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TEA2093DB2202同步整流評估板:設計與應用詳解

h1654155282.3538 ? 2025-12-25 09:30 ? 次閱讀
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TEA2093DB2202同步整流評估板:設計與應用詳解

作為電子工程師,在開關電源(SMPS)的設計與評估過程中,找到合適的評估工具至關重要。今天,我們就來深入了解一下NXP的TEA2093DB2202同步整流評估板,看看它能為我們的工作帶來哪些便利。

文件下載:NXP Semiconductors TEA2093DB2202評估板.pdf

一、重要提示與安全警告

1. 重要提示

這個評估板僅用于工程開發(fā)或評估目的,它不是最終的參考設計,最終應用的性能很大程度取決于印刷電路板布局、散熱設計以及電源濾波、瞬態(tài)抑制和I/O信號質(zhì)量等因素。同時,由于產(chǎn)品的開放性結(jié)構(gòu),用戶需要自行做好防靜電措施。大家在使用時一定要注意這些要點,避免因疏忽導致不必要的問題。思考一下,你在以往的評估板使用中,是否遇到過因忽視這些因素而導致的性能問題呢?

2. 安全警告

該評估板由交流市電供電,在連接市電和運行期間切勿觸摸,在非實驗室環(huán)境中使用時必須配備隔離外殼,并且建議使用固定或可變變壓器實現(xiàn)與市電相位的電氣隔離。畢竟安全無小事,我們在操作過程中一定要時刻牢記這些安全準則。

二、評估板概述

1. 適用人群與用途

TEA2093DB2202評估板及其用戶手冊主要面向參與開關電源評估和設計的工程師,可用于替換現(xiàn)有不對稱半橋拓撲SMPS的二次側(cè)整流部分。

三、準備工作

1. 包裝內(nèi)容

評估板盒子里包含TEA2093DB2202評估板,它采用單層板設計,集成了TSOP - 6封裝的TEA2093TS和TDSON - FL封裝的MOSFET(典型 $R_{DSon}$ 為2.3 mΩ),還可使用TO - 220 MOSFET替換已安裝的MOSFET Q4。

2. 額外硬件

評估板需要放置在現(xiàn)有的SMPS上使用,具體細節(jié)可參考后續(xù)章節(jié)。

四、硬件了解

1. 整體概述

評估板包含TSOP - 6封裝的TEA2093TS SR控制器和100 V的TDSON - FL封裝MOSFET,用于替換不對稱半橋拓撲SMPS的二次側(cè)整流部分。TEA2093TS是專為不對稱半橋轉(zhuǎn)換器二次側(cè)同步整流設計的控制器IC,能產(chǎn)生自身電源電壓或使用外部施加電壓,適用于多種應用場景,如電池充電、無輔助繞組的高端整流等。

2. 主要特性

  • 易于替換二次側(cè)整流器。
  • 集成100 V/2.7 mΩ MOSFET。
  • 低輸出電壓(CC模式)的低端整流自供電。
  • 無需輔助繞組的高端整流自供電。
  • 可與標準電平或邏輯電平的SR MOSFET配合使用。

    3. 框圖與板級描述

    從TEA2093TS的框圖可以看出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。評估板上,TEA2093TS作為受控放大器,輸入是DRAIN和SOURCE引腳之間的電壓差,輸出是相應的柵極驅(qū)動信號,在整流階段將源 - 漏電壓差調(diào)節(jié)到37 mV。為方便單面電路板布局,添加了電阻R1和R2(阻值范圍0 Ω - 10 Ω),默認安裝的TDSON - FL MOSFET Q4使用0 Ω柵極電阻(R1),也可安裝帶柵極電阻R2的TO220 MOSFET Q5。電容C1和C2是TEA2093TS的 $V{CC}$ 去耦電容,C2為100 nF以確保二次沖程期間有足夠的充電功率驅(qū)動外部MOSFET,C1用于防止 $V{CC}$ 電源產(chǎn)生不必要的振蕩。此外,還預留了緩沖器R3/C3的位置,可根據(jù)MOSFET漏源連接上是否出現(xiàn)高壓尖峰來決定是否添加。為實現(xiàn)低端或高端連接的最佳配置,添加了跳線JP1和JP2。大家在實際設計中,會如何根據(jù)這些特性來選擇合適的配置呢?

