電子發(fā)燒友網綜合報道 3 月 11 日，IBM 與美國半導體設備制造商泛林（Lam Research）共同宣布一項為期五年的戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將聚焦亞 1nm 尖端邏輯制程的開發(fā)。這一合作標志著半導體行業(yè)向“埃米時代”（Angstrom Era，1 納米 = 10 埃米）邁出實質性一步，也揭示出在 AI 算力需求爆發(fā)式增長的背景下，產業(yè)界如何應對逼近物理極限的制造挑戰(zhàn)。

當前，全球半導體產業(yè)正處于關鍵轉型期。一方面，生成式 AI、高性能計算、邊緣計算等新興領域快速發(fā)展，催生了對更高算力、更低功耗芯片的爆發(fā)式需求，傳統(tǒng)制程在性能與功耗的平衡上已逐漸逼近極限；另一方面，半導體制程向 2nm 及以下節(jié)點演進時，硅基材料的物理特性帶來難以逾越的瓶頸，量子隧穿效應、短溝道效應愈發(fā)顯著，傳統(tǒng)平面微縮路徑已難以為繼，行業(yè)亟需在材料、工藝、設備協(xié)同創(chuàng)新中尋找新突破。

在此背景下，亞 1nm 制程已成為全球半導體企業(yè)競爭的核心賽道。目前，臺積電、三星、英特爾等國際巨頭均已布局相關技術研發(fā)：臺積電計劃在 2030 年實現(xiàn) 1nm 制程量產，三星則通過引進 High NA EUV 設備加速下一代制程布局。
單一企業(yè)的技術積累已難以滿足尖端制程研發(fā)的復雜需求，“研發(fā) + 設備” 強強聯(lián)合成為破解技術瓶頸的必然選擇，這也為 IBM 與泛林的深度合作奠定了行業(yè)基礎。

根據協(xié)議，雙方將重點聚焦三大核心領域：
·新材料研發(fā)：探索適用于亞 1nm 節(jié)點的晶體管溝道、柵極及互連材料。
·先進蝕刻 / 沉積工藝：開發(fā)原子級別的蝕刻（ALE）和原子層沉積（ALD）技術，以構建復雜的 3D 器件結構。
·High-NA EUV 光刻聯(lián)合開發(fā)：攻克高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術從圖案化到器件轉移的完整工藝鏈，保障高良率。

雙方將結合 IBM 位于紐約州奧爾巴尼園區(qū)的先進研究能力與泛林的端到端工藝工具和創(chuàng)新技術，共同構建并驗證納米片、納米堆疊器件以及背面供電的完整工藝流程。這些能力旨在將 High NA EUV 圖案可靠地轉移到實際器件層中，實現(xiàn)高良率，并支持持續(xù)微縮化、性能提升以及未來邏輯器件的可行量產路徑。

IBM 半導體總經理 Mukesh Khare 表示：“十多年來，泛林一直是 IBM 的重要合作伙伴，為邏輯微縮和器件架構方面的關鍵突破做出了貢獻，例如納米片技術，以及 IBM 于 2021 年發(fā)布的全球首款 2nm 節(jié)點芯片。我們很高興能夠擴大合作，共同應對下一階段的挑戰(zhàn)，推動高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術與 1nm 以下節(jié)點工藝落地?！?br />
泛林首席技術與可持續(xù)發(fā)展官 Vahid Vahedi 則指出：“隨著行業(yè)進入 3D 微縮的新時代，技術進步取決于重新思考如何將材料、工藝和光刻技術整合為單一的高密度系統(tǒng)。我們很榮幸能在與 IBM 成功合作的基礎上，進一步推動 High NA EUV 干式光刻膠與工藝突破，加速開發(fā)低功耗、高性能晶體管，這對 AI 時代至關重要。”