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2018年全球DRAM內存芯片總價值將首次突破1000億美元大關

h1654155971.7596 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-15 17:31 ? 次閱讀
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近兩年以來,全球內存芯片市場價格持續(xù)飆升,多次刷新了行業(yè)認知。其中,DRAM內存漲價現(xiàn)象尤為明顯。除了上游產能不足之外,下游市場的旺盛需求也是最大的推動因素。在此帶動下,全球內存芯片市場規(guī)模自然水漲船高。市調機構IC Insight也預測,2018年全球DRAM內存芯片總價值將首次突破1000億美元大關。

▲來源:IC Insight

韓國企業(yè)獲利最多

我們都知道,全球存儲芯片市場主要被幾家企業(yè)把控。

其中,DRAM領域全球主要生產廠商只有三星、海力士和鎂光三家爭霸,而三星一家獨占了全球市場的45%。而在NAND閃存方面,三星、東芝、鎂光和海力士四家占據(jù)了全球超過90%的市場,而僅三星一家就占據(jù)了37%市場份額。另外,海力士在DRAM內存和NAND閃存方面也分別占據(jù)了28%及10%市場份額。

由此可見,自2016年開始的存儲芯片漲價潮,韓國企業(yè)獲利最多,對于企業(yè)營收貢獻也非常明顯,三星電子就是一個很好的案例。

▲圖 | 三星電子DS部門銷售額(芯師爺制圖)

據(jù)了解,2018年上半年三星電子DS部門銷售額為56.05萬億韓元,在三星集團整體銷售額中占比47.1%。而生產智能手機的IT&移動通信銷售額為52.42萬億韓元,在三星集團整體銷售額中占比44.1%。這也是三星集團DS部門銷售額首次超過IT&移動通信事業(yè)部,其中存儲芯片起到了巨大推動作用。

對于三星電子DS部門而言,數(shù)據(jù)中心使用的DRAM芯片和大容量存儲的NAND閃存需求持續(xù)旺盛,推動半導體業(yè)務繼續(xù)實現(xiàn)強勁盈利。除此之外,三星電子其他業(yè)務表現(xiàn)低迷,特別是智能手機方面。由此可見,存儲業(yè)務已經成為三星電子業(yè)績最主要推動力,對于其后續(xù)表現(xiàn)非常重要。

市場迎來新的玩家

對于全球存儲市場而言,在經過多年調整之后,已經只剩下幾個巨頭,但是國內存儲芯片領域的快速崛起,將打破這一格局。其中,主要以長江存儲、福建晉華集成電路公司、安徽合肥Innotro存儲公司為主。

在DRAM芯片方面,晉華已經開始了8Gb LPDDR4內存芯片的試生產。預計在2018年年底之前,晉華和聯(lián)華電子共同開發(fā)的第一代DRAM內存生產工藝將投入使用。而Innotron公司已經對外展示了使用19nm技術生產的8Gb DDR4內存芯片工程樣片,該產品預計于 2018 年底上市,計劃于 2019 年上半年正式量產。

另外,在NAND閃存方面,長江存儲已經獲得了一萬套32層3D NAND閃存芯片的訂單。而其正在研發(fā)的64層3D NAND閃存,計劃在2018年年底前推出樣品。

而就在本月7號,長江存儲也首次公布了其新開發(fā)的3D NAND架構Xtacking的技術細節(jié)。并成功將Xtacking技術應用于其第二代3D NAND產品的開發(fā),該產品預計于2019年進入量產階段,將應用于智能手機、個人計算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應用等領域。

長江存儲預計到2020年形成月產能30萬片的生產規(guī)模,到2030年建成每月100萬片的產能。

由此可見,經過幾年的前期投入,國內儲存領域即將進入產能釋放期。對于全球市場而言,也是一股無法忽視的力量。

2019年價格拐點將至?

面對存儲市場的旺盛需求,不僅僅是國內廠商在加緊投資布局,全球巨頭三星和海力士也沒有閑下來,進一步投資爭搶市場。

2017年8月30日,三星電子與陜西省政府簽署了投資合作協(xié)議,追加投資70億美元,在西安高新綜合保稅區(qū)內建設三星(中國)半導體有限公司存儲芯片二期項目,以應對全球IT市場對高端V-NAND產品需求的增加。2018年初,該項目已經正式啟動。

另外,海力士也宣布將投資134億美元(約合人民幣916億元)在韓國建設新的內存工廠,并計劃于2020年建成投產,目前還不確定產品類型和產能。

通過以往存儲市場走勢來看,產能的釋放勢必將帶來存儲價格的下調,NAND閃存就是一個很好的案例。目前,NAND閃存芯片價格已經大幅回落,然而DRAM內存芯片依舊居高不下。

從上面進程我們也不難發(fā)現(xiàn),國內三大存儲廠商將集中在2019年實現(xiàn)量產。但據(jù)芯師爺觀察,這三家企業(yè)2019年月產能還還比較低,真正的產能釋放還要到2020年。其中,長江存儲預計2020年月產能為30萬片,福建晉華則預計為24萬片。

目前,海力士在無錫的DRAM芯片晶圓廠,是全球重要的DRAM芯片基地之一。目前,一期工程產能在10-12萬片晶圓/月,預計二期建成后產能將達到20萬片晶圓/月。

由此可見,國內廠商產能最快將在2020年才會對全球市場帶來重要影響,2019年僅僅是一個開端。但對于國內存儲市場而言,2019年被稱為拐點也合情合理,至少是打破了國外巨頭長期壟斷局面。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:DRAM內存芯片將破1000億美元大關,2019年或現(xiàn)價格拐點?

文章出處:【微信號:Anxin-360ic,微信公眾號:芯師爺】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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