探索 onsemi NTMTS1D2N08H N 溝道功率 MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它廣泛應(yīng)用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換電路中。今天，我們來(lái)深入了解 onsemi 推出的 NTMTS1D2N08H 單 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。

文件下載：NTMTS1D2N08H-D.PDF

產(chǎn)品概述

NTMTS1D2N08H 是 onsemi 生產(chǎn)的一款 80V、1.1mΩ、335A 的 N 溝道功率 MOSFET。它采用了 8x8mm 的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設(shè)計(jì)。同時(shí)，該器件具有低導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 和低柵極電荷 (Q{G}) 及電容，能夠有效降低導(dǎo)通損耗和驅(qū)動(dòng)損耗。此外，它還是無(wú)鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)鍵特性

封裝與設(shè)計(jì)

• 小尺寸封裝：8x8mm 的封裝尺寸，為緊湊型設(shè)計(jì)提供了可能，在空間有限的應(yīng)用場(chǎng)景中具有明顯優(yōu)勢(shì)。
• 環(huán)保設(shè)計(jì)：無(wú)鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求，有助于產(chǎn)品在市場(chǎng)上的推廣。

電氣性能

• 低導(dǎo)通電阻：低 (R{DS(on)}) 能夠有效減少導(dǎo)通損耗，提高電路效率。例如，在 (V{GS}=10V)、(I{D}=90A) 的條件下，(R{DS(on)}) 最大值僅為 1.1mΩ。
• 低柵極電荷和電容：低 (Q_{G}) 和電容可以降低驅(qū)動(dòng)損耗，提高開(kāi)關(guān)速度，使電路響應(yīng)更加迅速。

最大額定值

電壓與電流

功率與溫度

其他參數(shù)

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)、(I_{D}=250A) 時(shí)為 80V，其溫度系數(shù)為 57mV/°C。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)、(V{DS}=80V) 時(shí)，(T{J}=25^{circ}C) 為 10μA，(T_{J}=125^{circ}C) 為 250μA。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)、(V_{GS}=20V) 時(shí)為 100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V{DS})、(I{D}=590A) 時(shí)，最小值為 2.0V，典型值為 2.9V，最大值為 4.0V，其閾值溫度系數(shù)為 -7.6mV/°C。
• 漏源導(dǎo)通電阻：(R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)、(I{D}=90A) 時(shí)，最小值為 0.93mΩ，最大值為 1.1mΩ；在 (V{GS}=6V)、(I_{D}=59A) 時(shí)，最小值為 1.28mΩ，最大值為 1.6mΩ。
• 正向跨導(dǎo)：(g{FS}) 在 (V{DS}=15V)、(I_{D}=90A) 時(shí)為 400S。

電荷、電容與柵極電阻

開(kāi)關(guān)特性

漏源二極管特性

典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源電壓與總電荷關(guān)系、電阻性開(kāi)關(guān)時(shí)間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、最大漏極電流與雪崩時(shí)間關(guān)系以及熱響應(yīng)等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。

封裝與訂購(gòu)信息

封裝尺寸

該器件采用 TDFNW8 封裝，尺寸為 8.30x8.40x1.10mm，引腳間距為 2.00mm。文檔中詳細(xì)給出了封裝的機(jī)械尺寸圖和相關(guān)公差要求。

訂購(gòu)信息

器件型號(hào)為 NTMTS1D2N08H，標(biāo)記為 NTMTS1D2N08H，封裝為 DFNW8（無(wú)鉛），每盤(pán) 3000 個(gè)，采用帶盤(pán)包裝。如需了解帶盤(pán)規(guī)格，可參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

總結(jié)

NTMTS1D2N08H 是一款性能出色的 N 溝道功率 MOSFET，具有小尺寸、低損耗等優(yōu)點(diǎn)，適用于各種功率轉(zhuǎn)換和電源管理應(yīng)用。工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)，可以根據(jù)其最大額定值、電氣特性和典型特性曲線，合理選擇和使用該器件，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計(jì)。同時(shí)，在使用過(guò)程中要注意避免超過(guò)最大額定值，確保器件的正常工作和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中有沒(méi)有遇到過(guò)類似 MOSFET 的使用問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。