AGMSEMI 推出的 AGM012N10LL 是一款面向 100V 中壓超大功率場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TOLX-8L 封裝，適配高壓超大電流電源管理、同步整流等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類(lèi)型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET（溝槽工藝）
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（VDSS?）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)?）：1.0mΩ（VGS?=10V），中壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗極致低；
  • 連續(xù)漏極電流（ID?）：TC?=25°C時(shí) 365A、TC?=100°C時(shí) 272A，承載能力極強(qiáng)；
  • 脈沖漏極電流（IDM?）：1440A（TC?=25°C），可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)超大電流沖擊。

二、核心特性

• 先進(jìn)溝槽工藝：兼具超低導(dǎo)通電阻與快速開(kāi)關(guān)特性，適配高頻大電流場(chǎng)景；
• 高可靠性：通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試、100% VDSS? 測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 230mJ，抗沖擊能力強(qiáng)；
• 低柵極電荷：開(kāi)關(guān)損耗低，提升電路能效；
• 大封裝高功率密度：TOLX-8L 封裝適配超大功率電路，散熱性能優(yōu)異。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（TC?=25°C，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：TOLX-8L 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 2000pcs / 卷；
• 典型應(yīng)用：
  • 100V 級(jí)中壓超大功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 同步整流電路；
  • 工業(yè)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)的超大電流負(fù)載開(kāi)關(guān)；
  • 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

五、信息來(lái)源

AGMSEMI 官方數(shù)據(jù)手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版資料為準(zhǔn)。）