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工業(yè)級(jí)板載存儲(chǔ)新選擇:創(chuàng)世 SD NAND 實(shí)測

深圳市雷龍發(fā)展有限公司 ? 2026-03-17 18:15 ? 次閱讀
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目錄

前言

一、初識(shí)SDNAND:工業(yè)級(jí)板載存儲(chǔ)的專屬選手

1.1SDNAND基本概念

1.2、芯片實(shí)物圖及核心特點(diǎn)

1.3、內(nèi)部原理圖

二、核心參數(shù)與技術(shù)優(yōu)勢

2.1、核心規(guī)格

2.2自研控制器與Flash管理算法

2.2.1、自研控制器優(yōu)勢

2.2.2、四大Flash管理算法

2.3、與同類產(chǎn)品對比:穩(wěn)省快的平衡之選

三、芯片實(shí)測表現(xiàn)

3.1、測試寫入讀回速度

3.2測試燒錄代碼功能

總結(jié)

————————————————

前言

近期很榮幸受到深圳市雷龍發(fā)展有限公司的邀請,嘗試測評(píng)其代理的創(chuàng)世SDNAND存儲(chǔ)芯片樣品,他們給我郵寄了一顆128mbyte的SDNAND(CSNP1GCR01-AOW)以及一塊轉(zhuǎn)接板。

不得不說的是雷龍的效率非常高,博主當(dāng)天交流完,立馬就發(fā)了順豐,第二天就到了,這波真是深圳速度的具象化了。

而且很貼心的幫我把芯片和轉(zhuǎn)接板給焊好了,這波相當(dāng)于開箱即食了。

深圳市雷龍發(fā)展有限公司是一家專注NANDFlash設(shè)計(jì)研發(fā)的公司

一、初識(shí)SDNAND:工業(yè)級(jí)板載存儲(chǔ)的專屬選手

1.1SDNAND基本概念

相信大家用的比較多的是TFSD卡,創(chuàng)世SDNAND可以理解為:貼片式TF卡、貼片式SD卡。這樣大家應(yīng)該對此產(chǎn)品有個(gè)簡單的概念了。

大家可以把SDNAND簡單的理解為把TF/SD卡做成了一個(gè)6*8mmLGA-8封裝,可以機(jī)貼的存儲(chǔ)芯片。

1.2、芯片實(shí)物圖及核心特點(diǎn)

下面兩張圖是芯片的實(shí)物圖:

128mbyte的SDNAND CSNP1GCR01-AOW

芯片正面圖

1Gbit的SDNAND CSNP1GCR01-AOW

芯片背面圖

貼片焊接設(shè)計(jì):LGA-8封裝,直接焊接在PCB板上,無插拔損耗,抗震、抗干擾性拉滿,適配工業(yè)設(shè)備的嚴(yán)苛環(huán)境;

尺寸小巧:僅6×8mm,比傳統(tǒng)TF卡座+TF卡方案節(jié)省大量PCB空間,特別適合小型化手持設(shè)備、智能終端;

高集成度:自帶壞塊管理與Flash管理算法,無需編寫驅(qū)動(dòng)程序,標(biāo)準(zhǔn)SDIO接口兼容SPI/SD協(xié)議,直接移植標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)即可使用;

工業(yè)級(jí)壽命與穩(wěn)定性:內(nèi)置SLC晶圓擦寫壽命可達(dá)10萬次,通過1萬次隨機(jī)掉電測試,支持-40℃~+85℃寬溫工作,遠(yuǎn)超消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品。

1.3、內(nèi)部原理圖

下圖是芯片的內(nèi)部原理圖:

128mbyte的SDNAND CSNP1GCR01-AOW 內(nèi)部原理圖

接下來我便詳細(xì)講解一下這個(gè)原理圖:

電源濾波:

VCC引腳(第8腳)接3.3V供電,搭配兩顆濾波電容C1(104,即0.1μF)、C2(103,即0.01μF),官方推薦額外增加2.2μF電容進(jìn)一步優(yōu)化電源穩(wěn)定性,適配工業(yè)環(huán)境的電源波動(dòng)。

VSS引腳(第4腳)直接接地,完成電源回路。

時(shí)鐘線設(shè)計(jì):

CLK引腳(第3腳)串接33Ω電阻R2-A(官方推薦范圍0~120Ω)

用于抑制信號(hào)反射、減少電磁干擾,保證高速時(shí)鐘信號(hào)的完整性,避免傳輸誤碼。

上拉電阻設(shè)計(jì):

CMD和DAT0~3線均需接10K~100KΩ上拉電阻(圖中R3-A~R7-A),防止SDNAND進(jìn)入高阻態(tài)時(shí)總線浮空,避免總線電平不確定導(dǎo)致的通信異常。

