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成都匯陽投資關(guān)于AI 算力引爆需求,存儲(chǔ)芯片漲價(jià)周期來襲

話說科技 ? 來源:話說科技 ? 作者:話說科技 ? 2026-03-27 17:12 ? 次閱讀
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AI 算力黑洞來襲 ,存儲(chǔ)需求呈爆炸式增長(zhǎng)

AI算力基礎(chǔ)設(shè)施的爆發(fā)成為存儲(chǔ)芯片需求的核心驅(qū)動(dòng)力,單臺(tái) AI服務(wù)器 DRAM 用量是普通服務(wù)器的 8-10倍,HBM更是成為高端AI芯片的標(biāo)配組件。2026年全球AI 服務(wù)器出貨量預(yù)計(jì)同比激增 180%,云廠 商資本開支同比提升40%至6000億美 元 ,算力建設(shè)的加速直接推動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求進(jìn)入指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)階段。

與此同時(shí),全球頭部云廠商、AI 企業(yè)對(duì)高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的搶單行為持續(xù)升級(jí),為保障供應(yīng)鏈穩(wěn)定,多家企業(yè)與存儲(chǔ)大廠簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議,進(jìn)一步推高行業(yè)景氣度 。AI 應(yīng)用從訓(xùn)練端向推理端快速落地 ,邊緣計(jì)算、 智能終端等場(chǎng)景的存儲(chǔ)需求同步釋放 ,形成全場(chǎng)景需求共振 ,存儲(chǔ)芯片行業(yè)迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇 。

供給端: 產(chǎn)能受限 + 結(jié)構(gòu)調(diào)整 ,短缺格局難逆轉(zhuǎn)

全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)呈現(xiàn)總產(chǎn)能無新增 、先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端的雙重供給約束 。2026 年行業(yè)幾乎無新增產(chǎn)能落地 ,核心原因在于存儲(chǔ)芯片產(chǎn)線建設(shè)周期長(zhǎng)達(dá) 18-24 個(gè)月,前期行業(yè)下行周期的擴(kuò)產(chǎn)放緩直接導(dǎo)致 當(dāng)前產(chǎn)能缺口 。 同時(shí) ,三星 、SK 海力士 、 美光三大全球存儲(chǔ)巨頭的 70%以上先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 HBM、 高端服務(wù)器 DRAM 等高毛利率產(chǎn)品 , 消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)能被大幅擠壓 ,結(jié)構(gòu)性短缺問題凸顯。

此外,三大巨頭當(dāng)前庫存僅維持在3-4周水平 ,遠(yuǎn)低于 8-12周的行業(yè)安全庫存線 ,庫存低位疊加產(chǎn)能調(diào)倉,使得存儲(chǔ)芯片供給端的緊張局面在2027年上半年前難以緩解 。

價(jià)格端: 全線大漲 ,漲價(jià)趨勢(shì)延續(xù)

在供需失衡的推動(dòng)下 ,存儲(chǔ)芯片價(jià)格開啟超級(jí)漲價(jià)周期 。2026年開年以來 ,DRAM和NAND Flash 價(jià)格創(chuàng) 下 2016 年以來最高水平,部分型號(hào)累計(jì)漲幅高達(dá) 369%;三星 、SK 海力士等大廠 Q1 DRAM 供應(yīng)價(jià)格漲幅超 100% ,NAND Flash 主流型號(hào)漲價(jià)超 50% ,HBM 因 技術(shù)壁壘高 、產(chǎn)能稀缺 ,價(jià)格漲幅 突破 170%。

機(jī)構(gòu)一致判斷 ,存儲(chǔ)芯片漲價(jià)趨勢(shì)至少延續(xù)至 2027 年上半年 ,核心邏輯在于供需缺口的持續(xù)存在 ,以及 AI 算力 、數(shù)據(jù)中心等下游需求的長(zhǎng)期增長(zhǎng)支撐 。

國(guó)產(chǎn)替代加速 ,全產(chǎn)業(yè)鏈迎來發(fā)展良機(jī)

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片行業(yè)國(guó)產(chǎn)化率從 2023年的12% 快速提升至2026年的 29% ,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 、 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 DRAM、NAND Flash 領(lǐng)域的產(chǎn)能持續(xù)爬坡 ,核心產(chǎn)品良率穩(wěn)步提升 ,逐步實(shí)現(xiàn)對(duì)消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)市場(chǎng)的進(jìn)口替代,部分高端產(chǎn)品已進(jìn)入服務(wù)器、AI終端供應(yīng)鏈。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的 突破不僅帶動(dòng)設(shè)計(jì)、 制造環(huán)節(jié)發(fā)展 ,更推動(dòng)模組、 封測(cè) 、材料 、設(shè)備等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)迎來爆發(fā) ,國(guó) 內(nèi)企業(yè)在存儲(chǔ)模組 、 內(nèi)存接 口 芯片 、 先進(jìn)封裝 、 光刻膠 、CMP 拋光液等領(lǐng)域的市場(chǎng)份額持續(xù)提升 , 國(guó)產(chǎn)替代成為行業(yè)發(fā)展的重要主線。

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免責(zé)聲明:以上信息出自匯陽研究部,內(nèi)容不做具體操作指導(dǎo),客戶亦不應(yīng)將其作為投資決策的唯一參考因素。據(jù)此買入,責(zé)任自負(fù),股市有風(fēng)險(xiǎn),投資需謹(jǐn)慎。

審核編輯 黃宇

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