onsemi NTMT100N60S5H MOSFET：高效開(kāi)關(guān)性能的理想之選

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著電子系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來(lái)深入了解一下安森美（onsemi）的NTMT100N60S5H MOSFET，看看它能為我們的設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。

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產(chǎn)品概述

NTMT100N60S5H是一款N溝道的功率MOSFET，屬于SUPERFET V MOSFET FAST系列。該系列旨在通過(guò)極低的開(kāi)關(guān)損耗，在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中最大限度地提高系統(tǒng)效率。它采用了Power88封裝，這是一種超薄的表面貼裝封裝（SMD），通過(guò)提供開(kāi)爾文源配置和較低的寄生源電感，實(shí)現(xiàn)了出色的開(kāi)關(guān)性能。

產(chǎn)品特性

高耐壓與低電阻

• 耐壓能力：在結(jié)溫 (T{J}=150^{circ}C) 時(shí)，可承受650V的電壓；在 (T{J}=25^{circ}C) 時(shí)，漏源擊穿電壓 (V_{(BR)DSS}) 最小為600V。
• 低導(dǎo)通電阻：典型的 (R{DS(on)}) 為80mΩ（(V{GS}=10V)，(I{D}=13.5A)，(T{J}=25^{circ}C)），最大為100mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。

可靠性保障

• 雪崩測(cè)試：經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試，確保在極端條件下的可靠性。
• 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)：符合無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑（BFR）要求，并且滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保設(shè)計(jì)理念。

應(yīng)用領(lǐng)域

• 電信/服務(wù)器電源：在電信和服務(wù)器電源系統(tǒng)中，對(duì)電源的效率和穩(wěn)定性要求極高。NTMT100N60S5H的低開(kāi)關(guān)損耗和高耐壓特性，能夠有效提高電源的轉(zhuǎn)換效率，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
• 電動(dòng)汽車充電器/不間斷電源（UPS）/太陽(yáng)能/工業(yè)電源：這些應(yīng)用場(chǎng)景通常需要處理高功率和高電壓，NTMT100N60S5H的高性能能夠滿足這些需求，為系統(tǒng)提供可靠的功率支持。

電氣特性

絕對(duì)最大額定值

電氣參數(shù)

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS}) 為600V（(V{GS}=0V)，(I{D}=1mA)，(T{J}=25^{circ}C)），零柵壓漏極電流 (I{DSS}) 最大為1μA（(V{GS}=0V)，(V{DS}=600V)，(T{J}=25^{circ}C)），柵源泄漏電流 (I{GSS}) 最大為±100nA（(V{GS}=±30V)，(V_{DS}=0V)）。
• 導(dǎo)通特性：漏源導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 典型值為80mΩ（(V{GS}=10V)，(I{D}=13.5A)，(T{J}=25^{circ}C)），柵極閾值電壓 (V{GS(th)}) 為2.7 - 4.3V（(V{GS}=V{DS})，(I{D}=2.7mA)，(T{J}=25^{circ}C)），正向跨導(dǎo) (g{FS}) 典型值為26.8S（(V{DS}=20V)，(I{D}=13.5A)）。
• 電荷、電容與柵極電阻：輸入電容 (C{ISS}) 典型值為2616pF（(V{DS}=400V)，(V{GS}=0V)，(f = 250kHz)），輸出電容 (C{OSS}) 典型值為39.8pF，總柵極電荷 (Q{G(TOT)}) 典型值為46.6nC（(V{DD}=400V)，(I{D}=13.5A)，(V{GS}=10V)），柵極電阻 (R_{G}) 典型值為1.16Ω（(f = 1MHz)）。
• 開(kāi)關(guān)特性：開(kāi)啟延遲時(shí)間 (t{d(ON)}) 為21.6ns（(V{GS}=0/10V)，(V{DD}=400V)，(I{D}=13.5A)，(R{G}=4.7)），上升時(shí)間 (t{r}) 為5.81ns，關(guān)斷延遲時(shí)間 (t{d(OFF)}) 為61.1ns，下降時(shí)間 (t{f}) 為2.64ns。
• 源漏二極管特性：正向二極管電壓 (V{SD}) 最大為1.2V（(V{GS}=0V)，(I{SD}=13.5A)，(T{J}=25^{circ}C)），反向恢復(fù)時(shí)間 (t{RR}) 最大為362ns（(V{GS}=0V)，(I{SD}=13.5A)，(dI/dt = 100A/s)，(V{DD}=400V)），反向恢復(fù)電荷 (Q_{RR}) 為5331nC。

封裝與訂購(gòu)信息

該產(chǎn)品采用PQFN4 8x8, 2P CASE 520AB封裝，每盤3000個(gè)，采用帶盤包裝。對(duì)于帶盤規(guī)格的詳細(xì)信息，可參考安森美的Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D。

總結(jié)

NTMT100N60S5H MOSFET憑借其高耐壓、低導(dǎo)通電阻、出色的開(kāi)關(guān)性能和可靠性，為電信、服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電器等領(lǐng)域的設(shè)計(jì)提供了優(yōu)秀的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中，我們需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，合理選擇和使用該器件，以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì)。你在使用MOSFET時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)一些特殊的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。