威兆半導(dǎo)體推出的VS1696GTH是一款面向 100V 中壓超大電流場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 直插封裝，適配中壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類(lèi)型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值1.2mΩ，中壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗近乎極致；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 結(jié)溫約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：278A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為187A；
    • 環(huán)境溫約束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：112A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)時(shí)降額為76A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：1112A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿(mǎn)足負(fù)載瞬時(shí)超大電流需求。

二、核心特性

• 極致低導(dǎo)通電阻：1.2mΩ 阻性表現(xiàn)，大幅降低中壓大電流場(chǎng)景的傳導(dǎo)損耗；
• 高可靠性：通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試與 100% Rg 測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 4817mJ，抗沖擊能力極強(qiáng)；
• 優(yōu)化開(kāi)關(guān)損耗：通過(guò) Osg、Ogd 等參數(shù)優(yōu)化，降低高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的損耗；
• 環(huán)保合規(guī)：滿(mǎn)足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：TO-220AB 直插封裝，包裝規(guī)格為 50pcs/Tube，適配大電流散熱需求的電路設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 100V 級(jí)中壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器主開(kāi)關(guān)管；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)的功率開(kāi)關(guān)；
  • 工業(yè)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)的超大電流負(fù)載通斷控制。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）