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MAX5976A:2.7V 至 18V、7A 熱插拔解決方案解析

h1654155282.3538 ? 2026-02-09 16:10 ? 次閱讀
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MAX5976A/MAX5976B:2.7V 至 18V、7A 熱插拔解決方案解析

在電子設(shè)計領(lǐng)域,熱插拔功能對于需要在帶電背板上安全插入和移除電路板的應(yīng)用至關(guān)重要。今天我們要探討的主角——MAX5976A/MAX5976B,就是兩款專為這類熱插拔應(yīng)用設(shè)計的集成解決方案。

文件下載:MAX5976A.pdf

產(chǎn)品概述

MAX5976A/MAX5976B 將熱插拔控制器、24mΩ 功率 MOSFET電子斷路器保護集成在一個封裝內(nèi),適用于 2.7V 至 18V 的電源電壓保護。該產(chǎn)品可在啟動期間提供浪涌電流控制和短路檢測,在正常運行時提供針對過載和短路情況的斷路器保護。當負載電流超過斷路器限制時,斷路器功能會切斷負載的電源。而且,這兩款器件在出廠時經(jīng)過校準,能以 ±10% 的精度提供精確的過流保護。

在故障情況下,MAX5976A 會進入自動重試模式,而 MAX5976B 則會鎖存關(guān)閉。它們都具備電阻可調(diào)的可變速度斷路器閾值和過溫保護功能,還提供電源正常和故障指示輸出。該 IC 采用 16 引腳、5mm x 5mm 的 TQFN - EP 封裝,工作溫度范圍為 -40°C 至 +85°C。

應(yīng)用場景

MAX5976A/MAX5976B 的應(yīng)用場景十分廣泛,涵蓋了 RAID 系統(tǒng)、存儲橋接灣、磁盤驅(qū)動器電源、服務(wù)器 I/O 卡以及工業(yè)領(lǐng)域等。在這些應(yīng)用中,熱插拔功能可以提高系統(tǒng)的可維護性和可用性,減少停機時間。

產(chǎn)品特性

寬工作電壓范圍

2.7V 至 18V 的工作電壓范圍,使其能夠適應(yīng)多種不同的電源環(huán)境,為不同的應(yīng)用提供了更大的靈活性。

低導通電阻

內(nèi)部集成的 24mΩ 功率 MOSFET,可有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率。

大負載電流能力

具備 7A 的負載電流能力,能夠滿足大多數(shù)負載的功率需求。

無需檢測電阻

這一特性簡化了電路設(shè)計,減少了外部元件的使用,降低了成本和 PCB 面積。

精確的斷路器閾值

±10% 的斷路器閾值精度,確保了過流保護的準確性,提高了系統(tǒng)的可靠性。

可調(diào)的斷路器電流

通過外部電阻可以調(diào)整斷路器電流,方便用戶根據(jù)實際應(yīng)用需求進行定制。

可變速度斷路器響應(yīng)

