AS2621 700V大電流高、低側(cè)MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片
1、方案名稱：AS2621 700V大電流高、低側(cè)MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片
2、品牌：紫源微（Zymicro）
3、描述：AS2621是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)驅(qū)動芯片，具有兩個獨立地傳輸通道。內(nèi)部集成了高、低側(cè)欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護電路，具備大電流脈沖輸出能力，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出電流能力最大可達4A，其浮地通道最高工作電壓可達700V。可用于驅(qū)動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。
4、方案特色：
? 寬VIN范圍：5.5V至40V
? 自舉工作的浮動通道
? 最高工作電壓為700V
? 兼容3.3V，5V和15V輸入邏輯
? dV/dt耐受能力可達±50V/nsec
? VS負壓耐受能力達-9V
? 柵極驅(qū)動電壓：10V到20V
? 高、低側(cè)欠壓鎖定電路：欠壓鎖定正向閾值8.9V，欠壓鎖定負向閾值8.2V
? 芯片開通/關(guān)斷傳輸延時：Ton/Toff=130ns/130ns
? 防止直通保護：死區(qū)時間250ns
? 高低側(cè)延時匹配
? 驅(qū)動電流能力：拉電流/灌電流=4.0A/4.0A
? 符合RoSH標(biāo)準(zhǔn)
? 采用SOP-8封裝
5、應(yīng)用領(lǐng)域：
? 電機控制
? 空調(diào)/洗衣機
? 微型逆變器驅(qū)動程序
6、應(yīng)用原理圖：
審核編輯 黃宇
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驅(qū)動芯片
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