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新品發(fā)布:Z4001C——高精度PXIe LCR Meter

聯(lián)訊儀器 ? 來源:聯(lián)訊儀器 ? 作者:聯(lián)訊儀器 ? 2026-03-18 11:42 ? 次閱讀
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引言

最新突破:聯(lián)訊儀器隆重推出Z4001C,20Hz~2MHz、DC Bias ±40V、Precision PXIe LCR Meter

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半導(dǎo)體測(cè)試、汽車電子、無源器件行業(yè)正在經(jīng)歷同一場(chǎng)變革:測(cè)試頻率向MHz級(jí)躍升,偏置電壓逐漸突破40V。與此同時(shí),要求單工位測(cè)試效率持續(xù)提升。

傳統(tǒng)臺(tái)式LCR表在產(chǎn)線部署中面臨兩難困境——增加機(jī)臺(tái)保住了效率,卻撐爆了機(jī)柜;減少通道保住了空間,卻降低了產(chǎn)能。市場(chǎng)對(duì)阻抗測(cè)試的訴求,正從“單臺(tái)性能”轉(zhuǎn)向“系統(tǒng)密度”。

基于 PXIe 架構(gòu)的模塊化儀表所具備的優(yōu)勢(shì),在此時(shí)得到充分彰顯。20Hz-2MHz全頻段5位分辨率、0.05%基本精度、±40V內(nèi)置偏置,全部壓縮進(jìn)雙槽3U板卡。該方案無需外接偏置源,無需在精度與通道數(shù)之間取舍。單機(jī)箱可擴(kuò)展至8張Z4001C(18槽PXIe機(jī)箱),支持多卡同步觸發(fā)或與PXIe SMU等模塊混插,直接提升并行測(cè)試吞吐量。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

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基準(zhǔn)精度:0.05%基本精度,高低阻抗測(cè)量皆可信賴。

寬頻精密:20Hz-2MHz全范圍5位分辨率。支持全頻段特性掃描。

高偏置能力:內(nèi)置±40V直流偏置,省去外置偏置源及線纜,降低系統(tǒng)復(fù)雜性,避免噪聲引入。

高效掃描:100萬點(diǎn)海量掃描,快速構(gòu)建器件阻抗-頻率-偏置三維特性圖譜。

采用PXIe模塊化架構(gòu),支持自定義大批量集成

·基于PXIe協(xié)議,支持多卡同步觸發(fā)或并行測(cè)試;單機(jī)箱最大支持8張Z4001C板卡擴(kuò)展。

·可以與PXIe SMU 等其他PXIe 儀表組成多功能測(cè)試設(shè)備。

·采用標(biāo)準(zhǔn)SCPI進(jìn)行控制,提供C#Python、C/C++、LabVIEW編程語言接口,大幅降低測(cè)試系統(tǒng)中的軟件集成難度。

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典型應(yīng)用

半導(dǎo)體晶圓與器件測(cè)試

在晶圓級(jí)參數(shù)測(cè)試中,需對(duì)晶圓上每一個(gè)芯片完成CV/IV特性提取與工藝參數(shù)監(jiān)控;MEMS及集成無源器件(IPD)則要求精確表征微型傳感器電容和諧振特性。高密度PXIe LCR方案在單機(jī)箱內(nèi)集成多塊板卡,配合開關(guān)矩陣實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化測(cè)試。

無源器件量產(chǎn)測(cè)試

多層陶瓷電容器MLCC)產(chǎn)線需在高吞吐量下同步驗(yàn)證容值、損耗及偏壓特性;電感與無源濾波器則面臨多工位感量、Q值并行測(cè)試的產(chǎn)能壓力。多通道高密度直接提升產(chǎn)線節(jié)拍,顯著降低單件測(cè)試成本。

研發(fā)驗(yàn)證與特性分析

功率電感與變?nèi)?a target="_blank">二極管的表征需在不同頻率及±40V高直流偏置電壓下完成掃描;材料研究領(lǐng)域常要求執(zhí)行百萬點(diǎn)級(jí)精細(xì)掃描以繪制完整特性圖譜。內(nèi)置高壓偏置與海量掃描能力支撐深度分析,模塊化架構(gòu)更便于集成多種儀器,靈活構(gòu)建混合測(cè)試系統(tǒng)。

聯(lián)訊儀器,不止儀器

聯(lián)訊深知,使用高精度工具需要一定經(jīng)驗(yàn)。為此,我們準(zhǔn)備了:

開箱即用的測(cè)量軟件:內(nèi)置針對(duì)常見半導(dǎo)體器件的測(cè)試算法,減少您的設(shè)置時(shí)間。

詳盡的應(yīng)用筆記:圍繞常見測(cè)量場(chǎng)景及問題,提供一步步的操作方法和數(shù)據(jù)分析建議。

專業(yè)的技術(shù)支持:聯(lián)訊應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)隨時(shí)準(zhǔn)備為您解答在測(cè)量搭建和數(shù)據(jù)分析中遇到的具體問題。

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審核編輯 黃宇

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