電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）2026年初，“一盒內(nèi)存條堪比上海一套房”的話題沖上熱搜。據(jù)媒體報道，256GB DDR5服務器內(nèi)存單條價格超過4萬元，若一次性采購一盒100根，總價高達400萬元——這一數(shù)字足以在一線城市核心區(qū)購置一套房產(chǎn)。

“一盒內(nèi)存抵一套房”成為當前全球存儲市場劇烈波動的真實寫照。與此同時，受存儲市場蹴球帶動，相關企業(yè)股價狂飆。


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大廠鎖貨、小廠觀望：存儲漲價下的產(chǎn)業(yè)鏈兩極分化
金融圖表分析平臺TradingView的數(shù)據(jù)顯示，2025年美股漲幅前十榜單中，前四名清一色為存儲企業(yè)：閃迪全年暴漲577%，西部數(shù)據(jù)、美光科技、希捷科技漲幅均超200%。就在1月6日，閃迪股價漲幅20%，刷新盤中歷史新高，達到349.63美元；西部數(shù)據(jù)也大漲16.77%。

在國內(nèi)，普冉股份20cm漲停，股價創(chuàng)歷史新高，達到182.01元，江波龍、德明利、恒爍股份、佰維存儲等漲幅超過10%，集體大漲。

回顧2025年，全球存儲市場走出“前低后高”的V型曲線。上半年，受智能手機、PC等終端去庫存影響，NAND Flash與DRAM價格一度承壓。但自3月起，隨著下游需求實質(zhì)性回暖，疊加原廠主動減產(chǎn)控貨，供需格局開始扭轉(zhuǎn)。

據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)，2025年上半年，DRAM綜合價格指數(shù)飆升47.7%，NAND Flash亦上漲9.2%；而進入下半年，漲幅進一步加速，部分品類現(xiàn)貨價格累計漲幅超300%。

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目前，針對存儲價格的持續(xù)上漲，市場上的終端客戶分化為兩類：

一類是具備較強現(xiàn)金流和成本承受能力的企業(yè)，通常為大型整機廠商、頭部消費電子品牌或資金充裕的行業(yè)龍頭。這類客戶對供應鏈穩(wěn)定性要求極高，他們往往通過簽訂長期協(xié)議、提前鎖價或分批備貨等方式來平抑波動風險，能夠接受當前較高的采購價格。另一類則是中小型企業(yè)或利潤空間本就微薄的客戶，其現(xiàn)金流較為緊張，對成本變動極為敏感。

面對當前存儲價格持續(xù)上漲的局面，電子發(fā)燒友網(wǎng)了解到，部分終端客戶持“看跌不看漲”的觀望態(tài)度，即便市場整體呈現(xiàn)存儲需求翻倍增長的態(tài)勢，仍不敢貿(mào)然下單。此外，由于存儲代理商普遍要求一次性付清貨款，單次采購成本高昂。

業(yè)內(nèi)人士舉例，LPDDR4X芯片單價約為20美元，容量更大的型號可達40美元一顆甚至不等，假設采購一包（約為1200顆）的貨，就至少需要支付16萬元，而同樣的資金在過去足以采購五六包。高昂的采購門檻進一步加劇了終端客戶的謹慎心理。不僅終端客戶下單趨于保守，部分代理商也因風險過高而不敢輕易囤貨。

這種兩極分化的需求格局，反過來又加劇了市場的波動性與不確定性，也使得代理商和原廠在制定銷售策略時面臨更大挑戰(zhàn)。

目前來看，全球存儲芯片供應短期內(nèi)難以顯著放量，主要受限于頭部廠商產(chǎn)能擴張的節(jié)奏。此外，三星華城工廠作為生產(chǎn)DRAM顆粒與NAND Flash存儲芯片的重要生產(chǎn)地，在2025年年底經(jīng)歷了火災，盡管官方未披露具體損失細節(jié)，但業(yè)內(nèi)普遍認為這會在一定程度上推高當前市場價格。

