12月4日，2025行家說(shuō)三代半年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳隆重舉辦。江蘇宏微科技股份有限公司CTO、上海宏微愛(ài)賽半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理崔崧應(yīng)邀出席，與行業(yè)精英齊聚一堂，共話寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新機(jī)遇。

論壇期間，崔崧發(fā)表了《氮化鎵器件賦能人形機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)發(fā)展》的主題報(bào)告，憑借深厚的技術(shù)積淀和對(duì)行業(yè)趨勢(shì)的敏銳洞察，向現(xiàn)場(chǎng)嘉賓分享了GaN（氮化鎵）技術(shù)在人形機(jī)器人應(yīng)用中的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)及最新進(jìn)展，引發(fā)了廣泛關(guān)注與熱烈討論。

GaN器件：人形機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)的性能“加速器”

人形機(jī)器人的關(guān)節(jié)電機(jī)對(duì)器件的高頻、高效和高功率密度要求極為嚴(yán)苛。而GaN器件憑借自身卓越的材料特性，正成為突破關(guān)節(jié)電機(jī)性能瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。

在高頻特性方面，GaN器件的開關(guān)速度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基器件，能夠顯著提升關(guān)節(jié)電機(jī)的響應(yīng)速度，讓機(jī)器人動(dòng)作更敏捷、精準(zhǔn)，更好地適應(yīng)復(fù)雜場(chǎng)景下的靈活運(yùn)動(dòng)需求。高效特性則意味著GaN器件在能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中損耗更低，可有效提高關(guān)節(jié)電機(jī)的能效，延長(zhǎng)機(jī)器人的續(xù)航時(shí)間，這對(duì)于依賴電池供電的人形機(jī)器人而言至關(guān)重要。此外，高功率密度使GaN器件在更小的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出，有助于關(guān)節(jié)電機(jī)的小型化、輕量化設(shè)計(jì)，進(jìn)一步優(yōu)化人形機(jī)器人的整體結(jié)構(gòu)與運(yùn)動(dòng)性能。

宏微愛(ài)賽：積極布局，助力下一代機(jī)器人發(fā)展

面對(duì)人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)的廣闊前景，宏微愛(ài)賽已率先行動(dòng)。作為宏微科技布局第三代半導(dǎo)體的重要載體，宏微愛(ài)賽自成立以來(lái)專注于GaN芯片設(shè)計(jì)及器件開發(fā)與應(yīng)用 。目前，公司正針對(duì)人形機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)的特殊需求，積極開發(fā)高性能GaN器件。憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域多年的技術(shù)積累和研發(fā)實(shí)力，宏微愛(ài)賽致力于打造更貼合應(yīng)用場(chǎng)景、性能更卓越的GaN解決方案，為下一代高性能人形機(jī)器人的發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

未來(lái)，宏微科技將持續(xù)深耕GaN等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)合作，以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和解決方案賦能更多新興領(lǐng)域，為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量！

關(guān)于宏微

江蘇宏微科技股份有限公司（英文名MACMIC）成立于2006年，主營(yíng)業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造及銷售，主要產(chǎn)品包括 IGBT、MOSFET、FRD、SiC 等芯片、分立器件、模塊等功率半導(dǎo)體器件。公司自產(chǎn) IGBT、FRD、SiC 芯片技術(shù)已達(dá)國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，打破國(guó)外壟斷，填補(bǔ)了多項(xiàng)國(guó)內(nèi)空白。宏微科技是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)之一, 2021年，成功登陸科創(chuàng)板，股票代碼 688711。