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LS0502SCD33超級(jí)電容器保護(hù)IC:備份電源應(yīng)用的理想之選

h1654155282.3538 ? 2025-12-16 10:10 ? 次閱讀
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LS0502SCD33超級(jí)電容器保護(hù)IC:備份電源應(yīng)用的理想之選

作為電子工程師,在設(shè)計(jì)需要備份電源的系統(tǒng)時(shí),我們常常面臨著諸多挑戰(zhàn),比如惡劣環(huán)境下的電源穩(wěn)定性、長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間的需求以及對(duì)系統(tǒng)的全面保護(hù)等。今天,就來(lái)和大家分享一款功能強(qiáng)大的超級(jí)電容器保護(hù)IC——LS0502SCD33,它能為我們的設(shè)計(jì)提供靈活、集成且緊湊的解決方案。

文件下載:Littelfuse LS0502SCD33超級(jí)電容器保護(hù)IC.pdf

1. 產(chǎn)品概述

LS0502SCD33是一款專為帶有備份存儲(chǔ)電容器電容器組的系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完整解決方案。它集成了輸入過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)電路、反向阻斷開(kāi)關(guān)和超級(jí)電容器充電控制電路,還具備內(nèi)置的電池平衡功能,可對(duì)雙電池超級(jí)電容器系統(tǒng)提供保護(hù)。該IC采用DFN3X3 - 10封裝,具有較小的解決方案尺寸。

2. 關(guān)鍵特性與優(yōu)勢(shì)

2.1 寬電壓范圍與高輸入耐壓

  • 系統(tǒng)電壓:支持3.3 V至5.5 V的系統(tǒng)電壓,能適應(yīng)多種不同的應(yīng)用場(chǎng)景。
  • 輸入耐壓:具有18 V的輸入額定值,并配備過(guò)壓保護(hù)功能,可有效防止輸入電壓過(guò)高對(duì)系統(tǒng)造成損壞。

2.2 可編程參數(shù)

  • 電容電壓范圍:可編程的1.1 V至5.3 V電容電壓范圍,可根據(jù)實(shí)際需求靈活調(diào)整。
  • 充電電流:支持可編程的超級(jí)電容器充電電流,最大充電電流可達(dá)350 mA,實(shí)現(xiàn)快速充電。
  • 輸入過(guò)流保護(hù):可編程的輸入過(guò)流保護(hù)功能,可根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)置合適的過(guò)流保護(hù)閾值。

2.3 自動(dòng)電池平衡

集成的自動(dòng)電池平衡電路可在充電時(shí)持續(xù)監(jiān)測(cè)電池電壓,并將兩個(gè)電池的電壓保持在同一水平,確保電池的安全和穩(wěn)定運(yùn)行。

2.4 低靜態(tài)電流

在待機(jī)狀態(tài)下,電路僅消耗2.5 μA的電流,有助于延長(zhǎng)系統(tǒng)的待機(jī)時(shí)間,滿足長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間的需求。

2.5 其他優(yōu)勢(shì)

  • 高達(dá)2 A的放電電流,可滿足系統(tǒng)在備份電源模式下的高功率需求。
  • 可編程的電壓和電流閾值,且閾值精度為±2 %,保證了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