另一方面，據(jù)韓國媒體報道，三星正積極布局產(chǎn)能恢復與長期擴張。公司已正式?jīng)Q定重啟位于平澤市的P5晶圓廠建設項目，并已進入基礎設施工程的招標階段；同時，現(xiàn)有的平澤P4工廠也傳出將進行產(chǎn)能擴充的新動向。

然而，半導體制造工廠從規(guī)劃、建設到設備安裝、良率爬坡，周期通常長達12至18個月。即便加速推進，上述新增產(chǎn)能在2026年內(nèi)也難以形成實質(zhì)性產(chǎn)出。因此，在未來一年內(nèi)，全球存儲市場仍將處于“供不應求、增量有限”的緊平衡狀態(tài)。

產(chǎn)業(yè)鏈多維應對：技術迭代、成本重構
英偉達CEO黃仁勛在CES上提到：就存儲而言，這目前是一個完全未被開發(fā)的市場，一個從未存在過的市場。黃仁勛認定AI存儲很可能成為全球最大的存儲市場，它將承載全球人工智能的工作記憶。

當前，漲價的核心驅(qū)動力來自AI基礎設施的爆發(fā)式擴張。AI訓練和推理的需求持續(xù)上漲，增長，特別是數(shù)據(jù)中心對HBM3E及通用服務器DRAM的需求呈指數(shù)級增長。江波龍基于采用LPDDR5X技術的SOCAMM產(chǎn)品，結(jié)合MRDIMM、LPCAMM2、CAMM2、CXL2.0內(nèi)存拓展模塊補齊未來產(chǎn)品版圖。佰維則有SATASSD、PCIeSSD、CXL內(nèi)存及RDIMM內(nèi)存條，應用于數(shù)據(jù)中心、通用服務器、AI/ML服務器、云計算、大數(shù)據(jù)等場景。

美光在接受電子發(fā)燒友網(wǎng)的“2026半導體產(chǎn)業(yè)展望”專題中提到，由于供應持續(xù)緊張，預計2026年全球DRAM與NAND整體出貨增速仍將受限。但總體來看，行業(yè)出貨量有望在2025年的基礎上實現(xiàn)約20%的同比增長。在此背景下，美光正積極響應客戶需求，預計公司自身的DRAM與NAND出貨量可實現(xiàn)約20%的增長。

在消費電子領域，AI PC正加速普及，其存儲配置顯著提升，LPDDR5X逐步取代DDR4成為主流，1TB SSD成為中高端機型標配，而高密度、低成本的QLC NAND方案也在快速滲透入門級市場。就在近期，美光推出業(yè)界首款面向客戶端計算的 PCIe 5.0 QLC SSD，基于 G9 NAND，順序讀取速率高達 11,000 MB/s，順序?qū)懭胨俾矢哌_ 9,300 MB/s， 4TB 容量。

手機端同樣呈現(xiàn)“雙升”趨勢——據(jù)CFM預測，2025年智能手機平均NAND容量將達224GB。DRAM平均容量升至8GB，通過提升單機價值量來攤薄單位存儲成本。

值得注意的是，部分芯片廠商開始“向后兼容”尋求緩沖。業(yè)內(nèi)消息指出，AMD正積極籌備“復活”老款AM4平臺產(chǎn)品。AM4作為其2016年推出的經(jīng)典CPU接口，基于DDR4內(nèi)存，支持Ryzen 1000至5000系列處理器，擁有龐大的存量用戶基礎和成熟的主板生態(tài)。在當前DDR5內(nèi)存價格高企的背景下，復用AM4平臺可幫助用戶繼續(xù)使用成本較低的DDR4內(nèi)存，延緩升級壓力，為市場提供一條高性價比的過渡路徑。

小結(jié)：
存儲芯片的此輪漲價，將對整個產(chǎn)業(yè)鏈帶來新的影響。短期來看，價格高位運行已成定局；中長期而言，唯有通過技術創(chuàng)新、架構優(yōu)化與供應鏈協(xié)同，才能穿越周期波動、尋求破局。