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MAX8535:冗余電源的ORing MOSFET控制器

h1654155282.3538 ? 2026-02-05 16:15 ? 次閱讀
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MAX8535/MAX8536/MAX8536:冗余電源的ORing MOSFET控制器

在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,為提升系統(tǒng)可靠性,關(guān)鍵負(fù)載常采用并聯(lián)冗余電源。今天就來聊聊Maxim推出的MAX8535/MAX8536/MAX8585這幾款高度集成且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的MOSFET控制器,它們?yōu)楦呖煽啃韵到y(tǒng)提供隔離和冗余電源能力。

文件下載:MAX8535.pdf

產(chǎn)品概述

MAX8535/MAX8536/MAX8585適用于不同電壓系統(tǒng),其中MAX8535/MAX8585用于12V系統(tǒng),內(nèi)部電荷泵可將n通道傳輸元件的柵極驅(qū)動(dòng)至VCC + 10V;MAX8536用于3.3V和5V系統(tǒng),電荷泵輸出為VCC + 5V。

啟動(dòng)時(shí),這些控制器會(huì)監(jiān)測(cè)外部MOSFET兩端的電壓降,當(dāng)VCC接近或超過總線電壓時(shí),MOSFET開啟。其TIMER輸入引腳有雙重用途,通過連接到地的單個(gè)外部電阻可設(shè)置外部MOSFET的開啟速度,也可作為邏輯使能引腳。開啟后,持續(xù)監(jiān)測(cè)負(fù)載,提供過壓、欠壓和反向電流保護(hù)。過壓和欠壓故障閾值可調(diào)且可禁用,限流跳閘點(diǎn)由外部MOSFET的RDS(ON)設(shè)置,減少了元件數(shù)量。

產(chǎn)品特性

簡(jiǎn)單集成且低成本

這些控制器是簡(jiǎn)單、集成且經(jīng)濟(jì)的ORing MOSFET控制器,適用于12V(MAX8535/MAX8585)和3.3V或5V(MAX8536)總線,消除了ORing二極管的功耗和反向泄漏電流,為高可靠性系統(tǒng)提供N + 1冗余電源能力。

快速故障隔離

能在<1μs內(nèi)將故障電源與輸出總線隔離,實(shí)現(xiàn)快速故障隔離,保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

多功能保護(hù)

具備反向電流檢測(cè)功能,可檢測(cè)反向電流情況;支持可編程軟啟動(dòng),通過調(diào)整TIMER電阻設(shè)置電荷泵頻率實(shí)現(xiàn);還有邏輯使能輸入、可調(diào)過壓和欠壓跳閘點(diǎn)以及故障指示輸出等功能。

節(jié)省空間的封裝

采用節(jié)省空間的8引腳μMAX封裝,適用于對(duì)空間要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。

產(chǎn)品應(yīng)用

  • 服務(wù)器電源:可用于服務(wù)器的銀盒電源、刀片服務(wù)器的板載冗余電源。
  • 網(wǎng)絡(luò)/電信電源:適用于網(wǎng)絡(luò)/電信電源整流器。
  • 高可用性系統(tǒng):為高可用性系統(tǒng)中的冗余電源提供可靠控制。

電氣特性

電源相關(guān)參數(shù)

不同型號(hào)在不同VCC電壓和TIMER條件下,其電源電流、關(guān)斷電流、輸入電壓等參數(shù)有所不同。例如,在TIMER = 2.5V,VCC = 14V時(shí),MAX8535/MAX8535A/MAX8585的電源電流典型值為2mA,最大值為4.5mA。

電荷泵電壓

不同VCC電壓下,柵極電壓也不同。如VCC = 3.3V(MAX8536)時(shí),柵極電壓典型值為5.5V,最大值為6V。

其他參數(shù)

還包括TIMER電壓、故障輸出電壓、柵極驅(qū)動(dòng)電流、反向電流閾值等一系列電氣參數(shù),這些參數(shù)在不同條件下有相應(yīng)的取值范圍,設(shè)計(jì)時(shí)需根據(jù)具體應(yīng)用進(jìn)行合理選擇。

引腳說明

GATE

內(nèi)部電荷泵的輸出,驅(qū)動(dòng)外部MOSFET。啟動(dòng)時(shí),GATE電壓根據(jù)電荷泵頻率上升,電荷泵頻率增加會(huì)提高GATE驅(qū)動(dòng)電流。

