onsemi FCH47N60：N溝道SUPERFET II MOSFET的卓越性能與應用

在電子工程師的日常工作中，選擇合適的MOSFET至關重要。今天，我們來深入了解一下onsemi的FCH47N60 N溝道SUPERFET II MOSFET，看看它有哪些獨特的性能和應用場景。

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產(chǎn)品概述

SUPERFET MOSFET是onsemi第一代利用電荷平衡技術的高壓超級結（SJ）MOSFET系列產(chǎn)品。這項技術使得該系列產(chǎn)品具備出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能，能夠最小化導通損耗，提供卓越的開關性能、dv/dt額定值和更高的雪崩能量。因此，它非常適合開關電源應用，如功率因數(shù)校正（PFC）、服務器/電信電源、平板電視電源、ATX電源及工業(yè)電源應用。

關鍵特性

電氣性能出色

• 高耐壓：在(T_{J}=150^{circ} C)時，可承受650V的電壓，漏極 - 源極電壓額定值為600V。
• 低導通電阻：典型值(R_{DS(on)}=58 ~m Omega)，有助于降低導通損耗，提高電源效率。
• 超低柵極電荷：典型值(Q_{g}=210 nC)，能夠實現(xiàn)快速開關，減少開關損耗。
• 低有效輸出電容：典型值(C_{oss(eff.) }=420 pF)，有利于提高開關速度和降低開關損耗。

可靠性高

• 100%經(jīng)過雪崩測試：確保產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性。
• 符合RoHS標準：環(huán)保無鉛，符合現(xiàn)代電子設備的環(huán)保要求。

最大額定值與熱性能

最大額定值

熱性能

從這些數(shù)據(jù)可以看出，F(xiàn)CH47N60在額定值和熱性能方面表現(xiàn)出色，能夠在不同的工作條件下穩(wěn)定運行。

電氣特性

導通特性

• 柵極閾值電壓：(V{GS(th)})在(V{GS} = V{DS})，(I{D} = 250 A)時，范圍為3.0 - 5.0V。
• 漏極 - 源極靜態(tài)導通電阻：(R{DS(on)})在(V{GS} = 10 V)，(I_{D} = 23.5 A)時，范圍為0.058 - 0.070 Ω。
• 正向跨導：(g{FS})在(V{DS}= 40 V)，(I_{D} = 23.5 A)時，為40 S。

動態(tài)特性

• 輸入電容：(C{iss})在(V{DS} = 25 V)，(V_{S} =0V)，(f = 1.0 MHz)時，范圍為5900 - 8000 pF。
• 輸出電容：(C{oss})在不同條件下有不同的值，如(V{DS} = 480 V)，(V{GS} = 0V)，(f = 1.0 MHz)時為160 pF；(V{DS} = 0V)至400 V，(V{GS} = 0V)時，有效輸出電容(C{oss(eff.)})為420 pF。
• 反向傳輸電容：(C_{rss})為250 pF。

開關特性

• 導通延遲：(t_{d(on)})范圍為185 - 430 ns。
• 關斷延遲：(t_{d(off)})為520 ns。

漏極 - 源極二極管特性

• 最大正向連續(xù)電流：(I_{S})為47 A。
• 最大正向脈沖電流：(I_{SM})為141 A。

這些電氣特性為工程師在設計電路時提供了重要的參考依據(jù)，幫助他們優(yōu)化電路性能。

應用領域

FCH47N60的出色性能使其在多個領域得到廣泛應用：

• 光伏逆變器：在光伏系統(tǒng)中，需要高效的功率轉換和可靠的開關性能，F(xiàn)CH47N60的低導通電阻和高耐壓特性能夠滿足這一需求。
• AC - DC電源：無論是服務器、電信設備還是平板電視等的電源，都需要穩(wěn)定的電源供應，F(xiàn)CH47N60可以提高電源的效率和可靠性。

封裝與定購信息

FCH47N60采用TO - 247封裝，包裝方法為塑料管，每管30單元。在定購時，需要注意詳細的定購和運輸信息，可以參考數(shù)據(jù)手冊的第2頁。

總結

onsemi的FCH47N60 N溝道SUPERFET II MOSFET以其出色的性能、高可靠性和廣泛的應用領域，成為電子工程師在開關電源設計中的理想選擇。在實際應用中，工程師可以根據(jù)具體的電路需求，充分發(fā)揮其優(yōu)勢，優(yōu)化電路性能。大家在使用過程中是否遇到過類似MOSFET的應用難題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。