電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 據(jù)科技媒體SemiAccurate報道，微軟已正式向英特爾晶圓代工（Intel Foundry）下達(dá)訂單，委托其使用先進(jìn)的18A工藝節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)下一代AI加速器Maia 2。

英特爾18A工藝堪稱芯片制造領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破，處于業(yè)界2納米級節(jié)點(diǎn)水平。它采用了兩項(xiàng)極具創(chuàng)新性的基礎(chǔ)技術(shù)——RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)和PowerVia背面供電技術(shù)。

RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)，改變了傳統(tǒng)晶體管的結(jié)構(gòu)。舊的FinFET晶體管像“豎起鰭片”，而RibbonFET則如同“包裹導(dǎo)線的電纜”，電流被四面柵極牢牢控制。這一改變帶來了諸多優(yōu)勢，電流泄漏更少，開關(guān)響應(yīng)更快，晶體管密度更高，使得同面積可塞進(jìn)更多邏輯單元，在相同性能下功耗更低、溫度更穩(wěn)。

PowerVia背面供電技術(shù)同樣意義非凡。傳統(tǒng)芯片的供電金屬線在最上層，信號線在下方，電流需“翻山越嶺”才能到達(dá)底部晶體管，導(dǎo)致功率損耗和電壓不穩(wěn)。而PowerVia將電源線移到芯片背面，實(shí)現(xiàn)了供電網(wǎng)絡(luò)解耦與獨(dú)立優(yōu)化。這樣一來，電壓更穩(wěn)定，頻率能更高，噪聲和干擾更小，多核協(xié)同效率更好，芯片頂部空間釋放后還更容易堆疊模塊。

基于這兩項(xiàng)技術(shù)，英特爾18A工藝實(shí)現(xiàn)了性能的顯著提升。每瓦性能提升約15%，功耗降低可達(dá)25%，晶體管密度提升1.3倍以上。這些數(shù)據(jù)表明，18A工藝不僅能讓設(shè)備性能更強(qiáng)，還能更省電，為下一代電子產(chǎn)品的發(fā)展提供了強(qiáng)大的技術(shù)支撐。

Maia芯片系列是驅(qū)動微軟AI基礎(chǔ)設(shè)施，尤其是Azure數(shù)據(jù)中心的核心硬件，其性能直接與英偉達(dá)和AMD的高性能加速器展開競爭。Maia 2作為下一代產(chǎn)品，采用英特爾18A或其增強(qiáng)版本18A - P工藝打造，具備諸多先進(jìn)特性。

18A - P工藝在18A的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化，引入第二代RibbonFET晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)，通過采用新設(shè)計的低閾值電壓組件、優(yōu)化元件以減少漏電，并精細(xì)化調(diào)整晶體管結(jié)構(gòu)，顯著提升了單位功耗下的運(yùn)算效率。此外，該工藝還采用低閾值電壓單元設(shè)計，結(jié)合元件級漏電抑制措施及晶體管結(jié)構(gòu)微調(diào)，進(jìn)一步增強(qiáng)了性能輸出與能效平衡。

從產(chǎn)品層面來看，Maia 2將為微軟的AI應(yīng)用和服務(wù)提供更強(qiáng)大的支持。隨著大模型技術(shù)的快速發(fā)展，對算力的需求呈現(xiàn)指數(shù)級增長。Maia 2在性能和功耗方面的優(yōu)化，能夠更好地滿足微軟日益增長的AI計算需求，助力其在AI基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域進(jìn)一步布局。而且，若此次合作進(jìn)展順利，雙方可能就未來幾代Maia芯片開啟長期合作，形成更穩(wěn)固的聯(lián)盟，共同推動AI硬件生態(tài)的演進(jìn)。

此次英特爾18A工藝代工微軟AI芯片Maia 2，不僅是雙方的一次重要合作，更可能成為芯片代工格局變化的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。英特爾憑借18A工藝的技術(shù)優(yōu)勢，獲得了微軟這一重量級客戶的認(rèn)可，為其代工業(yè)務(wù)的發(fā)展注入了強(qiáng)大動力。而微軟通過與英特爾合作，實(shí)現(xiàn)了芯片供應(yīng)鏈的多元化，降低了對單一供應(yīng)商的依賴，增強(qiáng)了供應(yīng)鏈的韌性。