威兆半導體推出的VS40200AT是一款面向 40V 低壓超大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 直插封裝，憑借超低導通電阻與 200A 大電流承載能力，適配低壓超大電流 DC/DC 轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值2.5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值3.5mΩ，低壓場景下傳導損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時200A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為142A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：800A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• 極致低導通電阻：2.5~3.5mΩ 低阻設計，大幅降低低壓超大電流場景下的傳導損耗；
• 高電流承載能力：200A 連續(xù)電流 + 800A 脈沖電流，適配大功率設備的電源控制；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 300mJ，感性負載開關場景下穩(wěn)定性優(yōu)異；
• 環(huán)保合規(guī)：采用無鉛引腳鍍層，滿足無鹵要求且符合 RoHS 標準，適配綠色電子制造需求。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-220AB 直插封裝，包裝規(guī)格為 50pcs/Tube，適配大電流散熱需求的電路設計；
• 典型應用：
  • 低壓超大電流 DC/DC 轉換器：在 40V 級降壓拓撲中作為主開關管；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)：為工業(yè)設備、儲能系統(tǒng)的低壓電源分配環(huán)節(jié)提供開關控制；
  • 大功率負載開關：支持 200A 級負載的通斷管理。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）