隨著數(shù)智時(shí)代的到來，在新一輪數(shù)字范式革命中，AI成為關(guān)鍵變量。AI技術(shù)在多模態(tài)、行業(yè)滲透及科學(xué)應(yīng)用上取得顯著進(jìn)展，2025年，全球AI競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)一步轉(zhuǎn)向垂直領(lǐng)域深度推理與行業(yè)知識(shí)融合。

中國(guó)科技企業(yè)在政策支持與市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)下，推出以深度求索（Deepseek）為代表的推理型AI模型，推動(dòng)技術(shù)從“生成”向“決策”躍遷，并在部分領(lǐng)域形成國(guó)際領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

DeepSeek在大語(yǔ)言模型優(yōu)化中，通過混合專家架構(gòu)、動(dòng)態(tài)稀疏路由等手段實(shí)現(xiàn)的技術(shù)突破，這些實(shí)踐突破了傳統(tǒng)封閉知識(shí)構(gòu)造與資源壟斷的局限。

但是，在使用AI的過程中可能都會(huì)遇到這個(gè)問題：服務(wù)器繁忙，請(qǐng)稍后重試…… 可以看出AI的進(jìn)步離不開硬件的支持。

人們驚嘆于AI的創(chuàng)造力，卻鮮少注意到支撐這場(chǎng)智能革命的硬件軍備競(jìng)賽，全球算力需求趕鴨子上架般驅(qū)使著服務(wù)器硬件體系不斷更新迭代。

在AI興起的環(huán)境下，當(dāng)前GPU、CPU對(duì)高算力需求迫切，需求正以每年10%甚至更高的速率增長(zhǎng)。

圖源：YOLE

一、MLCC(片式多層陶瓷電容)C位出道

區(qū)別于現(xiàn)代化其他服務(wù)器，AI服務(wù)器獨(dú)樹一幟，通過自己的異構(gòu)計(jì)算架構(gòu)大放異彩。

同時(shí)，由于算力的提升，GPU和CPU所需的晶管數(shù)量增多，功耗也快速上升。而服務(wù)器內(nèi)部類似電容、電阻、電感的各種電子元件，都是確保服務(wù)器穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵，MLCC也要同步優(yōu)化其特性護(hù)航GPU、CPU的使用安全。

而快速發(fā)展對(duì)基礎(chǔ)元器件提出了更高要求，其中就包括了MLCC（片式多層陶瓷電容器）。

MLCC作為"電子工業(yè)大米"，其國(guó)產(chǎn)化替代已成為國(guó)家戰(zhàn)略級(jí)命題。在這一進(jìn)程中，微容科技憑借其突破性技術(shù)布局和戰(zhàn)略卡位，正以?shī)^進(jìn)姿態(tài)重塑全球MLCC產(chǎn)業(yè)格局。

微容科技是一家專耕于MLCC二十年載的國(guó)產(chǎn)高端MLCC主要制造企業(yè)?；趯?duì)上下游行業(yè)的深入認(rèn)識(shí),微容科技自成立起定位做高端MLCC,全面布局生產(chǎn)車間、先進(jìn)設(shè)備、尖端人才和管理平臺(tái)等資源,快速突破高容量、車規(guī)、高頻、超微型等高端系列MLCC,成為高端系列主力供應(yīng)商之一。

二、AI服務(wù)器革新推動(dòng)MLCC共生革命

■ CPU(中央處理器)

在CPU(中央處理器)領(lǐng)域，隨著制程工藝演進(jìn)至5nm及以下節(jié)點(diǎn)，處理器核心數(shù)量增至128核以上，峰值功耗突破400W量級(jí)。

這將直接驅(qū)動(dòng)服務(wù)器平臺(tái)MLCC總?cè)葜祻牡谒拇脚_(tái)的40μF躍升至第五代平臺(tái)的120μF，實(shí)現(xiàn)200%的容量增幅。

■ GPU(圖形處理器)

GPU(圖形處理器)的技術(shù)演進(jìn)同樣凸顯出對(duì)高容值MLCC的依賴。

當(dāng)前旗艦級(jí)GPU計(jì)算卡搭載超過180億晶體管，運(yùn)算單元數(shù)量突破萬(wàn)級(jí)，帶來了800W+的典型板級(jí)功耗。

（來源于：網(wǎng)絡(luò)）

依據(jù)供應(yīng)鏈信息BOM表，僅前五顆料號(hào)用量已經(jīng)遠(yuǎn)超50%，單卡MLCC用量從H100的800余顆激增至GB200的1500顆左右，增幅超200%，由此可見，AI算力集群對(duì)于MLCC產(chǎn)品提出更高要求。

