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DRV8428E/P:高性能雙H橋電機驅(qū)動的卓越之選

lhl545545 ? 2026-01-08 10:50 ? 次閱讀
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DRV8428E/P:高性能雙H橋電機驅(qū)動的卓越之選

在電機驅(qū)動領域,一款性能卓越、功能豐富的驅(qū)動芯片能為設計帶來極大的便利與優(yōu)勢。今天,我們就來深入了解一下德州儀器TI)推出的DRV8428E/P雙H橋電機驅(qū)動器,看看它究竟有哪些獨特之處。

文件下載:drv8428e.pdf

產(chǎn)品特性亮點

多電機驅(qū)動能力

DRV8428E/P具備強大的電機驅(qū)動能力,它可以驅(qū)動一個雙極步進電機,或者兩個雙向有刷直流電機,甚至四個單向有刷直流電機。這種多樣化的驅(qū)動方式,使得它在不同類型的電機應用中都能游刃有余。

集成電流感應功能

驅(qū)動器集成了電流感應功能,這意味著無需額外的感測電阻。不僅節(jié)省了電路板空間,還降低了系統(tǒng)成本。而且,它具有±6%的滿量程電流精度,能夠精確地控制電機電流。

寬工作電壓范圍

其工作電源電壓范圍為4.2 - 33V,這使得它可以適應不同的電源環(huán)境,為各種應用提供了更廣泛的選擇。

多種控制接口選項

提供了PHASE/ENABLE(PH/EN)和PWM(IN/IN)兩種控制接口選項,方便與不同的控制器電路進行接口,增強了設計的靈活性。

智能調(diào)諧和混合衰減選項

智能調(diào)諧功能可以自動調(diào)整衰減設置,以最小化電流紋波,同時快速響應步進變化。混合衰減模式則為電機驅(qū)動提供了更多的控制策略。

低功耗睡眠模式

低電流睡眠模式(2μA)可以在不驅(qū)動電機時為系統(tǒng)節(jié)省大量的功率,提高系統(tǒng)的能效。

保護功能完善

具備VM欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(OCP)和熱關斷(OTSD)等保護功能,能夠有效保護芯片和電機,提高系統(tǒng)的可靠性。

應用領域廣泛

DRV8428E/P的應用領域非常廣泛,涵蓋了多個行業(yè):

  • 有刷直流電機應用:如打印機、掃描儀、貨幣計數(shù)器和電子銷售點(EPOS)設備等。
  • 辦公和家庭自動化:包括工廠自動化、機器人、小型家用電器和縫紉機等。
  • 機器人領域:如真空機器人、人形機器人和玩具機器人等。
  • 智能電表:為智能電表的電機驅(qū)動提供了可靠的解決方案。

詳細技術解析

集成電流感應架構

DRV8428E/P采用集成電流感應架構,通過電流鏡方法和內(nèi)部功率MOSFET進行電流感測,消除了外部功率感測電阻的需求。這種架構不僅節(jié)省了電路板空間和BOM成本,還減少了功率消耗。電流調(diào)節(jié)設定點由VREFA和VREFB引腳的電壓調(diào)整。

橋控制方式

  • DRV8428E:采用PH/EN接口進行控制。通過nSLEEP、xEN和xPH引腳的不同組合,可以實現(xiàn)H橋的不同狀態(tài),如睡眠模式、禁用模式、正向和反向驅(qū)動等。
  • DRV8428P:采用PWM接口進行控制。通過nSLEEP、xIN1和xIN2引腳的不同組合,同樣可以實現(xiàn)H橋的不同狀態(tài)。

電流調(diào)節(jié)和衰減模式

電流通過電機繞組由可調(diào)的關斷時間PWM電流調(diào)節(jié)電路進行調(diào)節(jié)。當電流達到調(diào)節(jié)閾值時,H橋進入衰減模式,以降低電流。衰減模式分為快速衰減和慢速衰減兩種:

