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AI存儲(chǔ)需求猛增,美光2026財(cái)年Q1業(yè)績(jī)飆升57%!明年HBM3E產(chǎn)能告罄

章鷹觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友原創(chuàng) ? 作者:章鷹 ? 2025-12-18 13:45 ? 次閱讀
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(電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹)12月17日,美國(guó)存儲(chǔ)大廠美光科技公布2026財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)(截止11月27日的三個(gè)月),受惠于AI數(shù)據(jù)中心需求爆發(fā),AI服務(wù)器對(duì)HBM和DDR5強(qiáng)勁需求,美光在2026財(cái)年第一季度營(yíng)收達(dá)到136.4億美元,同比飆升57%,凈利潤(rùn)達(dá)到52.4億美元,去年同期34.69億美元,同比增長(zhǎng)49%。

美光業(yè)績(jī)炸裂,顯示AI驅(qū)動(dòng)的內(nèi)存超級(jí)周期已到了主力升級(jí)階段。激勵(lì)盤后股價(jià)飆漲 8.11%。

云存儲(chǔ)營(yíng)收飆升,2026財(cái)年Q2業(yè)績(jī)上看187億美元

美光科技公司是美國(guó)最大的存儲(chǔ)器公司,也是全球領(lǐng)先的DRAM、NOR和NAND存儲(chǔ)器供應(yīng)商。隨著AI 基礎(chǔ)建設(shè)熱潮推升對(duì)晶片的龐大需求,近月來(lái)AI對(duì)HBM需求強(qiáng)勁,半導(dǎo)體供應(yīng)持續(xù)吃緊。

財(cái)報(bào)披露,第一季度美光云存儲(chǔ)事業(yè)部營(yíng)收達(dá)到52.8億美元,同比翻倍。數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)營(yíng)收23.79億美元,同比增長(zhǎng)4%;而移動(dòng)與客戶業(yè)務(wù)營(yíng)收達(dá)到42.55億美元,汽車與嵌入式業(yè)務(wù)部門營(yíng)收達(dá)到17.2億美元。

展望2026財(cái)年第二季度,美光預(yù)計(jì)第二財(cái)季營(yíng)收將在187億美元,上下浮動(dòng)4億美元,遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期的143億美元。

“在2026財(cái)年第一財(cái)季,美光公司整體以及旗下所有業(yè)務(wù)部門均實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的營(yíng)收和顯著的利潤(rùn)率增長(zhǎng),”美光科技董事長(zhǎng)、總裁兼首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉表示。

“我們預(yù)計(jì)第二財(cái)季的營(yíng)收、毛利率、每股收益和自由現(xiàn)金流均將創(chuàng)下歷史新高,并有望在2026財(cái)年之前保持強(qiáng)勁的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。憑借技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)、差異化的產(chǎn)品組合和強(qiáng)大的運(yùn)營(yíng)能力,美光已成為人工智能領(lǐng)域不可或缺的賦能者,我們也將加大投資,以滿足客戶日益增長(zhǎng)的內(nèi)存和存儲(chǔ)需求?!?/p>

針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心,美光推出SOCAMM!2026年HBM3E產(chǎn)能提前售罄

美光科技的芯片是數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、個(gè)人電腦、智能手機(jī)和汽車等各種產(chǎn)品的基礎(chǔ)組件。同時(shí),它也是僅有的三大高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片供應(yīng)商之一,另外兩家是韓國(guó)的SK海力??士和三星電子。HBM芯片對(duì)于訓(xùn)練和部署生成式人工智能模型至關(guān)重要。

2025年3月25日,美光發(fā)布了其用于英偉達(dá) GB300 Grace Blackwell Ultra 超級(jí)芯片的LPDRAM SOCAMM內(nèi)存,10月23日,美光科技宣布其 192GB SOCAMM2已正式送樣,以積極拓展低功耗內(nèi)存在 AI 數(shù)據(jù)中心的廣泛應(yīng)用。


圖片來(lái)自美光科技官方微信

新一代 SOCAMM2 則在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了功能的進(jìn)一步拓展,在相同的規(guī)格尺寸中實(shí)現(xiàn) 50% 的容量提升,增加的容量可以將實(shí)時(shí)推理工作負(fù)載中首個(gè) token 生成時(shí)間(TTFT)顯著縮短 80% 以上。192GB SOCAMM2 采用美光領(lǐng)先的 1-gamma DRAM 制程技術(shù),能效提高 20% 以上,有助于實(shí)現(xiàn)大型數(shù)據(jù)中心集群的電源設(shè)計(jì)優(yōu)化。

美光針對(duì) HGX B300 平臺(tái)打造的HBM3E 12H 36GB、用于 HGX B200 平臺(tái)的HBM3E 8H 24GB已量產(chǎn)出貨。Needham證券分析師N. Quinn Bolton補(bǔ)充說(shuō),美光2026年的HBM3E、HBM4產(chǎn)能都已提前售罄,而高帶寬內(nèi)存(HBM)的毛利率也高于DRAM。

在與投資者的電話會(huì)議上,美光首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉表示,他預(yù)計(jì)到 2026 年以后,存儲(chǔ)器市場(chǎng)仍將保持緊張狀態(tài),并且在中期內(nèi),美光預(yù)計(jì)只能滿足幾個(gè)主要客戶一半到三分之二的需求。

美光高管表示,公司正在與主要客戶談判多年期合同,并將2026年的資本支出計(jì)劃從之前的180億美元增加到200億美元。

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