAT短路保護，實現(xiàn)快速短路檢測和系統(tǒng)的高功率密度。

近年來，關于用功率器件替代機械接觸器的研究和需求逐漸增多，功率器件具有可重復開關次數(shù)高、反應速度快等優(yōu)勢，對此三菱電機開發(fā)了采用J3系列T-PM緊湊型封裝的可用于EV用電池斷路單元等切換/斷開回路的J3系列繼電器模塊，包括雙向開關，單向開關兩種內(nèi)部電路結構，且與J3系列T-PM配備相同的輔助功能。