五、硬件配置

1. 低端同步整流連接

評估板需集成到現(xiàn)有的不對稱半橋SMPS中。在低端同步整流應用中,根據(jù)輸出電壓 $V{out}$ 的不同,有不同的配置方式。當 $V{out}≥4.7 V$ 時,TEA2093TS使用XV引腳的電壓作為電源;當 $V{out}<4.7 V$(CC模式)時,使用漏極輸入的脈沖電壓為CAP引腳生成電壓。在CV模式下($V{out}≥4 V$),可將CAP引腳直接連接到XV引腳以獲得額外的柵極驅(qū)動電壓,提高效率,但要注意TEA2093TS引腳的最大電壓額定值(Pins XV和CAP為38 V,Pin DRAIN為120 V)。

2. 高端同步整流連接

在高端同步整流應用中,有自供電和使用額外輔助繞組供電兩種配置方式。自供電時,TEA2093TS從DRAIN輸入的脈沖電壓獲取電源,內(nèi)部調(diào)節(jié)器將脈沖轉(zhuǎn)換為約9 V的穩(wěn)壓直流電壓;使用輔助繞組供電可實現(xiàn)高端應用的最佳效率,當輔助電壓在多輸出應用中降至4 V以下時,TEA2093TS會自行產(chǎn)生電源電壓,維持CAP引腳的最小供電為4 V。同樣,要注意引腳的最大電壓額定值。

六、原理圖、布局與物料清單

1. 原理圖

評估板的原理圖展示了其電路結(jié)構(gòu),為我們理解電路工作原理提供了重要依據(jù)。

2. 物料清單(BOM)

詳細列出了評估板上各個元件的信息,包括電容、電阻、MOSFET、控制器等,方便我們進行元件的替換和采購。 參考編號 描述和值 零件編號 制造商
C1 電容器;100 pF;50 V;0805 08055A101KAT2A AVX
C2 電容器;0.1 μF;50 V;0805 X7R0805HTTD104K Koa Speer
C3 電容器(未安裝);10 nF;250 V;0805 CGA4J3X7R2E103K125AA TDK
D1 二極管(未安裝);SOD323 BAS316 Nexperia
JP1;JP2 直頭排針;1x 2 路 SL 111242G Fischer
MCL1; MCL2 帶手柄跳線;P = 2.54 mm CAB9 GS Fischer
R1 電阻器;0 Ω;1206 CRCW12060000Z0EA Vishay
R2 電阻器(未安裝);0 Ω;1206 CRCW12060000Z0EA Vishay
R3 電阻器(未安裝);10 Ω;0805 CR0805 - JW - 100ELF Bourns
Q4 MOSFET;TDSON - FL ISC027N10NM6ATMA1 Infineon
Q5 MOSFET(未安裝);TO220AB PSMN4R3 - 100PS Nexperia
U1 SR控制器TSOP6 TEA2093TS NXP Semiconductors

3. 布局

良好的布局對于評估板的性能至關重要。要遵循以下原則:盡量縮短DRAIN引腳到MOSFET漏極、SOURCE引腳到MOSFET源極、GATE引腳到MOSFET柵極的走線長度;減小DRAIN引腳到MOSFET漏極、漏極到源極、源極到SOURCE引腳形成的回路面積,避免回路與電源走線重疊和交叉;為XV和GND引腳使用單獨干凈的走線,如有可能在IC下方使用小接地平面以改善散熱;將電容C1和C2靠近IC放置。大家在布局時,有沒有什么獨特的技巧來滿足這些要求呢?

七、其他信息

1. 縮寫說明

文檔中使用的縮寫,如CC(恒流)、CV(恒壓)、MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)、SMPS(開關電源)、SR(同步整流器)等,方便我們理解文檔內(nèi)容。

2. 參考文獻

提供了TEA2093TS的數(shù)據(jù)手冊,可進一步了解該控制器的詳細信息。

3. 法律信息

包括文檔狀態(tài)定義、免責聲明、商標說明等內(nèi)容,提醒我們在使用過程中需要注意的法律問題。

總之,TEA2093DB2202同步整流評估板為開關電源的二次側(cè)整流設計和評估提供了一個便捷的平臺。希望通過這篇文章,能幫助大家更好地了解和使用這個評估板,在實際設計中發(fā)揮出它的優(yōu)勢。讓我們一起不斷探索,提升電源設計的水平!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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