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東芯半導體榮膺2026中國IC設計成就獎之年度存儲器

東芯半導體 ? 來源:東芯半導體 ? 2026-04-02 09:33 ? 次閱讀
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2026 年 3 月 31 日,由 Aspencore 主辦的2026 國際集成電路展覽會暨研討會(IIC SHANGHAI)在上海浦東麗思卡爾頓酒店盛大開幕。展會聚焦AI 芯片、汽車電子工業(yè)控制、通信系統(tǒng)、綠色能源等關鍵應用場景,匯聚全球IC 設計、EDA 工具、IP 授權、先進封裝等領域的頂尖企業(yè)與專家,打造貫通芯片設計制造、能源技術革新、產(chǎn)品商業(yè)化落地的超級產(chǎn)業(yè)連接器。

東芯半導體作為國內(nèi)領先的 Fabless 存儲芯片設計企業(yè)很榮幸攜最新技術成果與戰(zhàn)略布局重磅亮相活動現(xiàn)場。

01年度存儲器

3月31日晚, 很榮幸我們的55nm 1.8V 512Mb SPI NOR Flash(DS25M4CB-16A1B8)產(chǎn)品在2026中國IC設計成就獎頒獎典禮上榮膺“2026中國IC設計成就獎之年度存儲器”,并進入由ASPENCORE發(fā)布的《China Fabless 100》榜單- -Top 10存儲器公司榜單之中。

該款產(chǎn)品在性能上,采用1.8V供電,功耗更低,適合電池供電及對功耗敏感的可穿戴、移動終端等應用。工作溫度為-40°C~125°C,覆蓋工業(yè)級乃至車規(guī)級溫度范圍。

02IC領袖峰會

3.31 上午,東芯半導體副總經(jīng)理潘惠忠以《向內(nèi)深耕,向外探索:構建自主可控的存儲生態(tài)共同體》為題,分為三個板塊,與在場聽眾展示了東芯半導體在中小容量 NAND/NOR/DRAM 領域的深厚積累及未來布局。

現(xiàn)場讓我們簡單來回顧一下!

01市場洞察:存儲產(chǎn)業(yè)迎來爆發(fā)式增長

演講伊始,潘惠忠先生深入分析了全球及中國存儲市場的強勁態(tài)勢。數(shù)據(jù)顯示,隨著全球數(shù)據(jù)量的爆炸式增長,包含 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存的整體存儲產(chǎn)業(yè)在 2026 年有望實現(xiàn)5500 億美元左右的產(chǎn)值,同比增幅高達 134%。

在中國市場,半導體存儲器規(guī)模逐年攀升,2025年達到4580 億元左右。這一增長主要得益于消費電子、智能汽車和網(wǎng)通電子等的多元化需求。特別是嵌入式存儲,占據(jù)了全球存儲器主要產(chǎn)品類別的 42.7%,成為市場增長的壓艙石。東芯半導體指出,在 AI 大模型落地與自動駕駛升級的雙重驅動下,高性能、高可靠性的存儲芯片將成為關鍵技術支柱。

02向內(nèi)深耕:六大產(chǎn)品線構筑核心壁壘

作為擁有獨立自主知識產(chǎn)權的 Fabless 企業(yè),東芯半導體堅持“技術驅動發(fā)展”,目前已構建起完善的六大產(chǎn)品結構,涵蓋 SPI NAND Flash、PPI NAND Flash、SPI NOR Flash、DDR3(L)、LPDDR1/2/4X 以及 MCP。

?先進制程:東芯的1xnm NAND Flash和48nm NOR Flash均為我國領先的閃存芯片工藝制程。

?低功耗設計:DRAM產(chǎn)品實現(xiàn)低工作電壓,適配移動及穿戴設備。

?高可靠性:針對工業(yè)及車規(guī)級應用,公司部分產(chǎn)品可實現(xiàn)-40°C~105°C/125°C寬溫。

公司建立了“研發(fā) - 轉化 - 創(chuàng)新”的技術發(fā)展循環(huán),打造了具有“本土深度、全球廣度”的供應鏈體系,實現(xiàn)了從設計到產(chǎn)業(yè)化的一站式解決方案。

03向外探索:優(yōu)化布局,共建技術生態(tài)

公司持續(xù)布局網(wǎng)絡通信、監(jiān)控安防、消費電子、工業(yè)控制等關鍵應用,并逐步向汽車電子領域不斷拓展,立足頭部客戶并不斷開拓新的客戶。

本次演講中的一大亮點是東芯半導體在汽車電子領域的加速優(yōu)化。公司正從工業(yè)級向車規(guī)級不斷升級,SLC NAND Flash以及NOR Flash 等產(chǎn)品陸續(xù)通過AEC-Q100 1/2驗證,適用于 -40°C~105°C/125°C 的嚴苛環(huán)境。

目前,東芯半導體已完成國內(nèi)多家整車廠的白名單導入,產(chǎn)品已應用于通信與遠程控制、座艙域控、ADAS已經(jīng)車身等關鍵場景,并在多款車型中實現(xiàn)量產(chǎn)。

同時,圍繞“存儲”核心業(yè)務,東芯半導體積極構建“存、算、聯(lián)”技術生態(tài)。通過設立子公司上海億芯通感,持續(xù)推進 Wi-Fi 7 無線通信芯片研發(fā)。以及對外投資礪算科技,該公司致力于研發(fā)多層次(可擴展)圖形渲染GPU芯片,其首款自研 GPU 芯片"7G100"已于 2025 年流片成功。

這一布局致力于為客戶提供了從存儲、計算到連接的更多樣化的芯片解決方案,助力人工智能、萬物互聯(lián)時代的產(chǎn)業(yè)升級。

東芯,為日益發(fā)展的存儲需求提供高效可靠的解決方案!

關于東芯

東芯半導體以卓越的MEMORY設計技術,專業(yè)的技術服務實力,通過國內(nèi)外技術引進和合作,致力打造成為中國本土優(yōu)秀的具有自主知識產(chǎn)權的存儲芯片設計公司。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:向內(nèi)深耕,向外探索:東芯半導體榮膺“2026中國IC設計成就獎之年度存儲器”!

文章出處:【微信號:東芯半導體,微信公眾號:東芯半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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