可變速度的斷路器響應(yīng)能夠根據(jù)過流情況快速做出反應(yīng),同時也能容忍負載瞬變和接近斷路器閾值的噪聲。

熱保護功能

當芯片溫度過高時,熱保護功能會自動啟動,關(guān)閉內(nèi)部功率 MOSFET,防止芯片損壞。

電源正常和故障輸出

電源正常和故障輸出信號可以方便用戶實時監(jiān)控系統(tǒng)的工作狀態(tài),及時發(fā)現(xiàn)并處理故障。

鎖存關(guān)閉或自動重試選項

用戶可以根據(jù)實際需求選擇鎖存關(guān)閉或自動重試模式,提高系統(tǒng)的靈活性。

驅(qū)動存在信號輸入

驅(qū)動存在信號輸入可以用于檢測外部設(shè)備的存在,進一步增強系統(tǒng)的控制能力。

高低電平使能

支持高電平或低電平使能,方便與不同的控制信號接口

電氣特性

輸入電源電壓范圍

輸入電源電壓范圍為 2.7V 至 18V,能夠適應(yīng)多種不同的電源環(huán)境。

輸入電源電流

在特定條件下,輸入電源電流的閾值為 5 至 7.5mA。

欠壓鎖定

默認欠壓鎖定閾值為 2.35V 至 2.65V,欠壓鎖定遲滯為 0.1V。

ON1 開啟閾值

ON1 開啟閾值為 1.17V 至 1.25V,開啟閾值遲滯為 0.1V。

電流限制

通過不同的外部電阻值,可以設(shè)置不同的電流限制,如 RCB = 40kΩ 時,電流限制為 6.3A 至 7.7A。

邏輯輸入

邏輯輸入的低電壓輸入為 0.4V,高電壓輸入為 1.4V。

開漏輸出

故障和電源正常輸出的低電壓為 0.4V,高泄漏電流為 1μA。

定時

自動重啟延遲為 250ms,電源正常斷言延遲為 16ms,電源正常閾值為 0.9 x VIN。

熱保護

熱關(guān)斷閾值為 150°C,熱關(guān)斷閾值遲滯為 20°C。

引腳配置與功能

引腳配置

MAX5976A/MAX5976B 采用 16 引腳的 TQFN - EP 封裝,引腳配置如下: PIN NAME FUNCTION
1 GND 接地
2 - 5 IN 電源電壓輸入,連接到內(nèi)部 24mΩ MOSFET 的漏極
6 FAULT 故障狀態(tài)輸出,開漏、低電平有效
7 PG 電源正常輸出,開漏、高電平有效
8 - 11 OUT 負載連接點,內(nèi)部功率 MOSFET 的源極
12 PRESDET 低電平有效存在檢測邏輯輸入
13 ON2 低電平使能邏輯輸入
14 CB 電流限制閾值設(shè)置
15 REG 內(nèi)部穩(wěn)壓器輸出
16 ON1 高電平使能比較器輸入
EP 外露焊盤,內(nèi)部接地,用于有效散熱

引腳功能

  • GND:作為整個芯片的接地引腳,為電路提供參考電位。
  • IN:連接電源電壓,同時需要通過 1μF 電容旁路到地,并添加瞬態(tài)電壓抑制二極管進行輸出短路保護。
  • FAULT:當出現(xiàn)過流或過溫情況觸發(fā)關(guān)機時,該引腳輸出低電平,指示故障狀態(tài)。
  • PG:在內(nèi)部功率 MOSFET 完全增強之前,該引腳輸出低電平,之后變?yōu)楦唠娖?,表示電源正?!?/li>
  • OUT:連接負載,是內(nèi)部功率 MOSFET 的源極。
  • PRESDET:低電平有效,當該引腳拉低且 ON2 為低、ON1 為高時,使能輸出。
  • ON2:低電平使能,與 PRESDET 和 ON1 配合控制輸出的開啟和關(guān)閉。
  • CB:通過連接到地的電阻來設(shè)置斷路器閾值。
  • REG:內(nèi)部穩(wěn)壓器輸出,需要通過 1μF 電容旁路到地,且不能用于為外部電路供電。
  • ON1:高電平使能比較器輸入,同時也用于設(shè)置欠壓閾值。
  • EP:外露焊盤需要連接到接地平面,以實現(xiàn)有效的散熱,但不能作為唯一的接地連接。

工作原理

使能邏輯和欠壓鎖定閾值

MAX5976A/MAX5976B 的輸出使能由 ON1、ON2 和 PRESDET 引腳控制。只有當 ON1 高于閾值(典型值 1.21V),且 ON2 和 PRESDET 為低電平時,輸出才會開啟。當 ON1 低于閾值減去遲滯電壓,或者 ON2 或 PRESDET 高于高電平輸入電壓時,輸出會關(guān)閉。通過從 IN 到 ON1 和地的電阻分壓器,可以將欠壓鎖定閾值設(shè)置在 VUVLO 和 18V 之間的任意所需電平。

