onsemi NTBL061N60S5H MOSFET：高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種至關(guān)重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。今天，我們將深入探討 onsemi 公司推出的 NTBL061N60S5H 這款 N 溝道功率 MOSFET，了解它的特點(diǎn)、性能以及應(yīng)用場(chǎng)景。

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產(chǎn)品概述

NTBL061N60S5H 屬于 SUPERFET V MOSFET FAST 系列，該系列旨在通過(guò)極低的開(kāi)關(guān)損耗，最大化硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的系統(tǒng)效率。它采用 TOLL 封裝，這種封裝不僅提供了改進(jìn)的熱性能，還通過(guò) Kelvin 源極配置和較低的寄生源極電感，實(shí)現(xiàn)了出色的開(kāi)關(guān)性能。

產(chǎn)品特性

高耐壓與低導(dǎo)通電阻

該 MOSFET 的漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）為 600V，在 $T{J}=150^{circ}C$ 時(shí)，典型導(dǎo)通電阻 $R{DS(on)}$ 僅為 48.8 mΩ，在 $V_{GS}=10V$ 時(shí)，最大導(dǎo)通電阻為 61 mΩ。低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
雪崩測(cè)試與環(huán)保特性
產(chǎn)品經(jīng)過(guò) 100% 雪崩測(cè)試，保證了在高能量瞬態(tài)情況下的可靠性。
同時(shí)，它符合 Pb - Free、Halogen Free / BFR Free 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，是一款環(huán)保型產(chǎn)品。

產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值

參數(shù)	符號(hào)	值	單位
漏源電壓	$V_{DSS}$	600	V
柵源電壓（DC）	$V_{GS}$	±30	V
連續(xù)漏極電流（$T_{C}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	41	A
連續(xù)漏極電流（$T_{C}=100^{circ}C$）	$I_{D}$	25	A
功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	250	W
脈沖漏極電流（$T_{C}=25^{circ}C$）	$I_{DM}$	144	A
脈沖源極電流（體二極管）（$T_{C}=25^{circ}C$）	$I_{SM}$	144	A
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍	$T{J},T{STG}$	-55 至 +150	°C
源極電流（體二極管）	$I_{S}$	41	A
單脈沖雪崩能量（$L = 6.7A$，$R_{G}=25Omega$）	$E_{AS}$	376	mJ
雪崩電流	$I_{AS}$	6.7	A
重復(fù)雪崩能量	$E_{AR}$	2.5	mJ
MOSFET dv/dt	$dv/dt$	120	V/ns
峰值二極管恢復(fù) dv/dt	$dv/dt$	20	V/ns
焊接用引腳溫度（距外殼 1/8"，10 秒）	$T_{L}$	260	°C

熱特性

參數(shù)	符號(hào)	值	單位
結(jié)到外殼的熱阻	$R_{theta JC}$	0.5	°C/W
結(jié)到環(huán)境的熱阻	$R_{theta JA}$	43	°C/W

電氣特性

關(guān)斷特性

參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	$V_{(BR)DSS}$	$V{GS}=0V$，$I{D}=1mA$，$T_{J}=25^{circ}C$	600	-	-	V
漏源擊穿電壓溫度系數(shù)	$frac{Delta V{(BR)DSS}}{Delta T{J}}$	$I_{D}=10mA$，參考 $25^{circ}C$	-	-	630	mV/°C
零柵壓漏極電流	$I_{DSS}$	$V{GS}=0V$，$V{DS}=600V$，$T_{J}=25^{circ}C$	-	-	2	μA
柵源泄漏電流	$I_{GSS}$	$V{GS}=pm30V$，$V{DS}=0V$	-	-	±100	nA

導(dǎo)通特性

參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源導(dǎo)通電阻	$R_{DS(on)}$	$V{GS}=10V$，$I{D}=20.5A$，$T_{J}=25^{circ}C$	-	48.8	61	mΩ
柵極閾值電壓	$V_{GS(th)}$	$V{GS}=V{DS}$，$I{D}=4.4mA$，$T{J}=25^{circ}C$	2.7	-	4.3	V
正向跨導(dǎo)	$g_{fs}$	$V{DS}=20V$，$I{D}=20.5A$	-	42.2	-	S

