仁懋電子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P 增強(qiáng)型 MOSFET，集成 N 溝道與 P 溝道單元，憑借超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷特性，適用于計算設(shè)備電源管理、負(fù)載開關(guān)、快速無線充電、電機(jī)驅(qū)動等場景。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N+P 增強(qiáng)型 MOSFET（同時集成 N 溝道與 P 溝道單元）
• 核心參數(shù)：
  • N 溝道：
    • 漏源耐壓（\(BV_{DSS}\)）：30V；
    • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時 < 17mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)?時 < 22mΩ；
    • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：6A；
  • P 溝道：
    • 漏源耐壓（\(BV_{DSS}\)）：-30V；
    • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時 < 32mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)?時 < 45.5mΩ；
    • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：-6A（負(fù)電流表示 P 溝道電流方向）。

二、核心特性

• 超低導(dǎo)通電阻：N 溝道與 P 溝道均實現(xiàn)毫歐級導(dǎo)通電阻，大幅降低低壓大電流場景下的傳導(dǎo)損耗；
• 低柵極電荷：柵極電荷特性優(yōu)化，減少驅(qū)動電路功耗，支持高頻開關(guān)應(yīng)用；
• 無鉛環(huán)保封裝：采用無鉛引腳鍍層，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造需求；
• 多場景適配性：同時集成 N、P 溝道，可靈活應(yīng)用于互補(bǔ)對稱拓?fù)洌ㄈ缤仆?、橋式電路），簡?a href="http://m.sdkjxy.cn/v/tag/167/" target="_blank">電路設(shè)計。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

N 溝道參數(shù)

• 耐壓特性：漏源極電壓（\(V_{DS}\)）30V，柵源極電壓（\(V_{GS}\)）±20V；
• 電流特性：\(T_A=25^\circ\text{C}\)時連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）6A，\(T_A=70^\circ\text{C}\)時 5A，脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）24A；
• 功耗與熱特性：最大功率耗散（\(P_D\)）2W，結(jié) - 環(huán)境熱阻（\(R_{thJA}\)）62.5℃/W；
• 溫度范圍：工作 / 存儲結(jié)溫（\(T_J, T_{STG}\)）-55~+150℃。

P 溝道參數(shù)

• 耐壓特性：漏源極電壓（\(V_{DS}\)）-30V，柵源極電壓（\(V_{GS}\)）±20V；
• 電流特性：\(T_A=25^\circ\text{C}\)時連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）-6A，\(T_A=70^\circ\text{C}\)時 -5A，脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）-24A；
• 功耗與熱特性：最大功率耗散（\(P_D\)）2W，結(jié) - 環(huán)境熱阻（\(R_{thJA}\)）62.5℃/W；
• 溫度范圍：工作 / 存儲結(jié)溫（\(T_J, T_{STG}\)）-55~+150℃。

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：PDFN3X3 表面貼裝封裝，每卷 5000 片，適配高密度電路板的小型化設(shè)計需求；
• 典型應(yīng)用：
  • 計算設(shè)備電源管理：為服務(wù)器、筆記本的電源轉(zhuǎn)換回路提供高效開關(guān)控制；
  • 負(fù)載開關(guān)：用于各類電子設(shè)備的負(fù)載通斷管理，6A 電流能力支持中功率負(fù)載切換；
  • 快速無線充電：在無線充電系統(tǒng)的功率回路中，實現(xiàn)低損耗能量傳輸；
  • 電機(jī)驅(qū)動：為小型電機(jī)（如消費電子、工業(yè)控制電機(jī)）提供驅(qū)動控制，N+P 架構(gòu)簡化橋驅(qū)設(shè)計。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）