雙脈沖測試是評估功率開關器件（如IGBT、MOSFET）動態(tài)性能的關鍵方法，廣泛應用于電力電子系統(tǒng)的研發(fā)與驗證中。今天咱不聊深奧的公式，就聊一聊雙脈沖測試中幾個最容易忽略踩雷的問題：

ANPC拓撲中內管高頻和外管高頻的測試區(qū)別

例如針對T2管雙脈沖測試方法，圖1為常規(guī)測試方法，主要針對內管工頻的調制方式；圖2為外管工頻的調制方式。圖2的換流回路較長，VCE尖峰往往比圖1要高100V左右，所以在應用中，調制方式會影響最終的測試方法及結果，那能不能都按照最惡劣的圖2來測試呢？答案是可以，但是會犧牲一部分損耗和死區(qū)時間，換言之就是留更多的VCE尖峰余量，看是否可以滿足系統(tǒng)控制要求。

ANPC拓撲不同發(fā)波邏輯時，續(xù)流二極管的應力怎么測

三電平測試中有時候會聽到說測試T1管的時候把T3管給炸了，也有說測試的損耗跟仿真結果不匹配的問題，這里就涉及到調制方法了。例如圖3和圖4對比來看，T6管開通狀態(tài)下，T1管關斷后續(xù)流回路有兩條：N-D5-T2-AC和N-T6-D3-AC。這種情況下，反向恢復二極管就不只是D5，還有D3，那么二極管損耗、尖峰都需要考慮D3管了。

內外管關斷時序與短路保護時間長短的矛盾

圖五

三電平的時序邏輯想必大家都很熟悉了，故障時先關外管再關內管（也可以是鉗位管）在IGBT應用中倒是影響不大，主要還是IGBT的短路耐受能力一般都在10us左右，有足夠的時間余量來設置邏輯，也可以容忍傳輸延遲的影響?？梢坏㏒iC進軍三電平，這個事情就不那么好辦了，3us左右的耐受時間既要保證安全，又要考慮傳輸和時序處理，這個時候可以用到上述圖5的方法了。副邊檢測故障之后，先壓低門極電壓，降低短路損耗，可以給故障上傳和邏輯處理預留更多的時間。

//雙脈沖測試還有以下幾點需要特別注意

必須使用高壓差分探頭測量開關管兩端電壓，并使用高帶寬電流探頭（如羅氏線圈）測量電流。在測試前，務必校準不同探頭之間的信號延時，對于高速的SiC或GaN器件，納秒級的延時偏差都會導致?lián)p耗計算出現巨大誤差。

多并聯(lián)測試時，往往因為探頭的原因沒法測試每一個IGBT的VCE，所以在這之前需要先測試每個IGBT的VCE尖峰然后選擇最大的那個來當作最終的測試值。這種方法比較常用，但是有一個注意點：每次電感位置固定后都要重新確定一下VCE最大值在哪里，條件允許的情況下盡量全部檢測，不允許就要留有足夠的余量。

不要拿20MHz帶寬騙自己，測試最終的目的是找到最優(yōu)參數，為整機可靠運行保駕護航，不是只為了報告的波形好看。

短路測試的時候每次測試要預留一定的散熱時間，不要連續(xù)的觸發(fā)，讓IGBT先“泄泄火”。同時高溫短路由于漏電流的存在，有時候會在門極關斷一段時間后出現炸管，所以要通過短路波形評估漏電流的影響。

雙脈沖測試是電力電子工程師的“基本功”，也是檢驗系統(tǒng)可靠性的“試金石”，希望今天的分享能幫大家在調試路上少炸幾個管子！