三星揭露3納米制程技術(shù)路線圖以及7納米投產(chǎn)進(jìn)度
三星周二舉行晶圓代工技術(shù)論壇（Samsung Foundry Forum），同時(shí)揭露發(fā)展3納米制程的技術(shù)路圖，以及7納米投產(chǎn)進(jìn)度，將搶攻高端運(yùn)算與聯(lián)網(wǎng)裝置市場(chǎng)。
三星晶圓代工部門總裁鄭恩昇（E.S. Jung）表示，3納米制程將首度導(dǎo)入閘極全環(huán)（GAA）電晶體，這是下一世代電晶體架構(gòu)，并將配合極紫外光（EUV）微影設(shè)備，來(lái)克服物理限制。（cdrinfo.com）
三星7納米是第一個(gè)采用EUV技術(shù)的半導(dǎo)體制程，按計(jì)劃將在2018下半年投產(chǎn)。據(jù)三星表示，關(guān)鍵知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）已在開(kāi)發(fā)，將于2019年上半年完成。
有趣的是，三星表示7納米將應(yīng)用在網(wǎng)絡(luò)、汽車領(lǐng)域，而非效能要求較高的繪圖處理器（GPU），意謂著三星7納米技術(shù)似乎未能獲得Nvidia與超微青睞。
超微日前已宣布下一世代Zen 2中央處理器與Navi繪圖處理器，都將交予臺(tái)積電以7納米制程代工。
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