注意:即使僅使用1-bitSD模式,也必須對DAT0~3全部上拉,這是保證總線穩(wěn)定的關(guān)鍵。

數(shù)據(jù)與命令線:

SDD0~SDD3(數(shù)據(jù)總線)、CMD(命令線)直接連接到主控的SDIO引腳,配合上拉電阻完成通信鏈路,無需額外驅(qū)動(dòng)器件。

二、核心參數(shù)與技術(shù)優(yōu)勢

2.1、核心規(guī)格

CS創(chuàng)世1Gbit 128mbyte的SD NAND CSNP1GCR01-AOW 核心參數(shù)詳細(xì)說明

2.2自研控制器與Flash管理算法

雷龍SDNAND的核心競爭力在于自研控制器+四大Flash管理算法

2.2.1、自研控制器優(yōu)勢

CS創(chuàng)世的SD NAND控制器優(yōu)勢介紹

2.2.2、四大Flash管理算法

產(chǎn)品內(nèi)置了均衡磨損、壞塊替換、掉電保護(hù)、數(shù)據(jù)校驗(yàn)四大核心算法,從底層保證了工業(yè)場景下的數(shù)據(jù)可靠性,這是普通消費(fèi)級(jí)TF卡完全無法比擬的。如下圖所示:

CS創(chuàng)世1Gbit SD NAND 四大FLASH管理算法

2.3、與同類產(chǎn)品對比:穩(wěn)省快的平衡之選

雷龍SDNAND在工業(yè)存儲(chǔ)選型中,完美填補(bǔ)了TF卡、RawNAND、eMMC之間的空白

創(chuàng)世SD NAND在工業(yè)存儲(chǔ)選型中,與TF卡、RawNAND、eMMC之間對比維度

三、芯片實(shí)測表現(xiàn)

3.1、測試寫入讀回速度

下圖就是雷龍給我郵寄的樣品,可以看到128mbyte的SDNAND與轉(zhuǎn)接板已經(jīng)焊好了。

已焊接的貼片sd卡 128mbyte的SDNAND與轉(zhuǎn)接板樣品

使用方法如下,插入讀卡器,再插入USB接口

已焊接的SD NAND插入讀卡器,再插入U(xiǎn)SB接口

插入U(xiǎn)SB如下圖所示:

已焊接的SD NAND樣品已插到USB

可以看到電腦上一句多了個(gè)sd卡設(shè)備

SD NAND在PC端顯示sd卡設(shè)備

寫入一個(gè)109MB的文件,平均速度在4MB/s

CSNP1GCR01-AOW平均速度在4MB/s

再將其讀回到電腦硬盤,讀取平均速度可以達(dá)到20MB/s。

CSNP1GCR01-AOW讀取平均速度可以達(dá)到20MB/s

3.2測試燒錄代碼功能

這里我們使用imx6ull開發(fā)板進(jìn)行測試,首先咱們從ubuntu中把代碼燒錄進(jìn)sd卡,還是插入讀卡器,先用ls/dev/sd*查看地址。

SD NAND    這里我們使用imx6ull開發(fā)板進(jìn)行測試,首先咱們從ubuntu中把代碼燒錄進(jìn)sd卡,還是插入讀卡器,先用ls/dev/sd*查看地址

我的是/dev/sdb。

再給予imxdownload可執(zhí)行權(quán)限:

chmod777imxdownload

這里我們燒寫led亮實(shí)驗(yàn)

燒寫命令:

./imxdownloadledc.bin/dev/sdb

如下圖所示:

創(chuàng)世SD NAND燒寫led亮實(shí)驗(yàn)燒寫命令:./imxdownloadledc.bin/dev/sdb

燒寫成功,再把卡插入開發(fā)板,并使用SD卡啟動(dòng)。如下圖所示:

CS 創(chuàng)世 SD NAND 燒寫成功,再把卡插入開發(fā)板,并使用SD卡啟動(dòng)

最終開發(fā)板成功啟動(dòng),LED正常點(diǎn)亮,證明SDNAND完全可以替代傳統(tǒng)TF卡作為系統(tǒng)啟動(dòng)介質(zhì),兼容性拉滿。

總結(jié)

通過本次實(shí)測,我對創(chuàng)世SDNAND(CSNP1GCR01-AOW)的整體表現(xiàn)非常滿意,對于嵌入式開發(fā)者來說,如果你正在為工業(yè)項(xiàng)目尋找一款穩(wěn)定、小巧、易用、成本可控的板載存儲(chǔ)方案,又不想被TF卡座的可靠性問題困擾,那么這款創(chuàng)世SDNAND絕對值得一試。它不僅能縮小產(chǎn)品體積、提升設(shè)備穩(wěn)定性,還能大幅降低開發(fā)與維護(hù)成本,是工業(yè)存儲(chǔ)領(lǐng)域的優(yōu)質(zhì)新選擇。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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