在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充因適配筆記本、便攜式儲(chǔ)能等高頻需求，成為市場(chǎng)增長(zhǎng)核心賽道。而650V GaN HEMT作為快充方案的核心器件，長(zhǎng)期被英諾賽科INN650D02等進(jìn)口型號(hào)主導(dǎo)，存在成本高、供貨周期不穩(wěn)定、技術(shù)支持滯后等痛點(diǎn)。如今，深圳爭(zhēng)妍微電子推出的650V GaN HEMT，憑借高頻低損耗、精準(zhǔn)參數(shù)匹配優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)對(duì)英諾賽科INN650D02的國(guó)產(chǎn)替代，為快充企業(yè)降本增效、自主可控提供關(guān)鍵支撐。對(duì)此，深圳爭(zhēng)妍微電子李學(xué)會(huì)總經(jīng)理結(jié)合第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)與企業(yè)布局，分享了深度洞察。

李學(xué)會(huì)總經(jīng)理直言：“消費(fèi)電子快充已進(jìn)入‘高頻化、大功率化’時(shí)代，GaN器件作為核心升級(jí)方向，其國(guó)產(chǎn)替代不僅是企業(yè)成本訴求，更是產(chǎn)業(yè)鏈安全的關(guān)鍵。英諾賽科INN650D02能占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)，核心在于先發(fā)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，但進(jìn)口器件的供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)的技術(shù)服務(wù)響應(yīng)慢等問(wèn)題，讓國(guó)內(nèi)快充企業(yè)備受困擾。深圳爭(zhēng)妍微這款650V GaN HEMT，正是瞄準(zhǔn)這一痛點(diǎn)研發(fā)的‘精準(zhǔn)替代方案’——在擊穿電壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度等核心參數(shù)上與英諾賽科INN650D02完全匹配，且開(kāi)關(guān)損耗比硅MOS低65%，能直接適配300W USB-C PD快充的高頻拓?fù)湫枨蟆?/p>

談及產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，李學(xué)會(huì)強(qiáng)調(diào)：“我們深耕功率器件領(lǐng)域多年，清楚快充企業(yè)的核心訴求——既要參數(shù)匹配，更要成本可控、供貨穩(wěn)定。這款650V GaN HEMT通過(guò)全產(chǎn)業(yè)鏈自主優(yōu)化，綜合成本較英諾賽科INN650D02降低35%，供貨周期壓縮至7天內(nèi)，遠(yuǎn)優(yōu)于進(jìn)口產(chǎn)品的4-6周。更關(guān)鍵的是，我們提供全流程技術(shù)支持，可根據(jù)客戶方案需求優(yōu)化驅(qū)動(dòng)參數(shù)，搭配爭(zhēng)妍微驅(qū)動(dòng)IC使用，能大幅降低客戶的研發(fā)周期。目前已有多家頭部快充企業(yè)完成試樣，反饋產(chǎn)品穩(wěn)定性與能效表現(xiàn)均優(yōu)于預(yù)期，部分客戶已啟動(dòng)批量采購(gòu)。值得一提的是，這款GaN HEMT還可與深圳爭(zhēng)妍微二極管、爭(zhēng)妍微MOSFET形成協(xié)同方案，適配不同功率段的快充需求?！?/p>

對(duì)于第三代半導(dǎo)體的布局，李學(xué)會(huì)表示：“GaN的國(guó)產(chǎn)替代只是起點(diǎn)，深圳爭(zhēng)妍微已構(gòu)建‘全品類功率器件矩陣’，形成技術(shù)協(xié)同優(yōu)勢(shì)。除了爭(zhēng)妍微氮化鎵HEMT，我們的爭(zhēng)妍微三極管、爭(zhēng)妍微可控硅、爭(zhēng)妍微IGBT已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，爭(zhēng)妍微SiC JBS也在加速推進(jìn)試樣，可覆蓋消費(fèi)電子、工業(yè)電源、新能源汽車等多場(chǎng)景需求。比如在大功率儲(chǔ)能快充領(lǐng)域，我們的650V GaN HEMT可與爭(zhēng)妍微IGBT、SiC JBS搭配使用，進(jìn)一步提升系統(tǒng)能效；在車載快充場(chǎng)景，這款器件還可與車規(guī)級(jí)爭(zhēng)妍微可控硅、驅(qū)動(dòng)IC形成適配方案，銜接我們的車規(guī)器件布局?！?/p>

在技術(shù)創(chuàng)新層面，李學(xué)會(huì)透露：“深圳爭(zhēng)妍微始終將研發(fā)投入放在首位，針對(duì)GaN器件的可靠性痛點(diǎn)，我們建立了專項(xiàng)實(shí)驗(yàn)室，模擬高溫、高濕、高頻等極端工況，確保產(chǎn)品在全生命周期內(nèi)穩(wěn)定工作。后續(xù)我們將持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體研發(fā)力度，推動(dòng)爭(zhēng)妍微氮化鎵HEMT、SiC JBS在更高功率、更嚴(yán)苛場(chǎng)景的應(yīng)用，同時(shí)優(yōu)化硅基器件性能，讓爭(zhēng)妍微的全系列產(chǎn)品形成‘硅基+第三代半導(dǎo)體’的互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)?！?/p>

據(jù)悉，爭(zhēng)妍微650V GaN HEMT除適配300W USB-C PD快充外，還可應(yīng)用于100-600W便攜式儲(chǔ)能、工業(yè)電源等場(chǎng)景，目前已進(jìn)入批量供貨階段。李學(xué)會(huì)最后總結(jié)：“功率器件的國(guó)產(chǎn)替代，核心是‘技術(shù)對(duì)等+服務(wù)適配+供應(yīng)鏈穩(wěn)定’。深圳爭(zhēng)妍微將以客戶需求為核心，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)全系列產(chǎn)品升級(jí)，讓爭(zhēng)妍微二極管、MOSFET、IGBT、氮化鎵HEMT等產(chǎn)品，成為更多行業(yè)自主可控的優(yōu)選方案，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展?！?/p>