日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

如何保存NAND Flash數(shù)據(jù)完整之 “掉電丟數(shù)據(jù)”底層原因

jim ? 來(lái)源:雷龍發(fā)展 ? 作者:雷龍發(fā)展 ? 2025-12-23 16:38 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

隨著越來(lái)越多客戶從 NOR Flash 遷移到CS品牌的 SD NAND 存儲(chǔ)產(chǎn)品,有工程師會(huì)遇到“明明寫(xiě)入成功了,為什么設(shè)備突然斷電后,數(shù)據(jù)消失了?”的問(wèn)題。

這種情況聽(tīng)起來(lái)像“異?!?,但其實(shí),它是系統(tǒng)層面必然存在的特性。這里我們來(lái)解釋一下底層原因,從而更容易找到解決方法。

wKgZPGlKVRCAVc0sAAeWtU1qLbA023.jpg

01|NAND Flash 不是實(shí)時(shí)寫(xiě)入設(shè)備

相比 NOR,NAND Flash 采用完全不同的底層結(jié)構(gòu):

NAND 的 寫(xiě)入粒度是 Page(頁(yè))

NAND 的 擦除粒度是 Block(塊)

也就是說(shuō):即使只寫(xiě)入 1 個(gè)字節(jié),最終也要以整頁(yè)數(shù)據(jù)方式寫(xiě)入。

寫(xiě)入過(guò)程不是一步完成,而是:

數(shù)據(jù)進(jìn)入控制器 → 緩存 → 整理成 Page → 寫(xiě)入 NAND → 更新映射表

這意味著,在數(shù)據(jù)落盤(pán)之前,會(huì)存在一段“過(guò)渡期”。

如果斷電發(fā)生在這個(gè)階段,數(shù)據(jù)就有可能未完成寫(xiě)入——自然也不會(huì)被保存。

02|Flash 管理算法決定寫(xiě)入結(jié)果不是瞬間固定

為了延長(zhǎng)壽命、減少寫(xiě)擴(kuò)散、優(yōu)化訪問(wèn)性能,SD NAND 內(nèi)部有:

FTL(Flash Translation Layer)

Wear-Leveling(均衡寫(xiě)入)

Garbage Collection(垃圾回收)

ECC/BCH/LDPC 校驗(yàn)機(jī)制

這些機(jī)制會(huì)帶來(lái)一個(gè)事實(shí):寫(xiě)操作并不是同步落盤(pán),而是異步過(guò)程。

更重要的是:

有時(shí) NAND 已經(jīng)寫(xiě)完數(shù)據(jù),但映射表還未更新

有些 Page 數(shù)據(jù)正在被復(fù)制或合并

有時(shí)系統(tǒng)正在進(jìn)行垃圾回收(GC)

這些階段若意外斷電,就可能出現(xiàn):

寫(xiě)入數(shù)據(jù)丟失

數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)損壞

文件變成“看得見(jiàn)卻打不開(kāi)”

這不是故障,而是 NAND 的工作方式。

03|文件系統(tǒng)不會(huì)立即寫(xiě)盤(pán),而是“延遲寫(xiě)入”

很多用戶以為:只要 APP、系統(tǒng)或驅(qū)動(dòng) write() 成功,數(shù)據(jù)就已經(jīng)寫(xiě)到存儲(chǔ)器里。

事實(shí)上,大多數(shù)文件系統(tǒng),包括:

FAT32 / exFAT

LittleFS

Linux EXT4 / F2FS

RTOS 上的嵌入式 FS

都采用寫(xiě)入緩存策略(Write-Back Cache),即:數(shù)據(jù)會(huì)先存在系統(tǒng)內(nèi)存或設(shè)備緩存中,而不是立即寫(xiě)入存儲(chǔ)芯片。

這是為了:

加快速度

減少 NAND 寫(xiě)入次數(shù)

增加壽命

但是,這也帶來(lái)結(jié)果:寫(xiě)入成功 ≠ 數(shù)據(jù)已安全保存。

04|為什么用 NOR 時(shí)沒(méi)問(wèn)題?

