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界面層創(chuàng)新:全固態(tài)鈉電池穩(wěn)定性實(shí)現(xiàn)突破性提升

Simon觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃山明 ? 2025-11-28 11:40 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站綜合報(bào)道
在可再生能源大規(guī)模普及的背景下,儲(chǔ)能技術(shù)成為保障能源供給穩(wěn)定的關(guān)鍵支撐。全固態(tài)鈉電池憑借顯著的成本優(yōu)勢(shì)和高安全性,在大規(guī)模儲(chǔ)能領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景,其中NASICON型固體電解質(zhì)因高鈉離子電導(dǎo)率和優(yōu)異熱穩(wěn)定性,成為全固態(tài)鈉電池的核心材料選擇。然而,固體電解質(zhì)與鈉金屬負(fù)極之間的高界面阻抗,以及充放電過(guò)程中鈉枝晶生長(zhǎng)導(dǎo)致的短路風(fēng)險(xiǎn),長(zhǎng)期制約著全固態(tài)鈉電池的實(shí)際產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

為破解這一技術(shù)瓶頸,研究者們探索了多種解決方案,而引入人工界面層被證實(shí)是降低界面阻抗、抑制鈉枝晶生長(zhǎng)的有效路徑。孫華章、萬(wàn)紅利、姚霞銀團(tuán)隊(duì)通過(guò)磁控濺射技術(shù),在Na?.?Zr?.?Zn?.?Si?.?P?.?O??(NZZSPO)固體電解質(zhì)表面構(gòu)建了均勻致密的In?S?界面層。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)的核心優(yōu)勢(shì)在于,In?S?界面層能與鈉金屬負(fù)極原位反應(yīng),形成Na-In合金/Na?S界面層,從根本上改善電解質(zhì)與負(fù)極的界面兼容性。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,In?S?界面層的引入帶來(lái)了顯著的性能優(yōu)化。NZZSPO固體電解質(zhì)的表面粗糙度從385nm降低至222nm,更光滑的表面增強(qiáng)了與鈉金屬的物理接觸,減少了局部電流集中。

熔融鈉潤(rùn)濕性測(cè)試表明,未改性的NZZSPO電解質(zhì)表面,熔融鈉呈球狀,接觸角超過(guò)90°,而改性后的NZZSPO@In?S?電解質(zhì)表面,熔融鈉能夠均勻擴(kuò)散平鋪,親鈉性大幅提升。電化學(xué)阻抗測(cè)試進(jìn)一步證實(shí),界面阻抗從2.0Ω顯著降至0.7Ω,循環(huán)100h后僅略微增加至1.1Ω,有效促進(jìn)了鈉離子的快速傳輸,減少了界面副反應(yīng)。

在關(guān)鍵的鈉枝晶抑制能力方面,改性后的電池表現(xiàn)尤為突出。60℃條件下,未改性的 Na|NZZSPO|Na對(duì)稱(chēng)電池臨界電流密度僅為2.6mA/cm2,而采用1.0μm厚In?S?界面層的Na|In?S?@NZZSPO@In?S?|Na對(duì)稱(chēng)電池,臨界電流密度提升至8.2mA/cm2,增幅達(dá)215%。

室溫環(huán)境下,臨界電流密度也從1.6mA/cm2提升至2.2mA/cm2,展現(xiàn)出寬溫度范圍的優(yōu)異性能。循環(huán)穩(wěn)定性測(cè)試中,60℃、5mA/cm2條件下,改性對(duì)稱(chēng)電池可穩(wěn)定運(yùn)行2000h,過(guò)電位僅從30mV略微增至33mV;即使在室溫、1.5mA/cm2條件下,也能實(shí)現(xiàn)1500h的穩(wěn)定循環(huán),而未改性電池在3mA/cm2下僅55h就發(fā)生短路。

全固態(tài)電池的綜合電化學(xué)性能同樣實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。采用Na?V?(PO?)?(NVP)作為正極的NVP|NZZSPO@In?S?|Na全固態(tài)電池,0.1C倍率下初始放電比容量達(dá)108.6mAh/g,庫(kù)侖效率為95.4%,循環(huán)100次后容量保持率為94.8%。

即使在1C的高倍率下,循環(huán)1000次后容量保持率仍高達(dá)88.8%,遠(yuǎn)超未改性電池39.1%的容量保持率。倍率性能測(cè)試中,從0.1C到5C的寬倍率范圍內(nèi),改性電池的放電比容量均顯著優(yōu)于未改性電池,當(dāng)倍率恢復(fù)至0.2C時(shí),仍能展現(xiàn)94.7mAh/g的可逆放電比容量,體現(xiàn)出優(yōu)異的倍率適應(yīng)性。

這一技術(shù)突破的核心價(jià)值在于,通過(guò)簡(jiǎn)單有效的界面層設(shè)計(jì),同步解決了全固態(tài)鈉電池的界面阻抗和鈉枝晶兩大核心痛點(diǎn)。In?S?界面層與鈉金屬原位形成的Na-In/Na?S復(fù)合界面,既提升了界面潤(rùn)濕性、降低了阻抗,又構(gòu)建了抑制鈉枝晶生長(zhǎng)的物理屏障,為全固態(tài)鈉電池的性能優(yōu)化提供了全新思路。該研究不僅驗(yàn)證了In?S?作為界面改性材料的巨大潛力,更為高性能全固態(tài)鈉電池的研發(fā)提供了可復(fù)制的技術(shù)路徑。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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