onsemi NVHL072N65S3 MOSFET：汽車應(yīng)用的理想之選
onsemi NVHL072N65S3 MOSFET：汽車應(yīng)用的理想之選
在電子工程師的設(shè)計工作中，選擇合適的MOSFET至關(guān)重要。今天，我們來深入了解一下 onsemi 的 NVHL072N65S3 MOSFET，看看它在汽車應(yīng)用中能帶來怎樣的優(yōu)勢。
文件下載：NVHL072N65S3-D.PDF
產(chǎn)品概述
NVHL072N65S3 是 onsemi 全新的 SuperFET III 系列 N 溝道功率 MOSFET，專為汽車應(yīng)用設(shè)計。它采用了先進的電荷平衡技術(shù)，具備出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能，能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并且能夠承受極高的 dv/dt 速率。這使得 SuperFET III MOSFET Easy - drive 系列有助于管理 EMI 問題，讓設(shè)計實現(xiàn)更加輕松。
關(guān)鍵特性
1. 汽車級認(rèn)證
該 MOSFET 通過了 AEC - Q101 認(rèn)證，最大結(jié)溫可達 150°C，能夠滿足汽車惡劣環(huán)境下的使用要求，確保了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。
2. 低導(dǎo)通電阻
典型的 (R{DS}(on)) 為 61 mΩ，在 10V 柵源電壓下最大 (R{DS}(on)) 為 72 mΩ，能夠有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
3. 超低柵極電荷
典型的 (Q_{G}=82 nC)，低柵極電荷意味著更快的開關(guān)速度和更低的驅(qū)動功耗，有助于提升系統(tǒng)的整體性能。
4. 低有效輸出電容
典型的 (C_{OSS}(eff.) = 724 pF)，并且經(jīng)過 100% 雪崩測試，保證了在高壓和高 dv/dt 情況下的穩(wěn)定性。
5. 環(huán)保特性
這些器件無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求。
典型應(yīng)用
1. 汽車 PHEV - BEV DC - DC 轉(zhuǎn)換器
在汽車的混合動力和純電動系統(tǒng)中，DC - DC 轉(zhuǎn)換器起著關(guān)鍵作用。NVHL072N65S3 的低導(dǎo)通電阻和卓越的開關(guān)性能能夠提高轉(zhuǎn)換器的效率，減少能量損耗，延長電池續(xù)航時間。
2. 汽車 PHEV - BEV 車載充電器
車載充電器需要高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換。該 MOSFET 的特性使其能夠在高壓環(huán)境下可靠工作，確保充電器的性能和安全性。
電氣特性
1. 絕對最大額定值
- 漏源電壓（(V_{DSS})）：650V
- 柵源電壓（(V_{GSS})）：DC ±30V，AC（f > 1 Hz）±30V
- 連續(xù)漏極電流（(I_{D})）：在 (T{C}=25°C) 時為 44A，在 (T{C}=100°C) 時為 28A
- 脈沖漏極電流（(I_{DM})）：110A
- 單脈沖雪崩能量（(E_{AS})）：214 mJ
- 重復(fù)雪崩能量（(E_{AR})）：3.12 mJ
- MOSFET dv/dt：100 V/ns
- 峰值二極管恢復(fù) dv/dt：20 V/ns
- 功率耗散（(P_{D})）：在 (T_{C}=25°C) 時為 312W，25°C 以上以 2.5 W/°C 降額
- 工作和存儲溫度范圍（(T{J},T{STG})）： - 55 至 +150 °C
- 焊接時最大引線溫度（(T_{L})）：在距離外殼 1/8″ 處 5 秒內(nèi)為 300 °C
2. 電氣參數(shù)
| 特性 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 關(guān)斷特性 | 漏源擊穿電壓（(BV_{DSS})） | (V{GS}=0V)，(I{D}=1 mA)，(T = 25°C) | 650 | - | - | V |
| (V{GS}=0V)，(I{D}=1 mA)，(T = 150°C) | 700 | - | - | V | ||
| 擊穿電壓溫度系數(shù)（(Delta BV{DSS} / Delta T{J})） | (I_{D}=1 mA)，參考 25°C | - | 0.60 | - | V/°C | |
| 零柵壓漏極電流（(I_{DSS})） | (V{DS}=650V)，(V{GS}=0V) | - | 0.30 | 1 | A | |
| (V{DS}=520 V)，(V{GS}=0V)，(T_{C}=125°C) | - | 7.30 | - | - | ||