很簡(jiǎn)單:

wKgZO2lKVRGAC_fYAAAuBEtvBhA536.png

換句話說(shuō):使用 NAND,就意味著系統(tǒng)行為會(huì)從“實(shí)時(shí)寫(xiě)入”,變成“階段性寫(xiě)入”。這不是優(yōu)劣差異,而是技術(shù)路線的不同。

05|理解存儲(chǔ)介質(zhì),才能正確使用它

掉電數(shù)據(jù)丟失并不是 SD NAND 的“問(wèn)題”,而是使用 NAND 介質(zhì)時(shí)必須考慮的設(shè)計(jì)因素。影響因素包括:

寫(xiě)入策略

供電穩(wěn)定性

文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

控制器算法

寫(xiě)入數(shù)據(jù)量大小和寫(xiě)入頻率

是否存在頻繁隨機(jī)小寫(xiě)入場(chǎng)景

了解了底層原理,在面對(duì)出現(xiàn)問(wèn)題的場(chǎng)景時(shí),我們和客戶也更容易找到解決方案。也歡迎有這種困惑的客戶聯(lián)系我們,我們會(huì)結(jié)合您的具體應(yīng)用場(chǎng)景,寫(xiě)入模型給出對(duì)應(yīng)的解決方法。

親愛(ài)的卡友們,歡迎光臨雷龍發(fā)展

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1766

    瀏覽量

    141318
  • FlaSh
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    1761

    瀏覽量

    155973
  • 存儲(chǔ)介質(zhì)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    27

    瀏覽量

    12229
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    NOR FLASHNAND FLASH的對(duì)比

    FLASH芯片的擦寫(xiě)次數(shù)一般來(lái)說(shuō)都是有限的,目前主流產(chǎn)品的擦寫(xiě)壽命普遍在10萬(wàn)次左右。當(dāng)FLASH芯片接近使用壽命終點(diǎn)時(shí),寫(xiě)操作可能會(huì)出現(xiàn)失敗。不過(guò),需要注意NAND FLASH采用整
    的頭像 發(fā)表于 03-31 16:58 ?546次閱讀

    探秘 EZ - USB NX2LP:USB 2.0 NAND Flash 控制器的卓越

    探秘 EZ - USB NX2LP:USB 2.0 NAND Flash 控制器的卓越選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,選擇一款合適的 USB 2.0 NAND
    的頭像 發(fā)表于 03-28 14:50 ?630次閱讀

    NOR FlashNAND flash有什么區(qū)別

    在嵌入式系統(tǒng)、移動(dòng)設(shè)備與存儲(chǔ)領(lǐng)域,NOR FlashNAND Flash是兩種最常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。盡管它們都屬于閃存(Flash EEPROM)家族,但在內(nèi)部結(jié)構(gòu)、接口方式、讀
    的頭像 發(fā)表于 03-11 15:08 ?683次閱讀
    NOR <b class='flag-5'>Flash</b>和<b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>flash</b>有什么區(qū)別

    從NOR FlashNAND Flash 和SD NAND,從底層結(jié)構(gòu)到應(yīng)用差異

    nor flash,nor nand,sd nand,spi nor,nand flash
    的頭像 發(fā)表于 03-05 18:24 ?465次閱讀
    從NOR <b class='flag-5'>Flash</b> 到 <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b> 和SD <b class='flag-5'>NAND</b>,從<b class='flag-5'>底層</b>結(jié)構(gòu)到應(yīng)用差異

    從NOR FlashNAND Flash 和SD NAND,從底層結(jié)構(gòu)到應(yīng)用差異

    在嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中,“存儲(chǔ)選型”是經(jīng)常會(huì)遇到的問(wèn)題,特別是許多曾長(zhǎng)期使用 NOR   Flash 的工程師,在切換到 NAND Flash 時(shí)常常感到疑惑:   為什么 NAND
    發(fā)表于 03-05 18:23

    SD NAND 為何不能存啟動(dòng)代碼,SPI NAND 與 NOR Flash 卻可以 —— 接口、傳輸、啟動(dòng)機(jī)制全對(duì)比

    在嵌入式、物聯(lián)網(wǎng)、工控、車載等硬件系統(tǒng)中, 啟動(dòng)存儲(chǔ)器(Boot Flash) ?是決定設(shè)備能否上電即跑、穩(wěn)定可靠的核心器件。實(shí)際選型中,SD NAND、SPI NAND、NOR Flash
    的頭像 發(fā)表于 02-09 11:16 ?431次閱讀
    SD <b class='flag-5'>NAND</b> 為何不能存啟動(dòng)代碼,SPI <b class='flag-5'>NAND</b> 與 NOR <b class='flag-5'>Flash</b> 卻可以 —— 接口、傳輸、啟動(dòng)機(jī)制全對(duì)比

    SPI NOR Flash和SPI NAND Flash存儲(chǔ)芯片的區(qū)別

    SPI NOR Flash與SPI NAND Flash并非相互替代,而是互補(bǔ)關(guān)系。SPI NOR勝在讀取速度快、使用簡(jiǎn)單、可靠性高,是代碼存儲(chǔ)的理想選擇。SPI NAND則以其大容量
    的頭像 發(fā)表于 01-29 16:58 ?939次閱讀
    SPI NOR <b class='flag-5'>Flash</b>和SPI <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>存儲(chǔ)芯片的區(qū)別

