深入解析 onsemi NVTYS004N04CL 單通道 N 溝道功率 MOSFET
深入解析 onsemi NVTYS004N04CL 單通道 N 溝道功率 MOSFET
在電子工程師的日常設計中，功率 MOSFET 是至關重要的元件，它廣泛應用于各種電路中。今天，我們就來詳細解析 onsemi 的 NVTYS004N04CL 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些特性和優(yōu)勢。
文件下載：NVTYS004N04CL-D.PDF
一、產品概述
onsemi 是一家知名的半導體公司，NVTYS004N04CL 是其旗下一款出色的功率 MOSFET 產品。它具有 40V 的耐壓，4.3mΩ 的導通電阻以及 85A 的電流承載能力，采用 3.3 x 3.3mm 的小尺寸封裝，非常適合緊湊設計的應用場景。
二、產品特性
2.1 緊湊設計
小尺寸的封裝（3.3 x 3.3 mm）使得它在空間有限的電路板設計中具有很大優(yōu)勢，能夠幫助工程師實現(xiàn)更加緊湊的產品設計。這對于一些對體積要求較高的應用，如便攜式設備、小型電源模塊等非常有用。大家在設計這類產品時，是否會優(yōu)先考慮元件的尺寸呢？
2.2 低損耗特性
- 低導通電阻（(R_{DS(on)})）：低 (R_{DS(on)}) 可以有效降低導通損耗，提高電路的效率。在高電流應用中，這一特性尤為重要，能夠減少發(fā)熱，延長元件的使用壽命。
- 低電容：低電容可以減少驅動損耗，降低開關過程中的能量損失，提高開關速度。這對于高頻開關應用來說，能夠顯著提升電路的性能。
2.3 可靠性與合規(guī)性
- AEC - Q101 認證：通過 AEC - Q101 認證，表明該產品符合汽車級應用的要求，具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，可用于汽車電子等對可靠性要求極高的領域。
- 無鉛和 RoHS 合規(guī)：符合環(huán)保要求，滿足現(xiàn)代電子產品對綠色環(huán)保的需求。
三、產品參數(shù)
3.1 最大額定值
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|
| (V_{DSS})（漏源擊穿電壓） | 40 | V |
| (V_{GS})（柵源電壓） | +20 | V |
| 連續(xù)漏極電流（(T_{A}=25^{circ}C)） | 59 | A |
| 連續(xù)漏極電流（(T_{A}=100^{circ}C)） | 3.2 | A |
| 工作溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
需要注意的是，當應力超過最大額定值表中列出的數(shù)值時，可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。
3.2 熱阻參數(shù)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結到殼穩(wěn)態(tài)熱阻（(R_{JC})） | (R_{JC}) | 2.7 | °C/W |
| 結到環(huán)境穩(wěn)態(tài)熱阻（(R_{JA})） | (R_{JA}) | 47.4 | °C/W |
熱阻參數(shù)會受到整個應用環(huán)境的影響，并非恒定值，僅在特定條件下有效。
3.3 電氣特性
3.3.1 關斷特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | (V_{(BR)DSS}) | (V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A) | 40 | - | - | V |
| 零柵壓漏極電流 | (I_{DSS}) | (V{GS}=0V)，(T{J}=25^{circ}C)，(V_{DS}=40V) | - | - | 10 | (mu A) |
| (V{GS}=0V)，(T{J}=125^{circ}C)，(V_{DS}=40V) | - | - | 250 | (mu A) | ||
| 柵源泄漏電流 | (I_{GSS}) | (V{DS}=0V)，(V{GS}=20V) | - | - | 100 | nA |
3.3.2 導通特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 柵極閾值電壓 | (V_{GS(TH)}) | (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=50A) | - | 2.0 | - | V |
| 漏源導通電阻 | (R_{DS(on)}) | (V{GS}=10V)，(I{D}=20A) | 3.6 | 4.3 | - | mΩ |
| (V{GS}=4.5V)，(I{D}=20A) | 5.6 | 6.9 | - | mΩ | ||
| 正向跨導 | (g_{fs}) | (V{DS}=5V)，(I{D}=40A) | 90 | - | - | S |
