威兆半導(dǎo)體推出的VSI008N10MS是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-251 封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時 7.8mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 9.8mΩ，中壓場景下傳導(dǎo)損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 94A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 67A，承載能力極強；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：370A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應(yīng)對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅(qū)動，簡化中壓電路設(shè)計；
• VeriMOS? II 技術(shù)：兼顧低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)特性，提升中壓電源能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達(dá) 81mJ，抗沖擊能力強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：TO-251 直插封裝，包裝規(guī)格為 7500pcs / 卷；
• 典型應(yīng)用：
  • 100V 級中壓大功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 工業(yè)設(shè)備、儲能系統(tǒng)的中壓超大電流負(fù)載開關(guān)；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)的核心功率開關(guān)。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際以最新版手冊為準(zhǔn)。）