最近接到一個(gè)平磨后晶背直接露出來(lái)的MOS管?？蛻裟沁呎f(shuō)這顆芯片漏電了，希望我們幫忙看看問(wèn)題出在哪。他們要求測(cè)試G-DS通路（柵極接正極，源極和漏極短在一起做負(fù)極），最大電壓20V，電流限制100μA。聽(tīng)起來(lái)挺簡(jiǎn)單，但其實(shí)這類樣品要特別小心，參數(shù)一大，樣品可能就“再也回不來(lái)了”。

第一步：IV測(cè)試，先摸清漏電程度

客戶說(shuō)漏電，我們還是得先驗(yàn)證一下。于是上設(shè)備跑了一下IV曲線。

致晟光電 iv曲線

結(jié)果一看，3.5V左右電流就沖上100μA，果然是漏得不輕。IV這一步其實(shí)是“摸底”階段，用來(lái)判斷后續(xù)熱測(cè)試能不能安全做。畢竟如果直接上高壓去跑熱點(diǎn)，很容易讓樣品漏電更嚴(yán)重，那就改變了樣品本身的失效。

第二步：熱點(diǎn)測(cè)試，看漏電點(diǎn)在哪

既然3.5V、100μA已經(jīng)能跑出明顯電流，那這個(gè)參數(shù)也差不多夠產(chǎn)生熱信號(hào)了。因?yàn)榫П呈锹懵兜?，熱量能很快傳到表面，所以我們就直接在這個(gè)參數(shù)下做熱點(diǎn)測(cè)試。

樣品在1倍鏡頭下的熱點(diǎn)情況

樣品比較小，我們跳過(guò)廣角鏡頭，直接用1倍鏡頭上。果然能看到晶背表面有一塊比較集中的熱點(diǎn)。這個(gè)階段，我們還順手做了測(cè)量，方便后續(xù)對(duì)比。

樣品在1倍鏡頭下的測(cè)量結(jié)果

然后切換到3倍鏡頭放大觀察。

樣品在3倍鏡頭下的熱點(diǎn)情況

不過(guò)由于晶背材質(zhì)的紅外透過(guò)率、折射率和表面粗糙度不同，鏡頭沒(méi)法透過(guò)去看內(nèi)部結(jié)構(gòu)，繼續(xù)放大倍率觀察也沒(méi)有明顯參照物。所以測(cè)試到這一步，我們就就再放大。

綜合IV結(jié)果和熱點(diǎn)分布，基本能確認(rèn)：

樣品確實(shí)存在漏電問(wèn)題；

漏點(diǎn)集中在晶背某一小塊區(qū)域；

3.5V、100μA的參數(shù)就足以復(fù)現(xiàn)現(xiàn)象。

對(duì)于這類晶背暴露的MOS器件，最重要的就是控制測(cè)試條件。有時(shí)候電流上去一點(diǎn)，芯片就直接損壞，連“罪魁禍?zhǔn)住倍紱](méi)法看了。

審核編輯 黃宇