GND

接地引腳。

VCC

電源輸入引腳,也是內(nèi)部電荷泵的輸入,直接連接到電源。啟動(dòng)時(shí),當(dāng)VCC高于欠壓閾值VCCOK且大于(CS - 0.4V)時(shí),電荷泵開啟,驅(qū)動(dòng)GATE使外部MOSFET導(dǎo)通。

UVP

欠壓輸入引腳,通過電阻分壓器連接到VCC和GND,設(shè)置欠壓故障閾值。若不使用,保持高阻抗。

TIMER

具有雙重功能,通過連接到地的電阻設(shè)置電荷泵頻率,范圍為100kHz至500kHz;連接到邏輯高電平時(shí),電荷泵以最大頻率550kHz運(yùn)行;拉低到地時(shí),電荷泵關(guān)閉,外部MOSFET關(guān)斷。

OVP

過壓輸入引腳,通過電阻分壓器連接到CS和GND,設(shè)置過壓故障閾值。若不使用,連接到地。

FAULT

開漏故障輸出引腳,故障時(shí)為低電平,正常運(yùn)行時(shí)為高阻抗,需連接上拉電阻。

CS

電流檢測(cè)輸入引腳,連接到系統(tǒng)總線的正端,用于測(cè)量外部MOSFET兩端的電壓降,確定工作模式。

應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)

選擇定時(shí)器電阻

通過連接從TIMER到GND的電阻設(shè)置內(nèi)部電荷泵的運(yùn)行頻率,計(jì)算公式為: [Frequency =5 timesleft(100 mu A-frac{1.25 V}{R_{TIMER }}right) kHz / mu A] 將TIMER拉到1.5V以上可獲得最大電荷泵頻率,拉到0.5V以下可禁用電荷泵,不連接時(shí)電荷泵頻率為500kHz。

選擇柵極電容和柵極電阻

電荷泵使用內(nèi)部單片傳輸電容為外部MOSFET柵極充電。通常,外部MOSFET的柵極電容足以作為儲(chǔ)能電容;若MOSFET與控制器距離較遠(yuǎn),可在GATE和GND之間放置一個(gè)0.01μF的旁路電容。為了獲得較慢的開啟時(shí)間,可在GATE和MOSFET柵極之間添加一個(gè)小電容和一個(gè)串聯(lián)電阻。

設(shè)置UVP和OVP故障閾值

設(shè)置欠壓鎖定閾值時(shí),使用連接在VCC和GND之間的電阻分壓器,中心節(jié)點(diǎn)連接到UVP;設(shè)置過壓閾值時(shí),使用連接在CS和GND之間的電阻分壓器,中心節(jié)點(diǎn)連接到OVP。

MOSFET選擇

選擇具有低RDS(ON)的MOSFET,可在MAX8535/MAX8536/MAX8585檢測(cè)到反向電流和正向電流條件之前,允許更多電流通過MOSFET。若不需要OVP功能,可使用單個(gè)MOSFET,將其源極連接到VCC,漏極連接到CS。

布局指南

  • 盡量縮短所有走線長(zhǎng)度,增加大電流走線寬度,減少寄生電感的影響。
  • 為了散熱,使功率走線盡可能寬,增加銅面積,并將控制器盡可能靠近外部MOSFET的漏極。
  • 在表面貼裝封裝上,可在電路板兩側(cè)的MOSFET封裝下方布置兩個(gè)銅焊盤,通過過孔連接到接地平面,并在電路板頂面使用擴(kuò)大的銅安裝焊盤。
  • 使用接地平面來最小化阻抗和電感。
  • 對(duì)VCC和CS進(jìn)行旁路處理,防止出現(xiàn)誤故障。

總結(jié)

MAX8535/MAX8536/MAX8585這幾款ORing MOSFET控制器憑借其高集成度、低成本、快速故障隔離和多功能保護(hù)等特性,為冗余電源系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需根據(jù)具體需求,合理選擇和設(shè)置相關(guān)參數(shù),并遵循布局指南進(jìn)行設(shè)計(jì),以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用這些控制器時(shí),有沒有遇到過什么特別的問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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