國內首款7納米通信芯片“麒麟980”可望下周面市，這款華為海思基于臺積電7nm FinFET制造工藝，八核CPU核心數(shù)量比上一代翻倍，肩負起華為旗艦級手機Mate 20 Pro上市奏捷的核心任務。

DIGITIMES Research分析認為，由于麒麟980芯片到第四季出貨放量增長，加上競爭對手也相繼推出，行業(yè)內第四季7納米手機AP出貨比重超過18%，并一舉超過10納米級芯片。

“麒麟980” 制造工藝與規(guī)格曝光

“麒麟980”預計31日在華為旗艦機Mate 20 Pro手機IFA發(fā)布會上亮相， 由華為消費事業(yè)部CEO余承東親自對外發(fā)布，不過外界幾乎已將這款“千呼萬喚”芯片先行劇透的差不多。

根據(jù)華為規(guī)劃，新一代旗艦機Mate 20 Pro搭載“麒麟980”基于臺積電7nm FinFET制造工藝，4x Cortex-A77 + 4x Cortex-A55的4+4八核CPU，搭載Mali-G72 24核心GPU ，GPU核心數(shù)量較前代翻了一倍。主頻高達2.8GHz。而內存方面則使用LPDDR4X。

另外，“麒麟980”使用 “寒武紀” 第二代神經處理單元(NPU)，提升芯片人工智能和機器學習的能力。其他方面，麒麟980支持雙卡4G同時在線，網絡制式最高支持 LTE Cat. 19。Wifi支持2.4G/5G雙頻率，以及藍牙5.0。

DIGITIMES Research分析師胡明杰指出，目前執(zhí)行AI加速的解決方案主要分為硬件加速與軟件加速兩大陣營。硬件加速即以蘋果、海思為代表，在AP中針對類神經網絡演算法進行硬件定制，及增添硬件NPU(Neural Processing Unit)單元。

胡明杰認為，雖然搭載AI加速器的AP成功帶動市場話題，但目前智能手機AI使用場景大多在照相優(yōu)化處理，仍未有殺手級應用，因而AI加速器AP出貨比重能否持續(xù)攀升，要看品牌能否推出更具吸引力的AI應用。

華為藍圖跟臺積電走 下一階段5納米+5G

不過外界也好奇，華為7納米之后，如何規(guī)劃其下一步芯片藍圖路線?日前華為海思平臺與關鍵技術開發(fā)部部長夏禹在公開演講時提到，因應對大帶寬與大算力的要求節(jié)節(jié)攀升，對信息系統(tǒng)中的硬件平臺而言，只有延續(xù)摩爾定律，不斷提高集成度、增加功能、提升性能，才能滿足市場發(fā)展提出的新需求。以智能手機來說，高性能移動設備用芯片仍然緊跟摩爾定律腳步。

據(jù)悉，華為的規(guī)劃，7納米芯片之后將往下一代推進5納米，若對照晶圓代工廠臺積電的技術規(guī)格設計，也不謀而合，臺積電未來工藝技術升級到5nm之后，芯片性能可望較7納米再提升15%，功耗約可降低20%。

夏禹表示，海思在網絡側單顆芯片集成度已經達到單芯片500億顆晶體管，這是為了因應在數(shù)據(jù)流量與帶寬方面的高性能要求，在固定網端，數(shù)據(jù)流量每年將保持23%的增長，5年后數(shù)據(jù)流量需求將達到現(xiàn)在3倍左右;在移動網端，將保持46%的增長率，5年后數(shù)據(jù)流量將是現(xiàn)在的7倍;而在數(shù)據(jù)中心側，增長速度更是驚人，每年翻倍，5年后數(shù)據(jù)流量將是現(xiàn)在的16倍。需要實現(xiàn)如此大的數(shù)據(jù)吞吐量，必須有高性能芯片。

越是逼近物理極限，每一代工藝節(jié)點演進都要付出極大的代價，當前，工藝演進最大的障礙在于功耗密度，夏禹指出，芯片設計“如果16納米芯片功耗密度為1，那么到5納米功耗密度就可能是10，芯片如何散熱，整個系統(tǒng)如何散熱，都將是半導體行業(yè)未來面臨的巨大挑戰(zhàn)?！?/p>

同時，工業(yè)界也一直尋找引進新材料與新結構來突破傳統(tǒng)工藝限制;比如在互連上，傳統(tǒng)一直用銅線，但到5納米工藝后也將引入新材料，夏禹認為，碳納米管和石墨烯機會很大。

她認為，自從FinFET工藝出現(xiàn)以來，芯片結構設計得以讓摩爾定律延續(xù)，芯片仍有長遠的發(fā)展空間，“技術發(fā)展還沒有到達極限。”

若是華為下一階段推進5納米通訊芯片，預計問世的時間點落在2019年，這也與華為其5G手機在2019年商用的規(guī)劃時間相契合。也就是說，對于手機廠家來說，7納米制程技術很可能是4G-5G之間的過渡，而下一世代的5G芯片真正會采用的很可能落在5納米節(jié)點。

日前，高通已正式宣布已經開始出樣新一代驍龍SoC芯片，確認則基于7納米工藝，并集成驍龍X50 5G基帶，成為其首批5G旗艦手機采用的平臺。