    NAND Flash選型旺宏MX35LF2GE4AD-Z4I實(shí)現(xiàn)高可靠數(shù)據(jù)留存

    旺宏MX35LF2GE4AD-Z4I 2Gb Serial NAND Flash具備-40℃~85℃工業(yè)級(jí)寬溫、60,000次擦寫(xiě)壽命及10年數(shù)據(jù)保存能力,支持133MHz高速讀取與x
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:54 ?719次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>選型旺宏MX35LF2GE4AD-Z4I實(shí)現(xiàn)高可靠<b class='flag-5'>數(shù)據(jù)</b>留存

    從NOR FlashNAND Flash和SD NAND,從底層結(jié)構(gòu)到應(yīng)用差異

    在嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中,“存儲(chǔ)選型”是經(jīng)常會(huì)遇到的問(wèn)題,特別是許多曾長(zhǎng)期使用 NOR   Flash 的工程師,在切換到 NAND Flash 時(shí)常常感到疑惑:   為什么 NAND
    發(fā)表于 12-08 17:54

    智能顯示模塊支持掉電保存數(shù)據(jù)嗎?智能模塊支持操作Flash嗎?

    智能顯示模塊支持掉電保存數(shù)據(jù)嗎?智能模塊支持操作Flash嗎?
    發(fā)表于 11-14 08:41

    電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置掉電 10 分鐘數(shù)據(jù)嗎?

    電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置在掉電 10 分鐘時(shí)能否確保數(shù)據(jù)不丟失,取決于其 硬件設(shè)計(jì)、備用電源配置、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)機(jī)制 三大核心要素。以下是具體分析: 一、硬件設(shè)計(jì)與備用電源:決定基礎(chǔ)續(xù)航能力 1. 常規(guī)裝置
    的頭像 發(fā)表于 11-09 17:26 ?674次閱讀

    NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

    NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同,
    的頭像 發(fā)表于 09-08 09:51 ?7881次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>的基本原理和結(jié)構(gòu)

    功率分析儀的“存儲(chǔ)”與“數(shù)據(jù)保存”模式如何保存測(cè)量數(shù)據(jù)呢?

    數(shù)據(jù)保存”模式和“存儲(chǔ)”模式將通過(guò)差異化功能設(shè)定滿足用戶多樣化的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求:當(dāng)您僅需保存一組數(shù)據(jù)時(shí)可選擇“
    的頭像 發(fā)表于 07-23 17:51 ?1198次閱讀
    功率分析儀的“存儲(chǔ)”與“<b class='flag-5'>數(shù)據(jù)</b><b class='flag-5'>保存</b>”模式如何<b class='flag-5'>保存</b>測(cè)量<b class='flag-5'>數(shù)據(jù)</b>呢?

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    的32Gb密度嵌入式存儲(chǔ)。該產(chǎn)品與原始NAND相比,它有許多優(yōu)點(diǎn),包括嵌入式壞塊管理和更強(qiáng)的嵌入式ECC。即使在異常斷電的情況下,它仍然可以安全地保存數(shù)據(jù)。 特點(diǎn) 接口:標(biāo)準(zhǔn)SD規(guī)范2.0版,帶有1-I/O
    發(fā)表于 07-03 14:33

    泰克示波器波形數(shù)據(jù)保存為CSV格式的完整指南

    而備受青睞。本文將詳細(xì)介紹泰克示波器保存波形為CSV文件的完整操作步驟、注意事項(xiàng)及實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景,幫助用戶高效完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與分析。
    的頭像 發(fā)表于 06-07 15:31 ?1567次閱讀
    泰克示波器波形<b class='flag-5'>數(shù)據(jù)</b><b class='flag-5'>保存</b>為CSV格式的<b class='flag-5'>完整</b>指南
    台江县| 如皋市| 碌曲县| 资源县| 兴和县| 扎兰屯市| 修水县| 巨鹿县| 凤阳县| 金华市| 株洲市| 柞水县| 巩义市| 阳城县| 察雅县| 谢通门县| 濉溪县| 吉首市| 哈密市| 方正县| 建宁县| 黔江区| 离岛区| 搜索| 牙克石市| 杭锦后旗| 深水埗区| 沈丘县| 莱芜市| 和平区| 扎鲁特旗| 常宁市| 新干县| 宁河县| 大同市| 盱眙县| 东海县| 常宁市| 山阳县| 左云县| 浮梁县|