DRV8213是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測(cè)輸出、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。三重器電荷泵允許該器件在低至 1.65 V 的電壓下工作，以適應(yīng) 1.8V 電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了所有電容器，并允許 100% 占空比工作。
*附件：drv8213.pdf

內(nèi)部電流鏡實(shí)現(xiàn)電流檢測(cè)和調(diào)節(jié)。這消除了對(duì)大型功率分流電阻器的需求，從而節(jié)省了電路板面積并降低了系統(tǒng)成本。IPROPI 電流檢測(cè)輸出允許微控制器檢測(cè)電機(jī)失速或負(fù)載條件的變化。增益選擇 （GAINSEL） 功能允許高精度電流檢測(cè)低至 10 mA 的平均電機(jī)電流。使用 VREF 引腳，該器件可以在啟動(dòng)和高負(fù)載事件期間調(diào)節(jié)電機(jī)電流，而無需微控制器進(jìn)行交互。RTE 封裝支持無傳感器電機(jī)失速檢測(cè)并向微控制器報(bào)告。

低功耗睡眠模式通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流。內(nèi)部保護(hù)功能包括欠壓鎖定、過流和過熱。

特性

• N 溝道 H 橋有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
• 1.65V 至 11V 工作電源電壓范圍
• 240mΩ R DS（導(dǎo)通） （高側(cè) + 低側(cè)）
• 高輸出電流能力：4A 峰值
• PWM 控制接口，高達(dá) 100 kHz 的開關(guān)
• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 集成電流檢測(cè)和電流調(diào)節(jié)
• 模擬電流檢測(cè)輸出 （IPROPI）
• 增益選擇 （ GAINSEL） 功能 -
  • 低至 10 mA 的高精度電流檢測(cè)
  • 針對(duì)不同電流范圍優(yōu)化的 R DS（ON） 和過流限制
• 可配置的浪涌時(shí)間（僅限RTE包）
• 內(nèi)部電荷泵
• 低功耗睡眠模式的電池壽命長(zhǎng)
  • < 60 nA 最大睡眠電流
• 封裝尺寸小
• 集成保護(hù)功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 自動(dòng)重試過流保護(hù) （OCP）
  • 熱關(guān)斷 （TSD）
  • 失速檢測(cè)（僅限 RTE 封裝）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?寬電壓范圍?：1.65V至11V工作電壓（RTE封裝支持VM=0V時(shí)邏輯仍可運(yùn)行）。
• ?高電流能力?：4A峰值輸出，集成240mΩ RDS(ON)（高邊+低邊MOSFET）。
• ?集成電流檢測(cè)與調(diào)節(jié)?：
  • 模擬電流輸出（IPROPI），比例系數(shù)可調(diào)（205μA/A至4900μA/A）。
  • 通過VREF引腳設(shè)置電流限制閾值（ITRIP），支持硬件電流調(diào)節(jié)。
• ?低功耗設(shè)計(jì)?：
  • 睡眠模式電流<60nA（DSG封裝）或<20nA（RTE封裝）。
  • 自動(dòng)休眠功能（tAUTOSLEEP=1ms）。
• ?封裝選項(xiàng)?：
  • ?DSG?（WSON-8，2mm×2mm）
  • ?RTE?（WQFN-16，3mm×3mm，支持硬件堵轉(zhuǎn)檢測(cè)）。

?2. 關(guān)鍵功能?

• ?H橋控制?：支持正向、反向、制動(dòng)（低邊慢衰減）和滑行模式（高阻態(tài)）。
• ? 堵轉(zhuǎn)檢測(cè)（RTE封裝） ?：
  • 基于IPROPI電流反饋，可配置響應(yīng)模式（禁用/僅指示/鎖存關(guān)閉）。
  • 通過TINRUSH電容設(shè)置啟動(dòng)電流忽略時(shí)間（tINRUSH）。
• ?保護(hù)機(jī)制?：
  • 欠壓鎖定（UVLO）、過流保護(hù)（OCP）、熱關(guān)斷（TSD）。
  • 故障指示（nFAULT引腳）。

?3. 典型應(yīng)用?

• ?電池供電設(shè)備?：電子鎖、電動(dòng)牙刷、便攜式打印機(jī)。
• ?醫(yī)療與工業(yè)?：輸液泵、儀表驅(qū)動(dòng)。
• ?堵轉(zhuǎn)敏感場(chǎng)景?：通過IPROPI反饋或硬件檢測(cè)實(shí)現(xiàn)電機(jī)保護(hù)。

?4. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?布局建議?：
  • VM引腳就近放置低ESR陶瓷電容（0.1μF）和儲(chǔ)能電容。
  • 散熱設(shè)計(jì)：充分利用熱焊盤連接多層地平面。
• ?電流檢測(cè)配置?：
  • 公式：ITRIP(A) = VVREF(V) / [RIPROPI(Ω) × AIPROPI(μA/A)]。
  • 需確保VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)以保證精度。

?5. 性能參數(shù)?