雷卯PESD3V3X4UHM是一款3.3V低鉗位電壓的ESD二極管，封裝為DFN1309-6L。PESD3V3X4UHM可以完全替代替代Nexperia安世(PESD3V3X4UHM)。

參數(shù)對(duì)比列表如下：

列表備注：Vrwm:反向關(guān)斷電壓，Vbr :擊穿電壓 ，VCmax@A：最大IPP條件下測(cè)的VC, Cj:結(jié)電容，F(xiàn)eatures：1CH :單路，Bi:雙向 。

通過(guò)以上參數(shù)對(duì)比，可以了解是可以替代的。

如您正在使用以上安世這款，需要國(guó)產(chǎn)替代，可以聯(lián)系雷卯銷售人員申請(qǐng)樣品測(cè)試。

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PESD3V3X4UHM 性能特點(diǎn)

4路單向ESD保護(hù)二極管

結(jié)電容Cj=0.65pF typ

低鉗位電壓，隨IPP 變化，最大為VC(5.6V)

高IPP ( max 14A)，抗浪涌能力強(qiáng)。

超低漏電流

超小封裝（DFN1309-6L）

雷卯的封裝是DFN1309-6L, 安世的封裝是DFN1308-6 , 但是這兩個(gè)封裝焊盤是兼容的。 下面做圖對(duì)比

可以看出管腳間距e都是0.45mm，長(zhǎng)寬管腳兼容。

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PESD3V3X4UHM 應(yīng)用

SD卡信號(hào)線保護(hù)
SIM卡信號(hào)線保護(hù)

(應(yīng)用電路)

Leiditech雷卯電子致力于成為電磁兼容解決方案和元器件供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)品牌，供應(yīng)ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，電感等產(chǎn)品。雷卯擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，能夠根據(jù)客戶需求提供個(gè)性化定制服務(wù)，為客戶提供最優(yōu)質(zhì)的解決方案。