啟動過程

當輸出使能后,MAX5976A/MAX5976B 會以約 18kV/s 的速度向負載施加電源,直到達到編程的斷路器電流水平。此時,芯片會主動將浪涌電流限制在斷路器設(shè)置值。通過選擇合適的 RCB 電阻,可以輕松編程浪涌電流。啟動模式將持續(xù)長達 16ms,如果在 16ms 內(nèi)輸出電壓未能上升到 IN 電位,或者芯片仍處于電流限制狀態(tài),則會關(guān)閉輸出并將 FAULT 引腳拉低。

電荷泵

集成的電荷泵為內(nèi)部功率 MOSFET 提供柵極驅(qū)動電壓,它會在 VIN 之上產(chǎn)生 +5V 的電位,以完全增強內(nèi)部功率 MOSFET。

斷路器比較器

內(nèi)部功率 MOSFET 的電流會與斷路器閾值進行比較,該閾值由 CB 和地之間的外部電阻設(shè)置。斷路器比較器設(shè)計為允許負載電流在一定時間內(nèi)超過閾值,時間延遲與超過閾值的過載量成反比。此外,芯片還具備災(zāi)難性短路保護功能,當 OUT 直接短路到地時,快速保護電路會迅速使內(nèi)部 MOSFET 的柵極放電,斷開輸出與輸入的連接。

自動重試/鎖存關(guān)閉

在故障情況下,內(nèi)部 MOSFET 會關(guān)閉,斷開輸出與輸入的連接。MAX5976A 會進入自動重試模式,在 250ms 的鎖定時間后嘗試重新連接;而 MAX5976B 則會鎖存關(guān)閉,直到使能邏輯重新循環(huán)。

電源正常延遲

開漏的電源正常輸出在輸出電壓上升到輸入電壓的 90% 以上 16ms(典型值)后變?yōu)楦咦钁B(tài),指示啟動成功。

REG 引腳

芯片內(nèi)部的線性穩(wěn)壓器在 REG 引腳輸出 2.6V 電壓,為內(nèi)部電路塊供電,該引腳不能外接負載,且需要一個 1μF 電容接地以確保正常工作。

故障狀態(tài)輸出(FAULT)

FAULT 是一個開漏輸出引腳,當出現(xiàn)電流限制或過溫故障關(guān)機時,該引腳會拉低,直到下一個啟動周期。它能夠吸收高達 5mA 的電流。

熱保護

當芯片因功耗過大或環(huán)境溫度過高而過熱時,會進入熱關(guān)斷模式。當結(jié)溫超過 150°C(典型值)時,內(nèi)部熱保護電路會關(guān)閉內(nèi)部功率 MOSFET。當結(jié)溫下降 20°C(典型值)后,芯片會從熱關(guān)斷模式中恢復。

應(yīng)用信息

設(shè)置欠壓閾值

通過在 ON1 和地之間使用電阻分壓器,可以對欠壓鎖定閾值進行編程。計算公式為: [R1 = left(frac{V{IN}}{V{ON1_TH}} - 1right) × R2] 其中,VIN 是輸出所需的開啟電壓,VON1_TH 為 1.21V(典型值)。在正常工作條件下,ON1 必須保持高于其 1.21V(典型值)的閾值,否則內(nèi)部 MOSFET 會關(guān)閉。

設(shè)置電流限制

通過從 CB 到地的外部電阻可以設(shè)置電流限制,計算公式為: [LIMIT (A) = left(frac{0.175 A}{1000 Omega}right) × R_{CB}(Omega)] 用戶可以根據(jù)實際需求選擇合適的電阻值來設(shè)置電流限制。

總結(jié)

MAX5976A/MAX5976B 是一款功能強大、性能優(yōu)越的熱插拔解決方案,具有寬工作電壓范圍、大負載電流能力、精確的過流保護等諸多優(yōu)點。其豐富的特性和靈活的配置選項,使其能夠滿足不同應(yīng)用場景的需求。在實際設(shè)計中,電子工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用要求,合理選擇和使用該芯片,以提高系統(tǒng)的可靠性和性能。你在使用熱插拔芯片時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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