| 柵極 - 體泄漏電流（(I_{GSS})） | (V{GS}=+30V)，(V{DS}=0V) | - | - | +100 | nA | |
| 導(dǎo)通特性 | 柵源閾值電壓（(V_{GS(th)})） | (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=1.0 mA) | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（(R_{DS(on)})） | (V{GS}=10 V)，(I{D}=22 A)，(T_{J}=25°C) | 61 | - | 72 | mΩ | |
| (V{GS}=10 V)，(I{D}=22 A)，(T_{J}=100°C) | - | - | 107 | mΩ | ||
| 正向跨導(dǎo)（(g_{FS})） | (V{DS}=20 V)，(I{D}=44 A) | - | 29.7 | - | S | |
| 動態(tài)特性 | 輸入電容（(C_{iss})） | (V{DS}=400 V)，(V{GS}=0 V)，(f = 1 MHz) | - | 3300 | - | pF |
| 輸出電容（(C_{oss})） | - | - | 72.8 | - | pF | |
| 反向傳輸電容（(C_{rss})） | - | 14.6 | - | pF | ||
| 有效輸出電容（(C_{oss(eff.)})） | (V{DS}=0 V) 至 400 V，(V{GS}=0 V) | - | 724 | - | pF | |
| 能量相關(guān)輸出電容（(C_{oss(er.)})） | (V{DS}=0 V) 至 400 V，(V{GS}=0 V) | - | 104 | - | pF | |
| 總柵極電荷（(Q_{g(tot)})） | (V{DS}=400 V)，(V{GS}=10 V)，(I_{D}=44 A)（注 4） | - | 82.0 | - | nC | |
| 柵源柵極電荷（(Q_{gs})） | - | 23.3 | - | nC | ||
| 柵漏“米勒”電荷（(Q_{gd})） | - | 34.0 | - | nC | ||
| 柵極電阻（(R_{G})） | (f = 1 MHz) | - | 0.685 | - | mΩ | |
| 開關(guān)特性 | 導(dǎo)通延遲時間（(t_{d(on)})） | (V{DD}=400 V)，(I{D}=44 A)，(V{GS}=10 V)，(R{G}=4.7 Ω)（注 4） | - | 26.3 | - | ns |
| 導(dǎo)通上升時間（(t_{r})） | - | - | 50 | - | ns | |
| 關(guān)斷延遲時間（(t_{d(off)})） | - | 65.9 | - | ns | ||
| 下降時間（(t_{f})） | - | 32 | - | ns | ||
| 漏源二極管特性 | 最大連續(xù)漏源二極管正向電流（(I_{S})） | - | - | 44 | A | |
| 最大脈沖漏源二極管正向電流（(I_{SM})） | - | - | 110 | A | ||
| 漏源二極管正向電壓（(V_{SD})） | (V{GS}=0 V)，(I{SD}=22 A) | - | 1.2 | - | V | |
| 反向恢復(fù)時間（(t_{rr})） | (V{GS}=0 V)，(I{SD}=44 A)，(dI_{F}/dt = 100 A/μs) | - | 576 | - | nS | |
| 反向恢復(fù)電荷（(Q_{rr})） | - | 14.3 | - | μC |
封裝和標(biāo)記信息
該 MOSFET 采用 TO - 247 - 3LD 封裝，標(biāo)記信息包含 onsemi 標(biāo)志、組裝廠代碼、數(shù)字日期代碼、批次代碼和特定器件代碼。訂購信息可參考數(shù)據(jù)手冊第 2 頁的詳細(xì)內(nèi)容。
總結(jié)
onsemi 的 NVHL072N65S3 MOSFET 憑借其出色的性能和特性，在汽車應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢。其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和高 dv/dt 承受能力，能夠有效提高系統(tǒng)效率，降低功耗，同時滿足汽車級的可靠性要求。電子工程師在設(shè)計汽車 PHEV - BEV DC - DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器等應(yīng)用時，可以考慮選擇這款 MOSFET。你在實際設(shè)計中是否使用過類似的 MOSFET 呢？它在你的項目中表現(xiàn)如何？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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