3月11日，以“智驅(qū)未來(lái)?芯聚生態(tài)”為主題的 2026第三屆功率半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用與裝備展覽會(huì)暨金剛石產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展論壇 在 合肥 舉行。大會(huì)匯聚了來(lái)自產(chǎn)業(yè)企業(yè)、科研院所、行業(yè)機(jī)構(gòu)等多方代表，圍繞功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)、產(chǎn)業(yè)協(xié)同以及應(yīng)用場(chǎng)景等議題展開(kāi)交流。

作為國(guó)內(nèi)功率器件領(lǐng)域企業(yè)之一，江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司董事長(zhǎng)夏華忠先生受邀出席了本次會(huì)議，與業(yè)內(nèi)專家及企業(yè)代表共同探討行業(yè)發(fā)展方向，并關(guān)注功率半導(dǎo)體技術(shù)在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)控制等領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展。

近年來(lái)，隨著新能源、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心及人工智能等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體在電能轉(zhuǎn)換與控制中的重要性不斷提升。在高壓、大電流、高頻應(yīng)用需求驅(qū)動(dòng)下，器件對(duì)效率、可靠性和散熱能力提出更高要求，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料正加速規(guī)模化應(yīng)用。同時(shí)，行業(yè)技術(shù)也正圍繞功率密度提升持續(xù)演進(jìn)，推動(dòng)功率模塊向集成化、高效化、輕量化方向發(fā)展，封裝與散熱技術(shù)成為關(guān)鍵突破點(diǎn)。

會(huì)議交流之外，董事長(zhǎng)夏華忠先生還與中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所、中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司等多家企業(yè)代表圍繞第三代半導(dǎo)體材料展開(kāi)了探討，重點(diǎn)聚焦碳化硅、氮化鎵以及金剛石等前沿材料的發(fā)展現(xiàn)狀與應(yīng)用前景。通過(guò)此次溝通，不僅加深了對(duì)新材料技術(shù)趨勢(shì)的理解，也為未來(lái)在相關(guān)領(lǐng)域的合作與技術(shù)布局提供了有益參考。

董事長(zhǎng)夏華忠先生表示，通過(guò)參與行業(yè)會(huì)議與技術(shù)交流，可以更加深入地了解功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)態(tài)與市場(chǎng)需求，對(duì)企業(yè)在產(chǎn)品方向與技術(shù)應(yīng)用上的持續(xù)優(yōu)化具有積極意義。

未來(lái)，東海半導(dǎo)體將繼續(xù)關(guān)注功率半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展變化，在現(xiàn)有業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上穩(wěn)步推進(jìn)產(chǎn)品與應(yīng)用的持續(xù)優(yōu)化。同時(shí)，也將積極參與行業(yè)交流，與產(chǎn)業(yè)鏈伙伴保持溝通合作，共同推動(dòng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

東海半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)一流的功率器件產(chǎn)品供應(yīng)商，專注于先進(jìn)功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝制造和應(yīng)用研究，為客戶提供 IGBT 單管/模塊、中低壓 MOS、高壓 MOS、FRD、SiC Diode/MOS/模塊、GaN、IPM 等全面功率器件產(chǎn)品解決方案。

東海半導(dǎo)體成立于 2004 年，總部位于無(wú)錫；公司致力于為客戶提供高品質(zhì)、高性價(jià)比功率器件產(chǎn)品，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于人工智能、光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、機(jī)器人、工業(yè)控制、逆變焊機(jī)、電源、電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)等領(lǐng)域。