3.3.3 電荷與電容特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 輸入電容 | (C_{iss}) | (V{GS}=0V)，(f = 1.0MHz)，(V{DS}=25V) | 1600 | pF |
| 輸出電容 | (C_{oss}) | - | 590 | pF |
| 反向傳輸電容 | (C_{rss}) | - | 21 | pF |
| 總柵極電荷 | (Q_{G(TOT)}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=32V)，(I_{D}=40A) | 11.9 | nC |
| 閾值柵極電荷 | (Q_{G(TH)}) | - | 2.4 | nC |
| 柵源電荷 | (Q_{GS}) | - | 4.7 | nC |
| 柵漏電荷 | (Q_{GD}) | - | 4.2 | nC |
| 總柵極電荷 | (Q_{G(TOT)}) | (V{GS}=10V)，(V{DS}=32V)，(I_{D}=40A) | 25 | nC |
3.3.4 開關特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 開啟延遲時間 | (t_{d(on)}) | - | 13 | ns |
| 上升時間 | (t_{r}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=32V)，(I{D}=40A)，(R{G}=1Omega) | 6 | ns |
| 關斷延遲時間 | (t_{d(off)}) | - | 17 | ns |
| 下降時間 | (t_{f}) | - | 6 | ns |
3.3.5 漏源二極管特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | (T_{J}=25^{circ}C) | (T_{J}=125^{circ}C) | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 正向二極管電壓 | (V_{SD}) | (V{GS}=0V)，(I{S}=40A) | 0.86 - 1.2 | 0.75 | V |
| 反向恢復時間 | (t_{RR}) | (V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/mu s)，(I_{S}=40A) | - | 30 | ns |
| 充電時間 | (t_{a}) | - | 13 | ns | |
| 放電時間 | (t_) | - | 17 | ns | |
| 反向恢復電荷 | (Q_{RR}) | - | 10 | nC |
產品的參數(shù)性能是在特定測試條件下給出的，如果在不同條件下運行，實際性能可能會有所不同。
四、典型特性曲線
文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導通區(qū)域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓關系、導通電阻與漏極電流和柵極電壓關系、導通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關系、電容變化、柵源電壓與總電荷關系、電阻性開關時間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關系、安全工作區(qū)、雪崩峰值電流與時間關系以及熱特性等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解該 MOSFET 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，在實際設計中合理選擇工作點。大家在設計時，會經常參考這些典型特性曲線嗎？
五、訂購信息
該產品的型號為 NVTYS004N04CLTWG，采用 LFPAK33 封裝，每盤 3000 個，以卷帶包裝形式發(fā)貨。關于卷帶規(guī)格的詳細信息，可參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。
六、封裝尺寸
產品采用 LFPAK8 3.3x3.3, 0.65P CASE 760AD 封裝，文檔中給出了詳細的封裝尺寸圖和各尺寸的具體數(shù)值，包括最小、標稱和最大值。在進行電路板設計時，準確的封裝尺寸信息是非常重要的，能夠確保元件的正確安裝和焊接。
綜上所述，onsemi 的 NVTYS004N04CL 單通道 N 溝道功率 MOSFET 具有諸多優(yōu)秀特性，在緊湊設計、低損耗和可靠性方面表現(xiàn)出色。電子工程師在進行相關電路設計時，可以根據(jù)具體的應用需求，充分利用該產品的優(yōu)勢，實現(xiàn)高效、可靠的電路設計。大家在使用這款 MOSFET 時，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應用經驗呢？歡迎在評論區(qū)分享。
-
功率MOSFET
+關注
關注
0文章
745瀏覽量
23210
發(fā)布評論請先 登錄
評論