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四大廠區(qū)深耕半導體 華虹業(yè)績創(chuàng)新高

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-08-13 18:12 ? 次閱讀
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華虹半導體8月7日發(fā)布其2018年第二季度及半年報,得益于平均售價上升及市場需求強勁,其上半年銷售收入再創(chuàng)歷史新高。根據公告,華虹半導體2018年第二季度實現銷售收入約2.30億美元,同比增長16.1% ;利潤4590萬美元,同比增長33.6%;毛利率33.6%,同比上升0.4個百分點。

華虹稱,業(yè)績表現超群受益于平均銷售價格(ASP)上漲以及MCU、超級結、IGBT、電源IC等主營業(yè)務產品需求的強勁增加。

華虹表示,對2018年下半年充滿信心。預計第三季度銷售收入環(huán)比增長3% ~ 4%,同比增長13% ~ 14%;毛利率約為32% ~ 33%。

圖:華虹2018半年報

公司Q2營收超出Q1季報指引

根據財報,華虹Q2銷售收入增長超越Q1報告中預期的5%-7%區(qū)間,環(huán)比增長9.4%;Q2毛利率達到33.6%,超32-33%指引區(qū)間;

綜合第一、二季度,華虹半導體2018年上半年共實現銷售收入4.40億美元,同比增長15.4%,再創(chuàng)歷史新高。

值得一提的是,由于市場需求強勁,華虹半導體上半年產能利用率仍接近100%,公司8吋晶圓生產線產能由15.9萬片/月增長至17.2萬片/月,第一、二季度付運晶圓分別為45.4萬片、50.1萬片。

華虹表示,因國內市場的強勁需求及一系列產業(yè)政策的刺激,中國區(qū)域客戶占公司的銷售收入份額不斷增長。按客戶所在地劃分的地區(qū)分部有關收入數據顯示,中國區(qū)上半年銷售收入為2.52億美元,占比約為57%。

布局物聯網 華虹無錫設廠打破產能瓶頸

隨著云計算、物聯網、大數據、智慧城市及5G通訊應用領域的快速發(fā)展,激發(fā)了對300mm晶圓生產的需求,也加速了華虹集團在無錫設立一座新的300mm晶圓廠的動力。

2017年,華虹集團與無錫合作總投資約 100 億美元的12吋晶圓廠項目正式落戶無錫高新地區(qū)。據悉,該項目主要從事非揮發(fā)性存儲器、先進射頻技術、高端電源管理、汽車電子等相關IC制造,這個特色工藝平臺瞄準的終端應用包括5G通信、物聯網、功率管理IC等領域。

面向5G、汽車電子和物聯網等新興領域的華虹無錫300mm生產線一期工程,采用90-65/55納米工藝,規(guī)劃投資25億美元,按計劃將于2019年Q4建成投產,規(guī)劃每月 12 吋產能為 4 萬片,規(guī)劃至2022年底逐步把起初的月產能1萬片增加到4萬片。計劃將于2018年下半完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝、通線并逐步實現達產,預計年產值將達50億元。

四大廠區(qū) 華虹深耕半導體

目前,華虹集團旗下有華虹宏力 8 吋廠、華力微電子 12 吋廠,以及即將啟動的華虹無錫 12 吋廠,三大生產基地各自肩負不同使命,若根據地點,廠區(qū)共分為金橋、張江、康橋、無錫四大地區(qū)。

華虹宏力成立于 1997 年,直到 2003 年才進入晶圓代工領域,在全球半導體角色上,它與臺積電集團旗下的世界先進定位類似,都是專職 8 吋廠特殊制程平臺,兩家企業(yè)市占率也是相近。

華虹宏力在上海張江和金橋共有 3 條 8 吋晶圓生產線,月產能約 16.8 萬片,主攻嵌入式非揮發(fā)性存儲器 (eNVM)、電源管理芯片、功率元件、射頻 (RF)、模擬與混合式信號等技術,同時在 MCU、智能卡等領域占有一席之地,尤其智能卡全球市占率已達 40%。

圖:華虹宏力四大制造基地

華虹集團旗下華力微電子 12 吋晶圓廠,該廠專注高端技術,具備 55 納米、40 納米制程平臺,同時也投入 28 納米制程。據悉,華力微電子第一座 12 吋廠 (Fab 5) 月產能 3.5 萬片,第二座 12 吋廠 (Fab 6) 將于今年投產,專心做高端制程 28~14 納米,單月產能 4 萬片。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:【IC制造】華虹18Q2與上半年業(yè)績同創(chuàng)新高 電源與功率器件IC奏功

文章出處:【微信號:DIGITIMES,微信公眾號:DIGITIMES】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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