3. 引腳功能詳解

引腳編號(hào) 引腳名稱 描述
1 VIN 輸入電源,需連接到5 V系統(tǒng)電源軌,并通過(guò)一個(gè)10 μF的電容器旁路到地。
2 PFB 輸入電壓感應(yīng)輸入,連接到從VIN到地的電阻分壓器的中心點(diǎn),與內(nèi)部1.2 V參考電壓進(jìn)行比較。當(dāng)PFB低于1.2 V時(shí),PFLTB將拉高以指示輸入電源故障。
3 ILIMT 輸入過(guò)流保護(hù)設(shè)置引腳,通過(guò)連接一個(gè)電阻到地來(lái)設(shè)置輸入過(guò)流保護(hù)級(jí)別。如果ILIMT短路到地,輸入電流限制設(shè)置為3 A;如果ILIMT浮空,輸入電流限制為0 A。
4 ICHG 充電電流輸入,用于設(shè)置超級(jí)電容器充電的最大電流水平。推薦充電電流小于350 mA(R > 10 k)。
5 GND 接地。
6 PFLTB 開(kāi)漏輸入電源故障指示器,當(dāng)PFB下降到1.2 V以下或(VIN - VSYS)超過(guò)360 mV時(shí),PFLTB變低。需連接到外部上拉電阻。
7 CFB VCAP反饋,連接到從VCAP到地的電阻分壓器的上點(diǎn)。當(dāng)CFB電壓高于1.1 V時(shí),停止對(duì)超級(jí)電容器充電。
8 VMID 超級(jí)電容器平衡點(diǎn),連接到兩個(gè)堆疊超級(jí)電容器的中心點(diǎn)。
9 VCAP 超級(jí)電容器連接到兩個(gè)超級(jí)電容器堆疊的頂部點(diǎn)。
10 VSYS 內(nèi)部系統(tǒng)的電源軌,當(dāng)存在有效輸入電源時(shí),從VIN獲取電源;當(dāng)輸入電源故障時(shí),由連接到VCAP的超級(jí)電容器提供電源。

4. 絕對(duì)最大額定值與熱信息

4.1 絕對(duì)最大額定值

不同引腳到地的電壓范圍有所不同,例如VCAP、VSYS、PFLTB到地為 - 0.3至 + 6 V,VIN到地為 - 0.3至 + 18 V等。同時(shí),還規(guī)定了ESD等級(jí)、焊接溫度、結(jié)溫范圍和存儲(chǔ)溫度范圍等參數(shù),在設(shè)計(jì)時(shí)需嚴(yán)格遵守這些額定值,以確保IC的安全運(yùn)行。

4.2 熱信息

在25°C時(shí),最大功耗為2.3 W,熱阻也有相應(yīng)的規(guī)定。最大允許功耗是最大結(jié)溫、結(jié)到環(huán)境的熱阻和環(huán)境溫度的函數(shù),超過(guò)最大允許功耗會(huì)導(dǎo)致芯片溫度過(guò)高,穩(wěn)壓器將進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)。

5. 推薦工作條件

輸入電壓范圍為 + 3.3至 + 5.5 V,電容電壓范圍為 + 0.8至 + 5.5 V,工作溫度范圍為 - 40至 + 85°C,結(jié)溫范圍為 - 40至 + 125°C。在這些推薦工作條件下,IC能保證正常工作。

6. 電氣特性

6.1 輸入相關(guān)特性

  • 輸入電壓范圍為3.3 V至5.5 V。
  • 輸入過(guò)壓保護(hù)閾值電壓在VIN上升時(shí),最小值為5.6 V,最大值為6.4 V,過(guò)壓滯回為0.4 V。
  • 輸入過(guò)流保護(hù)方面,不同條件下有不同的過(guò)流水平,最大輸入過(guò)流水平在VIN > 4.2 V且ILIMT連接到地時(shí)為3 A。

6.2 充電與放電特性

  • 超級(jí)電容器充電停止的Vcr閾值電壓為1.04至1.12 V,Vcr滯回為40 mV。
  • 不同充電電阻和電容電壓下,充電電流有所不同,例如RCH = 33 kΩ,VCAP = 3 V時(shí),充電電流為75至125 mA。
  • 充電/放電PMOS的導(dǎo)通電阻為100 mΩ。

6.3 其他特性

還包括CFB調(diào)節(jié)參考電壓、CFB泄漏電流、電容電壓鉗位、最大電容堆疊電壓等特性,這些特性共同保證了IC的穩(wěn)定運(yùn)行。

7. 典型性能特性

文檔中給出了多個(gè)典型性能特性圖,如充電器電流與VCAP電壓的關(guān)系、充電器VIN上電和下電的情況、充電時(shí)間和放電時(shí)間等。通過(guò)這些圖表,我們可以更直觀地了解IC在不同條件下的性能表現(xiàn),有助于我們?cè)谠O(shè)計(jì)中進(jìn)行參數(shù)的優(yōu)化和調(diào)整。

