漢思新材料獲得芯片底部填充膠及其制備方法的專利

漢思新材料已獲得芯片底部填充膠及其制備方法的專利，專利名為“封裝芯片用底部填充膠及其制備方法”，授權(quán)公告號為CN116063968B，申請日期為2023年2月，授權(quán)公告日為2025年（具體月份因來源不同存在差異，但不影響專利有效性的認定）。

一、專利技術背景

芯片底部填充膠是電子封裝領域的關鍵材料，主要用于保護芯片與電路板之間的連接，防止因熱膨脹系數(shù)失配、機械振動或環(huán)境因素導致的焊點失效。傳統(tǒng)封裝膠在涂覆后易出現(xiàn)翹曲、粘接不牢、導熱性不足等問題，難以滿足高功率、高可靠性芯片的封裝需求。漢思新材料通過材料組分創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，成功解決了這些行業(yè)痛點。

二、專利核心內(nèi)容

材料組分創(chuàng)新：

漢思新材料的芯片底部填充膠采用高比例無機填料與樹脂基體的優(yōu)化設計。無機填料如球形氧化鋁、二氧化硅等，具有高導熱性和低熱膨脹系數(shù)，顯著提升封裝膠的散熱性能和熱穩(wěn)定性。

樹脂基體則選用環(huán)氧樹脂、氰酸酯樹脂等，通過多樹脂復配提升耐熱性與界面附著力。同時，加入有機硅雜化環(huán)氧樹脂或環(huán)氧基低聚倍半硅氧烷，增強抗沖擊性并降低內(nèi)應力。

工藝優(yōu)化：

漢思新材料采用分步混合+均質(zhì)化研磨工藝，解決高填料比例下的分散難題。首先將有機樹脂與部分無機填料初步混合，研磨至細度<15μm，形成高分散性基料。

然后依次加入固化劑、增韌劑、球形填料及偶聯(lián)劑，低速攪拌避免氣泡生成。最后通過三輥研磨脫泡，確保粘度穩(wěn)定在80 Pa·s以下，適配點膠工藝。

這種工藝避免了填料沉降，提升了批次一致性，且單組份設計支持自動化產(chǎn)線快速點膠。

三、專利技術優(yōu)勢

低熱膨脹系數(shù)：通過高填充無機填料和混合形態(tài)設計，漢思新材料的芯片底部填充膠的熱膨脹系數(shù)顯著降低，匹配硅芯片與陶瓷基板，有效抑制熱應力翹曲。

高效導熱：導熱系數(shù)達行業(yè)領先水平，滿足高功率器件的散熱需求。

高可靠性：通過雙85測試，通過2000+小時鹽霧測試、跌落試驗及熱循環(huán)測試，失效率<0.02ppm，滿足汽車電子、軍工等高要求場景。

環(huán)保兼容性：符合RoHS 2.0及Reach標準，VOC趨零排放，環(huán)保性能超行業(yè)均值50%。

四、專利產(chǎn)業(yè)化應用

應用領域：漢思新材料的芯片底部填充膠已廣泛應用于人工智能、5G通信、汽車電子（如車控芯片）、消費電子（手機電池保護板、藍牙耳機）、MINI-LED顯示屏等領域。

客戶案例：已成功應用于小米、華為、三星等企業(yè)的產(chǎn)品中，替代進口膠水，降低生產(chǎn)成本。

國產(chǎn)替代價值：突破了美日企業(yè)（如Henkel、Namics）在高階封裝膠的技術壟斷，推動了國產(chǎn)封裝膠在高端領域的替代進程。