在半導(dǎo)體芯片高度集成化、應(yīng)用場景多元化的當下，嵌入式存儲IP作為承載關(guān)鍵數(shù)據(jù)的核心單元，其可靠性、安全性與工藝適配性直接決定終端產(chǎn)品的性能上限。銳成芯微深耕嵌入式非易失性存儲（eNVM）IP領(lǐng)域，包括多次可編程（MTP）和一次可編程（OTP）等IP，并獲得了多家國際頭部芯片設(shè)計公司采用。

作為MTP的補充，銳成芯微雙技術(shù)路線布局OTP

隨著集成電路工藝往前演進，對低成本高可靠OTP的需求越來越迫切，核心應(yīng)用覆蓋產(chǎn)品 ID 識別、缺陷修補、配置數(shù)據(jù) / 程序代碼 / 密鑰 / 校準參數(shù)存儲等場景，無需依賴外部組件即可提升芯片性能或安全性。

為此，銳成芯微以浮柵Floating Gate OTP和反熔絲Anti-fuse OTP雙技術(shù)路線布局，前者主要面向90nm以上平臺，后者主要面向90nm及其以下平臺，實現(xiàn)全工藝節(jié)點覆蓋，打造行業(yè)領(lǐng)先的OTP IP解決方案，為消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域注入安全存儲新動能。

銳成芯微專利技術(shù)布局Anti-fuse OTP IP

得益于在嵌入式非易失性存儲（eNVM）IP領(lǐng)域多年的積累，構(gòu)建了全球知識產(chǎn)權(quán)體系，銳成芯微自主研發(fā)的反熔絲Anti-fuse OTP，目前已獲得美國、韓國等海內(nèi)外國家和地區(qū)的專利授權(quán)，覆蓋反熔絲型存儲單元及存儲器結(jié)構(gòu)等關(guān)鍵領(lǐng)域，提供安全可控的IP解決方案。

該專利技術(shù)兼具高可靠性、讀取速度快、寬讀取電壓域適配等特性，尤其適用于40/22nm及FinFET先進工藝節(jié)點。

全工藝兼容，無需額外光罩。這一特性對22nm及以下FinFET工藝至關(guān)重要。額外光罩會使制造成本增加30%以上，同時引入良率波動風(fēng)險，通過工藝兼容設(shè)計，可直接降低客戶流片成本與周期，提升方案市場競爭力。

銳成芯微22nm Anti-fuse OTP IP實測：適配低功耗場景核心需求

22nm作為AIoT、可穿戴設(shè)備及汽車電子等領(lǐng)域芯片的核心制程，這些應(yīng)用對嵌入式非易失性存儲（eNVM）的低功耗、高可靠性、抗干擾能力需求突出，而該制程下eNVM IP開發(fā)面臨短通道效應(yīng)、寄生電容等挑戰(zhàn)。得益于多年自主研發(fā)經(jīng)驗及專利積累，銳成芯微基于22nm ULL（Ultra-Low Leakage，超低漏電?）工藝平臺開發(fā)了反熔絲Anti-fuse OTP IP，在測試中表現(xiàn)出了優(yōu)異性能。

Anti-fuse OTP的核心價值體現(xiàn)在卓越的安全性、超低靜態(tài)功耗、高編程良率與可靠性、工藝兼容性與靈活性等，銳成芯微的Anti-fuse OTP IP的核心性能可通過實測數(shù)據(jù)直觀呈現(xiàn)。

關(guān)鍵性能參數(shù)

編程電壓

● IP支持單電源供電編程，無需額外升壓模塊, 能有效簡化電源設(shè)計復(fù)雜度；

● 編程電壓范圍：3.0V~3.5V，支持低功耗制造工藝；

● 在22nm工藝節(jié)點中具備顯著優(yōu)勢；

● 適合物聯(lián)網(wǎng)終端、可穿戴設(shè)備等電池供電產(chǎn)品的需求。

圖1：編程電壓范圍（3.0V~3.5V）

編程時間

● 支持多檔位編程時間配置: 20us/50us/100us；

● 用戶可根據(jù)實際應(yīng)用需要，靈活調(diào)節(jié)編程時間，提高生成效率。

圖2：可配置多檔位編程時間(20us/50us/100us)

讀數(shù)閾值

● 編程前、后Icell電流閾值充分注

>25uA @ Vps = 0.8V;

>40uA @ Vps = 0.9V;

● 確保足夠冗余。

*注：讀取電流遠超20uA閾值，確保了充足的讀數(shù)冗余與可靠性。

圖3. 存儲單元讀0/讀1電流閾值

可靠性（耐久度）

● 經(jīng)72小時250℃高溫烘烤后，Icell數(shù)值無變化；

● 產(chǎn)品適用于汽車電子發(fā)動機艙、工業(yè)控制高溫工況等嚴苛場景；

● 存儲ECU固件、以及關(guān)鍵配置參數(shù)等核心數(shù)據(jù)。

圖4. 存儲單元經(jīng)過72h 250℃ 高溫烘烤后 Icell無變化

銳成芯微eNVM IP戰(zhàn)略：覆蓋全場景需求

銳成芯微深耕嵌入式非易失性存儲（eNVM）IP十余載，與全球20余家晶圓廠和過百家芯片設(shè)計公司達成了eNVM IP合作，在MTP、BCD eFlash、Floating Gate OTP等領(lǐng)域已取得良好的成績。銳成芯微eNVM IP獲得國內(nèi)外頭部芯片設(shè)計企業(yè)采用，包括三家全球前十大Fabless芯片公司。

隨著工藝往前演進，銳成芯微加大投入，進一步布局反熔絲Anti-fuse OTP IP和新型存儲RRAM IP，作為現(xiàn)有嵌入式非易失性存儲IP的補充，從而為客戶提供更全面的eNVM IP支持。22nm Anti-fuse OTP IP的推出，是銳成芯微eNVM戰(zhàn)略布局的重要組成部分。

未來，銳成芯微將繼續(xù)深耕嵌入式非易失性存儲IP，協(xié)同晶圓廠和芯片設(shè)計公司上下游伙伴，深化工藝與應(yīng)用場景的融合，以自主核心技術(shù)為支撐，為市場提供高品質(zhì)的、特色化的嵌入式非易失性存儲IP技術(shù)與服務(wù)。

關(guān)于銳成芯微

成都銳成芯微科技股份有限公司（簡稱：Actt；銳成芯微）成立于2011年，是集成電路知識產(chǎn)權(quán)（IP）產(chǎn)品設(shè)計、授權(quán)的國家級“專精特新”高新技術(shù)企業(yè)。公司立足低功耗技術(shù)，逐步發(fā)展和構(gòu)建完成以模擬及數(shù)模混合IP、嵌入式存儲IP、無線射頻通信IP及有線連接接口IP為主的產(chǎn)品格局，擁有國內(nèi)外專利超150件，先后與全球超30家晶圓廠建立了合作伙伴關(guān)系，覆蓋平面CMOS、FinFET、eFlash、BCD等多種工藝平臺，累計推廣IP 1000多項，服務(wù)全球數(shù)百家集成電路設(shè)計企業(yè)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、無線通信、邊緣計算等領(lǐng)域。

銳成芯微始終以為合作伙伴提供高品質(zhì)的IP產(chǎn)品與服務(wù)為中心，秉承誠信、責(zé)任、合作、共贏的價值理念，致力于打造深度協(xié)同的合作關(guān)系，成為產(chǎn)業(yè)生態(tài)中卓越的集成電路IP伙伴。