8. 應(yīng)用場(chǎng)景

LS0502SCD33適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,如手持工業(yè)設(shè)備、行車記錄儀、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能電表以及帶有可拆卸電池的便攜式設(shè)備等。在這些應(yīng)用中,它能為系統(tǒng)提供可靠的備份電源保護(hù),確保系統(tǒng)在主電源故障時(shí)仍能正常運(yùn)行。

9. 工作狀態(tài)分析

系統(tǒng)具有四種狀態(tài):待機(jī)狀態(tài)、充電狀態(tài)、放電狀態(tài)和欠壓鎖定(UVLO)狀態(tài)。

9.1 待機(jī)狀態(tài)

當(dāng)滿足一定條件時(shí),系統(tǒng)進(jìn)入待機(jī)狀態(tài),此時(shí)M3 FET應(yīng)保持關(guān)閉,M3體二極管需根據(jù)VSYS和VCAP電壓進(jìn)行切換。

9.2 充電狀態(tài)

當(dāng)VSYS > VCAP,VIN可用且正常,VCAP低于設(shè)置點(diǎn),且兩個(gè)超級(jí)電容器均低于過(guò)壓保護(hù)點(diǎn)時(shí),系統(tǒng)進(jìn)入充電狀態(tài)。在該狀態(tài)下,M3將以ICHG設(shè)置的電流限制關(guān)閉,并需考慮輸入DPPM和軟充電結(jié)束等特性。

9.3 放電狀態(tài)

當(dāng)PFB低于閾值時(shí),認(rèn)為輸入電源消失,此時(shí)OVP FET和理想二極管關(guān)閉,功率路徑控制FET M3打開(kāi),將VCAP連接到VSYS。從充電模式或待機(jī)模式到放電模式的轉(zhuǎn)換應(yīng)平滑,且不能讓VSYS下降過(guò)多,同時(shí)為了延長(zhǎng)工作時(shí)間,靜態(tài)電流需低于1 μA。

9.4 UVLO狀態(tài)

當(dāng)系統(tǒng)長(zhǎng)時(shí)間依靠超級(jí)電容器運(yùn)行而未充電,最終VCAP下降到過(guò)低無(wú)法維持系統(tǒng)功能時(shí),系統(tǒng)進(jìn)入U(xiǎn)VLO狀態(tài),此時(shí)所有電路關(guān)閉,只有當(dāng)VIN恢復(fù)供電時(shí),該狀態(tài)才能清除。

10. PCB布局與焊接參數(shù)

10.1 PCB布局

高電流路徑(GND、VIN、VSYS和VCAP)應(yīng)靠近IC,使用短、直且寬的走線。輸入電容器和VSYS電容器應(yīng)盡可能靠近VIN/VSYS和GND引腳,VIN和GND焊盤應(yīng)使用大面積銅連接,并至少使用兩層進(jìn)行IN和GND走線,以實(shí)現(xiàn)更好的熱性能。同時(shí),可在VIN和GND焊盤附近添加多個(gè)過(guò)孔以幫助散熱。強(qiáng)烈推薦采用四層布局。

10.2 焊接參數(shù)

對(duì)焊接過(guò)程中的平均升溫速率、預(yù)熱與浸泡溫度和時(shí)間、高于特定溫度的時(shí)間、峰值溫度、在峰值溫度附近的時(shí)間、降溫速率以及從25°C到峰值溫度的時(shí)間等參數(shù)都有明確規(guī)定,需嚴(yán)格按照這些參數(shù)進(jìn)行焊接操作,以確保焊接質(zhì)量。

11. 訂購(gòu)信息

該產(chǎn)品的型號(hào)為L(zhǎng)S0502SCD33,標(biāo)記為0502SC,采用DFN3x3_10L封裝,最小訂購(gòu)數(shù)量為5000/Tape& Reel。同時(shí),對(duì)于不同封裝厚度和體積,有相應(yīng)的分類溫度規(guī)定。

LS0502SCD33超級(jí)電容器保護(hù)IC憑借其豐富的功能、靈活的可編程性和出色的性能,為備份電源應(yīng)用提供了一個(gè)全面而可靠的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理利用其各項(xiàng)特性,并嚴(yán)格遵循其電氣參數(shù)和布局焊接要求,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用這款I(lǐng)C的過(guò)程中,有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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