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ARK(方舟微)耗盡型MOSFET產品在英飛凌PD快充方案的應用

CHANBAEK ? 來源:ARK micro ? 2026-03-30 17:01 ? 次閱讀
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前言

隨著USB PD 3.1協(xié)議的逐步普及,快充電源正向著更高功率密度持續(xù)演進。USB PD 3.1標準將擴展功率范圍(EPR)提升至最高240W(48V/5A),使USB-C接口的應用場景從消費電子延伸至高性能筆記本電腦、電動工具、輕型電動車等更多領域。這一技術趨勢推動著快充方案向更高電壓、更大功率方向發(fā)展。

英飛凌在PD快充領域推出了數(shù)字混合反激(HFB)組合控制器(如XDPS2221、XDPS2222系列),配合CoolGaN?氮化鎵器件,構成了面向140W/240W級別快充的成熟解決方案。在其參考設計中,特別是支持48V高壓輸出的方案里,主控IC(如XDP2222)、同步整流IC以及保護電路(如TL432)的輔助供電環(huán)節(jié),均采用了耗盡型MOSFET構建線性穩(wěn)壓電路。這一設計可直接利用耗盡型MOSFET在高壓輸入下實現(xiàn)穩(wěn)壓功能,同時有助于降低電路靜態(tài)功耗。

ARK(方舟微)自主研發(fā)的耗盡型MOSFET產品,可在英飛凌PD快充方案的相關電路中實現(xiàn)Pin to Pin兼容替代。

耗盡型MOS在英飛凌PD方案中的應用

在英飛凌140W/240W快充方案中,耗盡型MOSFET主要應用于以下三個關鍵電路:

  1. 主控IC(如XDP2222)供電電路:使用耗盡型MOSFET構成線性穩(wěn)壓電路,將輔助繞組的寬范圍高壓輸入轉換為穩(wěn)定的低電壓,為XDP2222等控制器供電。
  2. TL431/TL432過壓保護電路:耗盡型MOSFET搭配穩(wěn)壓管構成過壓保護電路,在48V輸出時將TL431/TL432的陰極電壓(VKA)限制在37V以內,保護后級電路。
  3. 同步整流IC供電電路:使用耗盡型MOSFET構成線性穩(wěn)壓電路,滿足同步整流IC的供電需求。

電路如下圖所示:

圖片

ARK(方舟微)產品替代BS169的選型分析

針對英飛凌PD方案中常用的BSS169耗盡型MOSFET,ARK(方舟微)推薦兩款可Pin-to-Pin替代的產品:DMZ42C10SDMZ1520E 。兩款產品均采用SOT-23封裝,與BSS169封裝一致,可在不更改PCB布局的情況下直接替換。

參數(shù)對比如下:

圖片

兩款產品的特點如下:

DMZ42C10S與BSS169均無ESD增強設計,參數(shù)基本一致,適合對ESD無特殊要求的方案選型;
DMZ1520E與BSS169參數(shù)相近,且耐壓更高并采用ESD增強設計,適合對ESD可靠性有更高要求的方案選型。

兩款產品均與BSS169封裝兼容、參數(shù)相近,可在英飛凌PD快充方案中實現(xiàn)直接替代。

總結

在英飛凌140W/240W PD快充方案中,耗盡型MOSFET是輔助供電和保護電路的關鍵元件之一。ARK(方舟微)推出的DMZ42C10SDMZ1520E兩款耗盡型MOSFET,采用SOT-23封裝,與英飛凌BSS169腳位兼容,參數(shù)相近,為設計人員在方案選型時提供了國產化替代的最優(yōu)選項。

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