探索AFBR - S4N44P164M 4×4 NUV - MT硅光電倍增管陣列的卓越性能
在如今的電子工程領(lǐng)域,對(duì)于高精度、高靈敏度的光子檢測(cè)設(shè)備的需求日益增長。博通(Broadcom)的AFBR - S4N44P164M 4×4硅光電倍增管(SiPM)陣列,無疑是滿足這一需求的杰出代表。今天,我們就來深入探討這款產(chǎn)品的特點(diǎn)、性能以及應(yīng)用。
文件下載:Broadcom AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT光電倍增管陣列.pdf
產(chǎn)品概述
AFBR - S4N44P164M是一款用于單光子超靈敏精密測(cè)量的4×4硅光電倍增管陣列。它基于NUV - MT技術(shù),相較于NUV - HD技術(shù),在提高光電檢測(cè)效率(PDE)的同時(shí),降低了暗計(jì)數(shù)率和串?dāng)_。SiPM在兩個(gè)方向上的間距均為4mm,通過拼接多個(gè)陣列,能以16mm的間距覆蓋更大面積,且?guī)缀鯚o邊緣損耗。其采用環(huán)氧透明模塑料封裝,機(jī)械穩(wěn)定性和堅(jiān)固性良好,對(duì)紫外線波長高度透明,在可見光光譜中具有廣泛響應(yīng),對(duì)藍(lán)光和近紫外區(qū)域的光尤為敏感。
產(chǎn)品特性
物理特性
- 陣列規(guī)格:4×4的陣列布局,尺寸為16.00mm×16.00mm,SiPM間距4mm,便于拼接覆蓋大面積。
- 封裝材料:環(huán)氧透明模塑料封裝,對(duì)紫外線高度透明,在可見光光譜有廣泛響應(yīng),尤其對(duì)藍(lán)光和近紫外光敏感。
性能特性
- 高光電檢測(cè)效率:在420nm波長處,典型光電檢測(cè)效率(PDE)可達(dá)63%,能有效檢測(cè)單光子。
- 低暗計(jì)數(shù)率和串?dāng)_:基于NUV - MT技術(shù),降低了暗計(jì)數(shù)率和光學(xué)串?dāng)_,提高了檢測(cè)精度。
- 良好的一致性:擊穿電壓和增益的均勻性優(yōu)異,保證了陣列各單元性能的一致性。
- 快速響應(yīng):充電時(shí)間常數(shù)為55ns,能快速響應(yīng)低水平脈沖光源。
應(yīng)用領(lǐng)域
硅光電倍增管陣列在多個(gè)領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,AFBR - S4N44P164M也不例外。它特別適合檢測(cè)低水平脈沖光源,尤其適用于檢測(cè)常見有機(jī)(塑料)和無機(jī)閃爍體材料產(chǎn)生的切倫科夫或閃爍光,如LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF、$LaBr_{3}$等。具體應(yīng)用場(chǎng)景包括:
- 射線檢測(cè):X射線和伽馬射線檢測(cè),可用于安檢、工業(yè)探傷等領(lǐng)域。
- 核醫(yī)學(xué):正電子發(fā)射斷層掃描(PET)等醫(yī)學(xué)成像技術(shù),提高成像的分辨率和靈敏度。
- 物理實(shí)驗(yàn):高能物理實(shí)驗(yàn)中,檢測(cè)切倫科夫或閃爍光,研究粒子的性質(zhì)和相互作用。
- 安全與安防:檢測(cè)微弱光信號(hào),用于夜視、激光雷達(dá)等安全與安防設(shè)備。
電氣參數(shù)與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
絕對(duì)最大額定值
| 在使用AFBR - S4N44P164M時(shí),需要注意其絕對(duì)最大額定值,超過這些限制可能會(huì)損壞器件。以下是一些關(guān)鍵參數(shù): | 參數(shù) | 符號(hào) | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 存儲(chǔ)溫度 | TsG | -20 | +60 | ℃ | |
| 工作溫度 | TA | -20 | +50 | ℃ | |
| 焊接溫度 | TSOLD | 245 | ℃ | ||
| 引腳焊接時(shí)間 | tsLD | 60 | 秒 | ||
| 靜電放電電壓能力(HBM) | ESDHBM | 2 | kV | ||
| 靜電放電電壓能力(CDM) | ESDCDM | 500 | V | ||
| 工作過電壓 | Vov | 16 | V |
焊接與布局
- 回流焊接:該陣列可根據(jù)推薦的回流焊接曲線進(jìn)行焊接,焊接前需在125°C下烘烤16小時(shí)。
- 焊盤布局:具有32個(gè)信號(hào)引腳,每個(gè)SiPM芯片的陽極和陰極可單獨(dú)連接,陰極在模塊上無公共連接。
光學(xué)與電氣性能參數(shù)
幾何特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 單器件面積 | DA | 3.84×3.74 | $mm^2$ |
| 有效面積 | AA | 3.72×3.62×16 | $mm^2$ |
| 單元有效面積 | EAA | 3.72×3.62 | $mm^2$ |
| 微單元間距 | LCELL | 40 | μm |
| 每個(gè)單元的微單元數(shù)量 | NCELLS | 8334 |
光學(xué)和電氣特性
| 在12V過電壓和25°C條件下,部分關(guān)鍵性能參數(shù)如下: | 參數(shù) | 符號(hào) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 參考曲線 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 光譜范圍 | λ | 300 | 900 | nm | 圖5 | ||
| 峰值靈敏度波長 | λPK | 420 | nm | 圖5 | |||
| 擊穿電壓 | VBD | 32 | 32.5 | 33 | V | 圖7 | |
| 光電檢測(cè)效率 | PDE | 58 | 63 | % | 圖5、圖6 | ||
| 每個(gè)單元的暗電流 | ID | 3.3 | 19 | μA | 圖7 | ||
| 每個(gè)單元的暗計(jì)數(shù)率 | DCR | 1.7 | 7.5 | Mcps | 圖8 | ||
| 單位面積暗計(jì)數(shù)率 | DCRmm2 | 125 | 650 | kcps/$mm^2$ | |||
| 增益 | G | 6.0 | 7.3 | 8.5 | ×$10^6$ | 圖9 | |
| 光學(xué)串?dāng)_ | PXTALK | 23 | 30 | % | 圖10 | ||
| 后脈沖概率 | PAD | <1 | 5 | % | |||
| 充電時(shí)間常數(shù) | TFALL | 55 | ns | 圖11 | |||
| 標(biāo)稱終端電容 | CT | 580 | pF |
這些參數(shù)為工程師在設(shè)計(jì)電路和系統(tǒng)時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體需求,合理選擇工作條件和參數(shù),以充分發(fā)揮AFBR - S4N44P164M的性能優(yōu)勢(shì)。
總結(jié)
AFBR - S4N44P164M 4×4 NUV - MT硅光電倍增管陣列憑借其高靈敏度、低噪聲、良好的一致性等優(yōu)點(diǎn),在單光子檢測(cè)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。作為電子工程師,我們?cè)?a href="http://m.sdkjxy.cn/soft/data/61-62/" target="_blank">設(shè)計(jì)相關(guān)系統(tǒng)時(shí),需要充分了解其特性和參數(shù),合理選擇工作條件,以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似產(chǎn)品的使用問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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