(節(jié)選自GB200 BOM表)

H100

GB200

基于AI硬件對(duì)微型化、高容值的雙重技術(shù)挑戰(zhàn)，微容科技實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破通過將多層陶瓷電容器（MLCC）電極層厚度精準(zhǔn)控制在1微米級(jí)，成功構(gòu)建超1000層堆疊結(jié)構(gòu)。

AI硬件對(duì)微型基于服務(wù)器客戶對(duì)MLCC小型化、更高可靠性及更高容量的需求，微容科技針性的推出以下AI解決方案產(chǎn)品：

0201 X6S 2.5V 2.2uF

0603 X6* 2.5V 47uF

0805 X6S 2.5V 100uF

1206 X6S 2.5V 220uF

等規(guī)格線產(chǎn)品，成功滿足了電子設(shè)備對(duì)于超小型化電子元件的嚴(yán)苛需求，220μF高容產(chǎn)品不僅填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，更獲得十余家行業(yè)龍頭認(rèn)證。

三、內(nèi)存技術(shù)提升驅(qū)動(dòng)配套

在高速存儲(chǔ)DDR領(lǐng)域中，DDR5的工作電壓降低（如1.1V），但瞬時(shí)電流需求更高，對(duì)電源穩(wěn)定供電能力要求更嚴(yán)格，需要提供更高的容值MLCC（如22μF以上）以穩(wěn)定供電。

DDR5支持更多獨(dú)立通道（如32/64通道），導(dǎo)致單條內(nèi)存模組的MLCC用量增加（可能較DDR4提升20%-30%）。

（DDR發(fā)展趨勢(shì)圖）

DDR5比上一代(DDR4)相比

封裝尺寸小型化和高容趨勢(shì)明顯

四、移動(dòng)終端微型化進(jìn)程加速

對(duì)于終端客戶，微容科技同樣以超精微的電子元件技術(shù)，為智能終端設(shè)備注入澎湃動(dòng)力。

在第五代移動(dòng)通信技術(shù)推動(dòng)下，智能手機(jī)MLCC正經(jīng)歷"小型化+高容化"雙重變革。

如下圖所示，Gen3平臺(tái)相較Gen2平臺(tái)在實(shí)現(xiàn)封裝尺寸縮減20%的同時(shí)，相同體積下容值密度提升達(dá)35%，1006/0805封裝也逐步被0603/0402微型化方案替代。

（Gen2 至 Gen4 趨勢(shì)圖）

微容科技精準(zhǔn)匹配各類終端復(fù)雜且多元的性能需求，推出了：

0201/2.2μF/10V

0201/4.7μF/6.3V

0402/22μF/6.3V

0603/22μF/16V

0805/100μF/X6S

1206/220μF/X6S

等規(guī)格產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于終端產(chǎn)品（AI服務(wù)器/AI PC/AI 手機(jī)等）和AI應(yīng)用組件部分（GPU，光模塊，DDR等），滿足人工智能高算力，高傳輸，大存儲(chǔ)要求，形成覆蓋"云-邊-端"的全場(chǎng)景產(chǎn)品矩陣。

五、聚焦科技前沿

AI 服務(wù)器作為算力基礎(chǔ)設(shè)施的核心載體，正成為全球科技競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略焦點(diǎn)。

據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)IDC預(yù)測(cè)，未來五年，全球服務(wù)器市場(chǎng)將迎來長(zhǎng)周期高速增長(zhǎng)，其中 AI 服務(wù)器將占據(jù)主導(dǎo)地位，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同升級(jí)。

（資料來源：集微咨詢）

微容科技正以高容、耐高溫、耐高壓且高可靠的產(chǎn)品矩陣，立足于中國(guó)大陸高端 MLCC 領(lǐng)域緊跟市場(chǎng)脈搏的半導(dǎo)體高新技術(shù)企業(yè)，通過持續(xù)創(chuàng)新深刻影響著國(guó)內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)格局，以技術(shù)突破推動(dòng)行業(yè)不斷革新，為 AI 時(shí)代提供核心支撐。

在這場(chǎng) AI 驅(qū)動(dòng)的硬件革命中，MLCC 的進(jìn)化軌跡揭示了一個(gè)關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)規(guī)律：技術(shù)革命的深度往往取決于基礎(chǔ)元件的進(jìn)化高度與速度。

當(dāng)我們驚嘆于 Deepseek的詩(shī)歌創(chuàng)作時(shí)，那些在納米級(jí)微觀世界構(gòu)筑智能基石的工程師們，正以靜默的創(chuàng)新力量，繪制出人類邁向 AGI 時(shí)代的宏偉藍(lán)圖。

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廣東微容電子科技股份有限公司