電荷、電容和柵極電阻

參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試條件	值	單位
輸入電容	$C_{iss}$	$V{DS}=400V$，$V{GS}=0V$，$f = 250kHz$	4156	pF
輸出電容	$C_{oss}$	-	59.4	pF
與時(shí)間相關(guān)的輸出電容	$C_{oss(tr.)}$	$I{D}=$ 常數(shù)，$V{DS}=0V$ 到 $400V$，$V_{GS}=0V$	933	pF
與能量相關(guān)的輸出電容	$C_{oss(er.)}$	$V{DS}=0V$ 到 $400V$，$V{GS}=0V$	99.8	pF
總柵極電荷	$Q_{G(tot)}$	$V{DD}=400V$，$I{D}=20.5A$，$V_{GS}=10V$	73.1	nC
柵源電荷	$Q_{GS}$	-	20.1	nC
柵漏電荷	$Q_{GD}$	-	18.5	nC
柵極電阻	$R_{G}$	$f = 1MHz$	0.68	Ω

開(kāi)關(guān)特性

參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試條件	值	單位
導(dǎo)通延遲時(shí)間	$t_{d(ON)}$	-	25.3	ns
上升時(shí)間	$t_{r}$	$V{GS}=0/10V$，$V{DD}=400V$	7.59	ns
關(guān)斷延遲時(shí)間	$t_{d(OFF)}$	$I{D}=20.5A$，$R{G}=4.7Omega$	75.2	ns
下降時(shí)間	$t_{f}$	-	2.54	ns

源漏二極管特性

參數(shù)	測(cè)試條件	值	單位
正向二極管電壓	$V{GS}=0V$，$I{SD}=20.5A$，$T_{J}=25^{circ}C$	1.2	V
反向恢復(fù)時(shí)間	$I{SD}=20.5A$，$V{GS}=0V$，$di/dt = 100A/μs$，$V_{DD}=400V$	416	ns
反向恢復(fù)電荷	-	7386	nC

典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，直觀地展示了該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn)，例如：

導(dǎo)通區(qū)域特性：展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
傳輸特性：體現(xiàn)了漏極電流與柵源電壓在不同結(jié)溫下的變化。
導(dǎo)通電阻變化：顯示了導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵源電壓的變化情況。

這些曲線對(duì)于工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)，準(zhǔn)確評(píng)估 MOSFET 的性能和工作狀態(tài)非常有幫助。

封裝尺寸

NTBL061N60S5H 采用 H - PSOF8L 封裝，文檔詳細(xì)給出了該封裝的尺寸信息，包括各個(gè)尺寸的最小值、標(biāo)稱值和最大值。準(zhǔn)確的封裝尺寸信息對(duì)于 PCB 設(shè)計(jì)至關(guān)重要，工程師可以根據(jù)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行合理的布局和布線。

應(yīng)用場(chǎng)景

由于其出色的性能，NTBL061N60S5H 適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括：

電信和服務(wù)器電源：在這些應(yīng)用中，需要高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換，該 MOSFET 的低開(kāi)關(guān)損耗和高耐壓特性能夠滿足需求。
電動(dòng)汽車充電器、不間斷電源（UPS）、太陽(yáng)能和工業(yè)電源：這些領(lǐng)域?qū)β拭芏群托室筝^高，NTBL061N60S5H 可以幫助提高系統(tǒng)的整體性能。

總結(jié)

onsemi 的 NTBL061N60S5H MOSFET 以其低開(kāi)關(guān)損耗、高耐壓、低導(dǎo)通電阻等特性，為電子工程師提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。無(wú)論是在電信、服務(wù)器電源，還是電動(dòng)汽車充電器等領(lǐng)域，它都能發(fā)揮出色的性能。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合文檔中的參數(shù)和特性曲線，合理選擇和使用該 MOSFET，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計(jì)。你在使用類似 MOSFET 時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。

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高耐壓與低導(dǎo)通電阻

雪崩測(cè)試與環(huán)保特性

產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值

熱特性

電氣特性

關(guān)斷特性

導(dǎo)通特性

電荷、電容和柵極電阻

開(kāi)關(guān)特性

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