  • 快速衰減模式:當PWM斬波電流水平達到時,H橋反轉狀態(tài),允許繞組電流反向流動。
  • 慢速衰減模式:通過啟用橋中的兩個低端FET,使繞組電流再循環(huán)。

此外,還可以通過七電平DECAY/TOFF引腳設置選擇不同的衰減模式和關斷時間,如智能調(diào)諧動態(tài)衰減、智能調(diào)諧紋波控制和混合衰減等。

保護電路

  • VM欠壓鎖定(UVLO):當VM引腳電壓低于UVLO閾值電壓時,所有輸出將被禁用,直到欠壓條件消除。
  • 過流保護(OCP):每個FET上的模擬電流限制電路可以限制通過FET的電流。如果電流限制持續(xù)時間超過tOCP時間,兩個H橋中的FET將被禁用,經(jīng)過tRETRY時間后自動恢復正常操作。
  • 熱關斷(OTSD):當芯片溫度超過熱關斷極限時,H橋中的所有MOSFET將被禁用,直到結溫降至閾值以下。

應用設計實例

典型應用 - 驅(qū)動有刷直流電機

在典型應用中,DRV8428E/P可以配置為通過H橋驅(qū)動兩個外部負載(如兩個有刷直流電機)。以下是設計步驟:

  1. 設計要求確定:包括電源電壓、電機繞組電阻、電感、開關頻率和調(diào)節(jié)電流等參數(shù)。
  2. 電流調(diào)節(jié):調(diào)節(jié)電流(IREG)由VREFx模擬電壓設置,計算公式為IREG (A) = VREFx (V) / Kv (V/A)。
  3. 功率耗散和熱計算:總功率耗散(PTOT)由功率MOSFET的導通損耗、開關損耗和靜態(tài)電源電流耗散組成。通過計算這些損耗,可以確定芯片的工作溫度,確保其在安全范圍內(nèi)工作。

替代應用 - 驅(qū)動步進電機

DRV8428E/P也可以用于驅(qū)動步進電機。設計步驟如下:

  1. 設計要求確定:包括電源電壓、電機繞組電阻、電感、步進角、微步進水平、目標電機速度和滿量程電流等參數(shù)。
  2. 電流調(diào)節(jié):滿量程電流(IFS)由VREFx電壓決定,計算公式為IFS (A) = VREF (V) / 3 (V/A)。同時,IFS電流必須滿足一定條件,以避免電機飽和。
  3. 步進電機速度規(guī)劃:根據(jù)目標電機速度、微步進水平和電機全步角,計算輸入波形的頻率,確保電機能夠達到目標速度。
  4. 衰減模式選擇:支持混合衰減和智能調(diào)諧模式,通過可調(diào)的固定關斷時間方案調(diào)節(jié)電機繞組電流。

電源和布局建議

電源建議

DRV8428E/P設計用于在4.2 - 33V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。在VM引腳附近應放置一個0.01μF的陶瓷電容,并添加一個大容量電容,以提供穩(wěn)定的電源。

布局指南

  • VM引腳應使用低ESR陶瓷旁路電容(推薦值為0.01μF)旁路到PGND,電容應盡可能靠近VM引腳。
  • DVDD引腳應使用低ESR陶瓷電容(推薦值為0.47μF,額定電壓為6.3V)旁路到地。
  • 熱PAD必須連接到系統(tǒng)地,以確保良好的散熱性能。

總結

DRV8428E/P雙H橋電機驅(qū)動器以其豐富的功能、高性能和廣泛的應用領域,為電機驅(qū)動設計提供了一個優(yōu)秀的解決方案。無論是在有刷直流電機還是步進電機應用中,它都能展現(xiàn)出卓越的性能。在實際設計中,我們需要根據(jù)具體的應用需求,合理選擇控制接口、衰減模式和電源布局,以充分發(fā)揮其優(yōu)勢。希望通過本文的介紹,能讓大家對DRV8428E/P有更深入的了解,在電機驅(qū)動設計中能夠更加得心應手。你在使用類似電機驅(qū)動器時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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