一、核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

工藝創(chuàng)新
采用銅繞組與磁性材料一體化共燒工藝，結(jié)合銅的高導(dǎo)電性與磁性材料的磁性能，實(shí)現(xiàn)高功率密度與小型化設(shè)計(jì)，突破傳統(tǒng)電感體積限制

材料特性升級(jí)

高溫穩(wěn)定性：使用高溫?zé)Y(jié)合金粉替代傳統(tǒng)低溫固化材料，磁導(dǎo)率（μi）、飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度（Bs）及導(dǎo)熱系數(shù)顯著提升，磁芯損耗大幅降低。

超低直流電阻（RDC）：電阻值優(yōu)化設(shè)計(jì)，有效減少能量損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率。

可靠性突破

耐久性測(cè)試：經(jīng)2400小時(shí)高溫負(fù)載測(cè)試，損耗增加率僅10%（傳統(tǒng)模壓電感損耗增加超350%）。

結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性：無(wú)磁粉脫落風(fēng)險(xiǎn)，徹底解決傳統(tǒng)電感因有機(jī)物老化導(dǎo)致的性能衰減問(wèn)題。

二、核心產(chǎn)品矩陣與性能

震東SMM系列：超薄化設(shè)計(jì)標(biāo)桿

厚度優(yōu)化：較傳統(tǒng)電感減薄30%-60%，適配超薄設(shè)備（如高端PC、AI服務(wù)器）的散熱風(fēng)道布局。

大電流支持：兼容VRM（電壓調(diào)節(jié)模塊）與TLVR（耦合電感多相供電）方案，滿(mǎn)足GPU/CPU等高算力芯片的瞬態(tài)大電流需求。

溫升控制：相同功耗下表面溫度降低10%，顯著改善散熱效率。

多相供電系統(tǒng)升級(jí)版

高集成度：專(zhuān)為AI服務(wù)器GPU供電設(shè)計(jì)，支持12V轉(zhuǎn)0.8V~1.3V寬范圍電壓調(diào)節(jié)。

綜合優(yōu)勢(shì)：低嘯叫、低電磁干擾（EMI）、低損耗，且節(jié)省40%以上PCB占板面積。

三、應(yīng)用場(chǎng)景覆蓋

AI服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心

核心應(yīng)用于GPU/CPU電源管理模塊，適配TLVR供電方案，實(shí)現(xiàn)高算力場(chǎng)景下的穩(wěn)定供電與散熱優(yōu)化。

消費(fèi)電子領(lǐng)域

賦能超薄筆記本、平板等設(shè)備電源模塊，通過(guò)減薄設(shè)計(jì)提升散熱效率并降低整機(jī)厚度。

工業(yè)與通信設(shè)備

滿(mǎn)足基站、工業(yè)電源等場(chǎng)景的寬溫工作需求，保障長(zhǎng)期負(fù)載下的高可靠性。

四、與傳統(tǒng)電感對(duì)比

五、市場(chǎng)布局與行業(yè)趨勢(shì)

震東電子戰(zhàn)略聚焦

將半導(dǎo)體模組磁性元器件納入四大技術(shù)平臺(tái)，重點(diǎn)攻堅(jiān)AI服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，已與多家頭部客戶(hù)達(dá)成量產(chǎn)合作。

行業(yè)增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)

AI算力需求激增推動(dòng)超薄、高功率電感滲透率提升，尤其在GPU供電與服務(wù)器電源領(lǐng)域成為關(guān)鍵組件。

半導(dǎo)體模組磁性元器件通過(guò)材料科學(xué)與工藝創(chuàng)新，在功率密度、可靠性及能效方面實(shí)現(xiàn)突破，成為AIoT時(shí)代高算力設(shè)備的核心電源解決方案，市場(chǎng)前景廣闊。

審核編輯 黃宇